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[发明专利]用基于卤素的化合物进行选择性蚀刻的原子层蚀刻系统-CN201980075829.9在审
发明人：彭东羽;金润祥;张贺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包含处理室、衬底支撑件、热源、气体输送系统、以及控制器。该衬底支撑件被设置在该处理室中且支撑衬底。该热源加热所述衬底。所述气体输送系统向所述处理室供应处理气体。控制器控制所述气体输送系统和所述热源以迭代地执行各向同性原子层蚀刻工艺，其包括：在所述各向同性原子层蚀刻工艺的迭代过程中，执行预处理、原子吸附和脉冲热退火；在所述原子吸附期间，将所述衬底的所述表面暴露于包含卤素物质的所述处理气体中，所述卤素物质被选择性地吸附到所述衬底的暴露的材料上以形成改性材料；以及在所述脉冲热退火期间，在预定的时间内多次脉冲化所述热源，以暴露和去除所述改性材料。
基于卤素化合物进行选择性蚀刻原子系统

[发明专利]利用无金属配体的金属原子层蚀刻及沉积设备和处理-CN202080009348.0在审
发明人：张贺;金润祥;彭东羽 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于进行金属ALE处理以蚀刻衬底的表面的ALE系统包含：处理室、衬底支撑件、热源、输送系统和控制器。衬底支撑件被设置于所述处理室中且支撑所述衬底。所述输送系统将配体或有机物质供给至所述处理室中。所述控制器控制所述输送系统与所述热源以进行各向同性金属ALE处理，所述各向同性金属ALE处理包含：在所述各向同性金属ALE处理的重复期间，进行原子吸附与脉冲热退火；在所述原子吸附期间，将所述表面暴露于所述配体或所述有机物质，其中所述配体或所述有机物质并无金属前体且被选择性地吸附以在所述表面中形成金属络合物；以及在所述脉冲热退火期间，脉冲所述热源多次以从所述衬底移除所述金属络合物。
利用金属原子蚀刻沉积设备处理

[发明专利]利用原子层控制各向同性蚀刻膜-CN201880009034.3在审
发明人： 金润祥;权赫俊;彭东宇;张贺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法包括：a)提供包括选自硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)的材料的衬底。所述方法还包括b)通过以下方式在处理室中在所述材料上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；执行在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应所述含氧化剂的等离子体中的一者；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体。所述方法还包括c)吹扫所述处理室。所述方法还包括d)通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述材料。
等离子体氧化剂衬底蚀刻牺牲层原子层蚀刻气体混合物各向同性蚀刻时间段吹扫硅锗沉积加热冷却

[发明专利]用于处理倒角边缘的方法和装置-CN201080053879.6有效
发明人：杰克·陈;金润祥 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于处理倒角边缘的方法和装置。将衬底放置在倒角处理腔室中，利用约束在倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体，在所述衬底上仅在所述衬底的倒角区域周围形成钝化层。衬底可经受后续半导体工艺制程，在所述后续半导体工艺制程期间所述衬底的倒角边缘区域受所述钝化层保护。可选地，可利用形成在处理腔室的外周边区域中的图案化等离子体使钝化层图案化，通过增强等离子体约束来约束图案化等离子体。去除倒角区域的外边缘部上的钝化层，而仍保持倒角区域的内部上的钝化层。可利用图案化的钝化层作为保护掩膜来清洁衬底的倒角边缘。
用于处理倒角边缘方法装置