专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路-CN201620332680.1有效
  • 唐杰;章国豪;陈忠学;黄敬馨;余凯 - 广东工业大学
  • 2016-04-20 - 2016-08-24 - G05F1/56
  • 本实用新型公开一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路,包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块,PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1;带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15。本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分,然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比,在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗,进一步提高电源抑制比。
  • 一种提高基准电源抑制稳压电路
  • [实用新型]一种前馈补偿推挽式运算放大器-CN201620332649.8有效
  • 陈忠学;章国豪;李思臻;余凯;黄亮 - 广东工业大学
  • 2016-04-20 - 2016-08-24 - H03F1/48
  • 本实用新型公开一种前馈补偿推挽式运算放大器,包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和推挽式结构的前馈频率补偿电路,差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与推挽式结构的前馈频率补偿电路并联。推挽式结构的前馈频率补偿电路由推挽结构的PMOS管M1a和NMOS管M1b、推挽结构的PMOS管M2a和NMOS管M2b以及提供尾电流的NMOS管M3构成。由于本实用新型采用推挽式结构的前馈频率补偿电路,来取代传统极点分离密勒补偿技术,保证了电路系统稳定的同时,大大提高了系统的带宽,没有使用电容,芯片的面积也大大缩小。
  • 一种补偿推挽式运算放大器
  • [发明专利]一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路-CN201610246280.3在审
  • 唐杰;章国豪;陈忠学;黄敬馨;余凯 - 广东工业大学
  • 2016-04-20 - 2016-07-20 - G05F1/56
  • 本发明公开一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路,包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块,PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1;带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15。本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分,然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比,在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗,进一步提高电源抑制比。
  • 一种提高基准电源抑制稳压电路
  • [发明专利]一种倒装芯片模组-CN201610246231.X在审
  • 黄亮;章国豪;何全;陈忠学;唐杰;余凯 - 广东工业大学
  • 2016-04-20 - 2016-07-20 - H01L23/367
  • 本发明公开一种倒装芯片模组,包括封装基板、倒装芯片、热导体和注塑模具框,倒装芯片具有集成电路且安装在封装基板上,所述封装基板设在电路板上,注塑模具框设在倒装芯片的外围,通过注塑将注塑模具框、倒装芯片封装在封装基板上,注塑模具框使注塑材料不覆盖倒装芯片的顶面,热导体紧贴在倒装芯片的顶面。本发明封装基板与倒装芯片之间通过焊盘和连接凸点进行电连接,由于增大了封装基板与倒装芯片的接触面积,从而提高了热传递的能力,增强了散热效果;由于利用注塑模具框进行封装,大大方便了操作,简化封装工艺,避免了传统的封装工艺将整个芯片封住的现象,故减少了将芯片顶部遮住的封装材料去除的工序。
  • 一种倒装芯片模组

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