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[发明专利]LED显示装置及其驱动方法、驱动电路-CN202210964952.X在审
发明人：钟增梁;闫春辉;孙伟;沈彬彬 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请公开了LED显示装置及其驱动方法、驱动电路，该LED显示装置包括：驱动基板，包括第一驱动电路；多个电路集成单元，每个电路集成单元包括第二驱动电路以及第一电极组，多个电路集成单元装配于驱动基板上，每个电路集成单元上的第二驱动电路分别通过第一电极组电连接至第一驱动电路；多个LED集成单元，每个LED集成单元包括多个LED像素以及第二电极组，每个电路集成单元上装配有至少一LED集成单元，每个LED集成单元上的LED像素分别通过第二电极组电连接至其所在的电路集成单元的第二驱动电路。本申请将LED显示装置模块化设计为通过电极相互连接的驱动基板、多个电路集成单元以及多个LED集成单元，提高连接效率，同时降低生产成本。
led 显示装置及其驱动方法电路

[发明专利]发光二极管以及发光二极管的制造方法-CN202110556317.3在审
发明人： 闫春辉;蒋振宇;胡加辉;马爽 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管以及发光二极管的制造方法，该发光二极管包括应变补偿预备层以及以选择性生长方式层叠设置于应变补偿预备层上的应变补偿匹配发光区，其中应变补偿匹配发光区在应变补偿预备层和应变补偿匹配发光区的层叠方向的垂直方向上具有第一横截面尺寸，第一横截面尺寸和应变补偿匹配发光区与应变补偿预备层之间的晶格失配量设置成使得应变补偿匹配发光区内产生足够的应力，利用QCSE效应，进而使得应变补偿匹配发光区因QCSE效应所产生的红移量不小于25nm。通过上述方式，能够提升发光二极管的光效。
发光二极管以及制造方法

[发明专利]LED集成单元、显示装置、制造方法以及制造设备-CN202210910740.3在审
发明人：钟增梁;闫春辉 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请公开了LED集成单元、显示装置、制造方法以及制造设备，该LED集成单元包括基座以及设置于基座顶部的LED晶片，基座包括分别与LED晶片电连接的第一电极和第二电极，以及电连接于第一电极和第二电极之间的电容，电容设置成允许交流焊接电流经电容在第一电极和第二电极之间进行传输，交流焊接电流使得与第一电极接触的第一焊料和/或第二电极接触的第二焊料熔化。本申请在LED集成单元的基座设置分别与LED晶片电连接的第一电极和第二电极，以及电连接于第一电极和第二电极之间的电容，通过交流焊接电流将与第一电极接触的第一焊料和/或将与第二电极接触的第二焊料熔化，实现将LED集成单元转移并焊接到基板上，LED集成单元的结构简单，且便于与基板焊接。
led 集成单元显示装置制造方法以及设备

[发明专利]一种基于全氮化物的外延芯片结构和发光器件-CN202210720731.8在审
发明人： 闫春辉;杜彦浩;孙伟;杨安丽;聂大伟;何婧婷;钟增梁 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于全氮化物的外延芯片结构和发光器件，该外延芯片结构包括生长于衬底同一侧主表面上的n型半导体层、p型半导体层、电致发光量子阱层系以及第一光致发光量子阱层系，其中n型半导体层和p型半导体层设置于电致发光量子阱层系的相对两侧，电致发光量子阱层系以电致发光方式产生第一颜色的光线，第一颜色的光线进一步传输至第一光致发光量子阱层系，以使得第一光致发光量子阱层系以光致发光方式产生第二颜色的光线。本申请在衬底的同一侧设置基于电致发光的电致发光量子阱层系，以产生第一颜色的光线，以及设置基于光致发光的第一光致发光量子阱层系，将第一颜色的光线进一步转化为第二颜色的光线出射，提高芯片的发光效率。
一种基于氮化物外延芯片结构发光器件

[发明专利]一种外延片和外延片制造方法-CN202210745313.4在审
发明人： 闫春辉;杜彦浩;孙伟;杨安丽;聂大伟;何婧婷;钟增梁 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延片和外延片制造方法，该外延片包括生长准备层、生长于生长准备层上的量子垒层以及生长于量子垒层上的量子阱层，量子阱层和生长准备层的晶格常数满足(a‑c)/c大于1.3％，量子垒层的厚度设置成使得量子垒层和量子阱层的平均应力表征系数的范围介于(‑0.00216)‑(‑0.00732)，其中a为量子阱层的晶格常数，c为生长准备层的晶格常数。本申请通过设置量子垒层的厚度，以使量子垒层和量子阱层的平均应力表征系数在预设范围内，具体介于(‑0.00216)‑(‑0.00732)，以解决长波长LED的量子阱层和生长准备层存在严重的晶格失配，而导致In析出和相分离的问题。
一种外延制造方法

[实用新型]一种投影用的LED组件-CN202220199871.0有效
发明人：李二成;李达明;闫春辉 -专利权人：深圳市光衣光电有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种投影用的LED组件，包括散热器、增透膜体、散热风扇和安装板，所述散热器的两端皆固定连接有连接杆，所述连接杆的一端连接设置有散热鳍片，所述散热器的一侧连接设置有金属板，所述金属板的一侧连接设置有增透膜体，所述增透膜体的一侧设置有光筒，所述光筒光源出口对准增透膜体，所述光筒的一侧安装有散热风扇，所述散热风扇与散热鳍片对应设置。本实用新型通过在增透膜体、填充体和LED光源本体等配件，增透膜体可以具有增加透光的效果尤其针对波长430‑680纳米的光，具有增透效果，填充体化学作用稳定，不会出现燃烧的风险。
一种投影 led 组件

[发明专利]一种显示面板的制备方法以及显示面板-CN202210728002.7在审
发明人：钟增梁;闫春辉 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制备方法以及显示面板。该显示面板的制备方法包括：提供基板；提供若干微型发光器件，其中，微型发光器件包括微型发光芯片、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极与微型发光芯片电连接；将微型发光器件固定于基板的表面；确定第一电极以及第二电极在基板的坐标信息；根据第一电极以及第二电极在基板的坐标信息，形成与第一电极连接的第一电路以及与第二电极连接的第二电路。本发明实施例提供的技术方案避免了微型发光器件的电极与信号线电路出现接触不良的问题，提高了微型发光器件的转移效率。
一种显示面板制备方法以及

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202011632783.7有效
发明人：王春;裴向辉;邵明镜;王亚洲;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧形成台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电流扩展线和第一焊盘设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电流扩展线的两端分别与第一焊盘连接，以形成环绕台面结构的闭合的环形结构。本申请的有益效果是：本申请提供的发光二极管不仅可以增加第一半导体层上电流分布的均匀性，还可以降低第一电流扩展线上形成的压降，进而改善发光二极管的发光均匀性及时延性。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN202011633971.1有效
发明人：蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底的一侧主表面的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；多个电极图案，多个电极图案埋设于第一半导体层或第二半导体层中，并相互连接且呈网格状分布。通过上述方式，能够解决现有技术存在的发光二极管电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀的技术问题，有效改善电流分布，提高电流分布均匀性。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种正装集成单元二极管芯片-CN201911252644.9有效
发明人：蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极、第二导电类型电极以及二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元，n≥2，n个二极管单元的第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型层和透明电极依次层叠设置并形成一台阶结构，第二导电类型电极部分覆盖透明电极远离第二导电类型层的一侧，绝缘介质层覆盖于台阶结构所外露的第一导电类型层上，并沿台阶结构的侧壁延伸到第二导电类型层和透明电极之间，并部分覆盖第二导电类型层，以作为第二导电类型电极与第二导电类型层之间的电流阻挡层。本发明提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
一种集成单元二极管芯片

[发明专利]一种发光二极管芯片集成定位器、巨量转移装置及方法-CN202210854322.7在审
发明人：钟增梁;闫春辉 -专利权人：广东中民工业技术创新研究院有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管芯片集成定位器、巨量转移装置及方法，发光二极管芯片集成定位器用于贴附发光二极管芯片。发光二极管芯片集成定位器包括第三贴附结构，第三贴附结构实现发光二极管芯片集成定位器之间的贴附，实现多个发光二极管芯片集成定位器的整齐排列，提高贴在基板上发光二极管的均匀性和准确性。物料容置容器包括注料口和第一阀门，注料口用于注入发光二极管芯片集成定位器，第一阀门用于注入与排放密度大于发光二极管芯片集成定位器密度的第一物质，物料容置容器的一侧开口放置基板，以便实现发光二极管芯片与基板的贴附。通过第一物质的注入实现发光二极管芯片与基板之间的紧密贴附，提高发光二极管巨量转移的可靠性，提高效率。
一种发光二极管芯片集成定位器巨量转移装置方法

[发明专利]一种均匀发光的正装集成单元二极管芯片-CN201910379519.8有效
发明人：蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种均匀发光的正装集成单元二极管芯片，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构。所述二极管台面结构包括n个二极管单元，所述n个二极管单元沿x轴方向长度不同或沿y轴方向宽度不同。所述n个二极管单元相对于台面结构的平面位置函数为线性或非线性，其中，n≥2。本发明通过不均匀的台面结构设计，获得超均匀的电流分布，热分布，波长分布，以及窄半高的高质量LED光源，解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
一种均匀发光集成单元二极管芯片

[发明专利]一种高出光率集成单元二极管芯片-CN201911356240.4有效
发明人： 闫春辉;蒋振宇 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种高出光率集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，所述第二导电类型电极线沿所述第二导电类型层之上的沟槽延伸，所述延伸的第二导电类型电极线之间形成n个二极管单元台面结构，其中，n≥2，相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定；所述第二导电类型电极、透明电极和第二导电类型层在垂直于台面的方向上不连通。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
一种高出光率集成单元二极管芯片

[实用新型]一种双层多孔准直光通-CN202221381504.9有效
发明人：李二成;闫春辉 -专利权人：深圳市光衣光电有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02B27/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双层多孔准直光通。所述双层多孔准直光通，包括：准直光通机构，所述准直光通机构包括至少四组第一层曲面单元、第二层曲面单元和至少四组定位柱。本实用新型提供的双层多孔准直光通，第一层曲面单元和第二层曲面单元组成双层曲面结构，第一层曲面单元采用多孔式的方台或圆台形状曲面，其由若干个点阵式排布的曲面单元阵列组成，第二层曲面单元为单孔式的方台形状曲面，第一层曲面单元的出光面和第二层曲面单元的入光面重合，且第一层曲面单元的出光面外围与第二层曲面单元的入光面外围无缝连接，提高准直光学系统整体光线利用率、光源输出亮度分布均匀、功耗低、体积小。
一种双层多孔准直光通

[发明专利]一种发光二极管-CN201911284926.7有效
发明人： 闫春辉;蒋振宇 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管，包括衬底、发光外延层、第一电极和多个第二电极。发光外延层包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层。第一电极与第一半导体层和第二半导体层中的一个电连接，第二电极与第一半导体层和第二半导体层中的另一个电连接。第一电极为面电极，该多个第二电极在衬底上的投影落在第一电极在衬底上的投影内部且彼此间隔设置。发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与相邻的两个第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于横向临界电极间距。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。
一种发光二极管