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[实用新型]散热基板以及功率模块-CN202123172901.3有效
发明人：时海定;邹淅;常桂钦;罗海辉;向华;魏思;余军;石廷昌 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
散热以及功率模块

[发明专利]散热基板以及功率模块-CN202111537612.0在审
发明人：时海定;邹淅;常桂钦;罗海辉;向华;魏思;余军;石廷昌 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
散热以及功率模块

[发明专利]焊接底座及功率半导体模块-CN201911347198.X在审
发明人：时海定;彭勇殿;常桂钦;邹淅;赵凯;方杰;吴义伯 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
焊接底座功率半导体模块

[发明专利]采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件-CN201410430928.3有效
发明人：王向展;张易;邹淅;刘葳;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏区，源区和漂移区之间的沟道掺杂区的表面上生长栅氧化层，栅氧化层上生长栅，漂移区至少覆盖有向漂移区引入应力的本征应变膜二，所述沟道掺杂区至少覆盖有向沟道掺杂区引入应力的本征应变膜一。通过向沟道区引及漂移区引入张应力或压应力，达到使沟道区和漂移区载流子的迁移率得到大幅提升的效果。适用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
采用性质应变 ldmos 器件

[发明专利]一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法-CN201410401006.X有效
发明人：王向展;邹淅;黄建国;赵迪;张易;曾庆平;于奇;刘洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构，所述槽型结构向漂移区宽度方向引入压应力、长度方向引入张应力。引入应力的方法为向槽型结构区域淀积无定型材料，通过退火使无定型材料变成多晶材料过程中体积的膨胀引入应力，或者向槽型结构区域进行氧离子注入，退火使氧离子与硅反应生成二氧化硅，通过硅氧化过程中体积的膨胀引入应力。本发明器件在保证击穿电压的同时降低了漂移区的电阻，提升了器件的性能。
一种带槽型结构应变 nldmos 器件及其制作方法

[发明专利]大功率LED模组-CN201310572912.1有效
发明人：王向展;邹淅;黄建国;赵迪;陈南庭;欧文;张衡明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中，由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题，提供了一种大功率LED模组，其技术方案可概括为大功率LED模组，包括散热基板及多个发光芯片，每个发光芯片都设置于散热基板上，所述多个相同的发光芯片按照内疏外密的排列方式设置在散热基板上。本发明的有益效果是，具有更好的温度均匀性和更好的散热效果，适用于大功率LED模组。
大功率 led 模组

[发明专利]具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法-CN201310184991.9有效
发明人：王向展;曾庆平;邹淅;甘程;刘斌 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有深槽结构的图形化应变PMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙，还包括位于有源区外侧的深隔离槽，仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层，在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征压应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是，沟道应力更大更均匀，适用于应变PMOS器件。
具有结构图形应变 pmos 器件及其制作方法

[发明专利]克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件-CN201410407304.X在审
发明人：王向展;邹淅;张易;黄建国;赵迪;于奇;刘洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展区20，其中漂移区3为横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层18位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方，以保证击穿电压的同时提升器件的频率特性和驱动能力。本发明有效抑制了短沟道效应，在保证击穿电压的同时提升频率特性和驱动能力。
克服沟道效应提升频率局部 soi ldmos 器件

[实用新型]一种LED模组基板-CN201320620791.9有效
发明人：王向展;黄建国;邹淅;于奇;欧文;张衡明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型针对现有LED模组发光效率低、基板材料价格高、重量大等问题提供了一种新LED模组基板。该LED模组基板包括基板及设置在基板上的LED芯片，其特征在于，在基板上设置的LED芯片间空白处的中心位置开设有凹形槽。优选的所述凹形槽为下表面小于上表面的杯状结构，呈倒圆锥形或倒方锥形，横切面相应为圆形或正方形。该基板在LED芯片间空白处中心位置开设凹形槽，有效节省了基板使用材料，降低了生产成本；减轻基板重量，也降低了LED模组装配过程中的难度；同时基板上的凹形槽呈下表面小于上表面的杯状结构，形成反光杯，能够增强LED模组聚光效果、提高出光效率。
一种 led 模组

[发明专利]一种LED模组基板-CN201310467056.3在审
发明人：王向展;黄建国;邹淅;于奇;欧文;张衡明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明针对现有LED模组发光效率低、基板材料价格高、重量大等问题提供了一种新LED模组基板。该LED模组基板包括基板及设置在基板上的LED芯片，其特征在于，在基板上设置的LED芯片间空白处的中心位置开设有凹形槽。优选的所述凹形槽为下表面小于上表面的杯状结构，呈倒圆锥形或倒方锥形，横切面相应为圆形或正方形。该基板在LED芯片间空白处中心位置开设凹形槽，有效节省了基板使用材料，降低了生产成本；减轻基板重量，也降低了LED模组装配过程中的难度；同时基板上的凹形槽呈下表面小于上表面的杯状结构，形成反光杯，能够增强LED模组聚光效果、提高出光效率。
一种 led 模组

[发明专利]具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法-CN201310185281.8有效
发明人：王向展;曾庆平;甘程;刘斌;邹淅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙，还包括设置在有源区外侧的深隔离槽、仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层，在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征张应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是，沟道应力更大更均匀，适用于应变NMOS器件。
具有结构图形应变 nmos 器件及其制作方法

[发明专利]具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法-CN201310195376.8有效
发明人：罗谦;曾庆平;刘斌;邹淅;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有硅化物电极的MOSFET器件由于硅化物电极向沟道区引入的应力不可控导致器件性能指标不稳定的问题，提供了一种具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法，其技术方案可概括为：该器件与现有无槽结构而具有硅化物电极的MOSFET器件相比，还包括设置在有源区外侧的槽型结构，槽型结构的深度不低于器件源区源极方向边界到漏区漏极方向边界的长度，槽型结构的内部还设置有均匀厚度的绝缘介质层，槽型结构的宽度为绝缘介质层厚度的至少3倍。本发明的有益效果是，使应力主要向槽型结构区释放，从而减小沟道应力，适用于具有硅化物电极的MOSFET器件。
具有结构硅化物电极 mosfet 器件及其制作方法

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