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[发明专利]基于Cordic算法的浅迭代函数运算方法和装置-CN202310956026.2在审
发明人： 赵瑞博;左琛;张旺根;陆志伟;许国辉 -专利权人：思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于Cordic算法的浅迭代函数运算方法和装置，浅迭代函数运算方法包括获取输入信息；构建针对输入参数的目标向量，并基于Cordic算法对目标向量进行N次迭代，得到最终迭代向量和目标函数的结果值；当目标函数为三角函数时，基于输入参数和N次迭代的旋转总角度，对结果值进行截位舍入，得到截断值，当目标函数为求模函数或相位函数时，基于最终迭代向量，对结果值进行截位舍入，得到截断值；输出截断值。本申请能够有效减少了舍入误差，无需提高迭代深度，即可在浅迭代下提高了Cordic算法的精度，在应用至电机控制算法中时，能够在避免影响运算速度和算法复杂度的前提下，有效保证控制电机控制的精度和稳定性。
基于 cordic 算法浅迭代函数运算方法装置

[发明专利]一种访问应用的方法及装置-CN202110054136.0有效
发明人：钟鹏;张强;富达升;郑家宾;赵瑞博 -专利权人：中国银联股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04W12/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种访问应用的方法及装置，该方法包括获取作为应用访问依据的手机号码，按照预设的N个校验流程，确定使用手机号码进行应用访问的N个风险特征的校验结果，根据N个风险特征的校验结果和N个风险特征预设的风险系数，确定手机号码进行应用访问的访问分值，若访问分值满足预设条件且N个校验流程均校验通过时，确定基于运营商获取的手机号码的第一用户身份信息和应用存储的手机号码的第二用户身份信息是否一致，若不一致，则将手机号码与第一用户身份信息进行注册并解绑手机号码与第二用户身份信息的注册关系。如此，可以实时准确地识别出二次放号，并可以有助于二次放号的拥有者能够及时有效地进行注册。
一种访问应用方法装置

[发明专利]一种数据访问方法及装置-CN202210130904.0有效
发明人：钟鹏;张强;富达升;郑家宾;赵瑞博 -专利权人：中国银联股份有限公司
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据访问方法及装置，包括：请求端在第i次启动应用程序时，确定应用程序的第i启动时间段；请求端在确定第i启动时间段小于第n粘滞期时间阈值时，根据第n待访问数据中心的标识生成访问请求，并将访问请求发送至业务端；第n待访问数据中心的标识和第n粘滞期时间阈值是由业务端在第j次启动应用程序时确定并发送至请求端的；第n待访问数据中心的标识用于指示业务端将访问请求分发至第n待访问数据中心；第n粘滞期时间阈值是业务端根据第n待访问数据中心的同步数据丢失率确定的；j小于i。以此保证应用程序的数据一致性，提升应用程序中数据的实时性、准确性及安全性。
一种数据访问方法装置

[发明专利]外延设备的腔室清洁方法-CN202111413912.8在审
发明人：段华玲;朱晓斌;曹志伟;薛金申;孙少先;高超;赵瑞博 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延设备的腔室清洁方法，包括：将外延设备的基座上升至第一位置，第一位置是通过外延设备进行外延工艺时基座所处的位置；进行第一刻蚀处理；将基座下降至第二位置；进行第二刻蚀处理；进行第一次冷却；进行硅涂布工艺；进行第二次冷却。本申请通过分两步刻蚀对外延设备的腔室进行刻蚀清洁处理，其中，第二次刻蚀中基座所处的第二位置低于第一次刻蚀中基座所处的第一位置，从而使更多的反应气体流向外延设备的下腔室，进而提高了腔室的清洁效果。
外延设备清洁方法

[发明专利]SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路-CN202010971576.8在审
发明人：王莉;钱叶彤;赵瑞博 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路，所述的结温在线预测方法包括以下步骤：SiC MOSFET壳温检测、SiC MOSFET实时功率损耗检测、基于勒贝格采样的结温实时动态预测。本发明可以获取未知工作状态下功率器件的实时结温，兼具实时性强和预测精度高的优势。
sic mosfet 实时动态预测方法电压检测电路

[发明专利]一种NiCrAlSi/CeO2-CN201811227837.4有效
发明人：魏东博;张平则;赵瑞博;李淑琴;姚正军;李逢昆 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ热障涂层及其制备方法，所述NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ热障涂层，自上而下依次包括CeO2掺杂YSZ沉积层、NiCrAlSi粘结层和镍基高温合金层。所述制备方法包括：a、对镍基高温合金基体表面进行预处理；b、利用等离子刻蚀法在基体的表面形成峰形阵列微结构；c、利用双辉等离子表面冶金法在基体上进行NiCrAlSi沉积；d、采用多弧等离子镀法在NiCrAlSi沉积层上及进行CeO2掺杂YSZ沉积，制备过程结束后随炉冷至室温，断电；e、采用真空热压扩散法将CeO2掺杂YSZ陶瓷层与NiCrAlSi粘结层紧密的连接起来；f、将模具放入热压扩散炉中加热，对腔室进行抽真空，当真空度达到10‑4～10‑2Pa后加热，达到600～700℃后开始卸压，并随炉冷却，脱模取件。本发明的涂层结合强度高。
一种 nicralsi ceo base sub

[发明专利]一种γ-TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO₂掺杂YSZ涂层及其制备方法-CN201811218430.5有效
发明人：魏东博;张平则;赵瑞博;李淑琴;姚正军;马振宇 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ‑TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO₂掺杂YSZ涂层及其制备方法，该涂层包括自下而上依次设在基体上的NiCrAlSi沉积层、等离子渗氧陶瓷膜、CeO₂掺杂YSZ隔热层。其制备方法为：对γ‑TiAl合金基体表面进行预处理；利用等离子刻蚀技术在基体表面形成峰形阵列微结构；利用多弧等离子镀技术在基体上进行NiCrAlSi沉积层；采用等离子渗氧的方法在表面形成一层致密的等离子渗氧陶瓷薄膜；采用多弧等离子镀技术在上述所得涂层上及进行CeO₂掺杂YSZ沉积。本发明提高了γ‑TiAl合金与NiCrAlSi/CeO₂掺杂YSZ涂层的结合强度。
掺杂等离子渗制备等离子镀合金表面沉积层等离子刻蚀技术预处理致密阵列微结构表面形成合金基体基体表面陶瓷薄膜隔热层陶瓷膜峰形沉积合金