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[实用新型]一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备-CN202321023519.2有效
发明人： 赵函一 -专利权人：上海微芸半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备，晶圆顶起装置包括：顶起结构；波纹管，波纹管的上端与顶起结构连接，波纹管内设置有中间轴；驱动装置，驱动装置用于驱动中间轴上下运动，驱动装置具有输出部，输出部和中间轴通过连接机构连接；其中，连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构，第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部，上抵接部具有开口，第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当输出部和中间轴连接时，球体位于上抵接部和下抵接部之间，连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
一种圆顶装置等离子刻蚀设备

[发明专利]一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置-CN201911294435.0有效
发明人： 赵函一;黄国民;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种下电极组件，其安装方法及所处的等离子体处理装置，通过在聚焦环和介电环与基座之间设置一介电套筒，以及在介电套筒与基座之间的缝隙内设置弹性材料层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄露到基座与边缘环组件之间的缝隙内，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性。受限于基座及各边缘环的尺寸限制，本发明通过先安装该介电套筒，使得在基座与边缘环组件之间的缝隙内设置弹性材料层的安装难度大大降低，有效的保证了下电极组件的使用安全。
一种电极组件安装方法等离子体处理装置

[实用新型]一种静电吸盘和等离子刻蚀设备-CN202321025778.9有效
发明人： 赵函一 -专利权人：上海微芸半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种静电吸盘和等离子刻蚀设备，静电吸盘设置在等离子刻蚀设备的反应腔体内，包括：盘体，晶圆能够被吸附在盘体的上表面上；其中，盘体的上表面设置有多个凸起结构，盘体中心设置有通孔，通孔用于供冷却气体通过并进入盘体的上表面与晶圆之间。本申请提供的静电吸盘能够防止等离子体进入到晶圆和盘体之间而损坏盘体，具有较高的使用寿命。
一种静电吸盘等离子刻蚀设备

[发明专利]一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备-CN202310484992.9在审
发明人： 赵函一 -专利权人：上海微芸半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备，晶圆顶起装置包括：顶起结构；波纹管，波纹管的上端与顶起结构连接，波纹管内设置有中间轴；驱动装置，驱动装置用于驱动中间轴上下运动，驱动装置具有输出部，输出部和中间轴通过连接机构连接；其中，连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构，第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部，上抵接部具有开口，第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当输出部和中间轴连接时，球体位于上抵接部和下抵接部之间，连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
一种圆顶装置等离子刻蚀设备

[发明专利]静电吸盘、下电极组件及等离子体处理装置-CN202011597601.7在审
发明人：黄国民;郭二飞;赵函一;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理装置的静电吸盘，该静电吸盘包括：多个区域，所述多个区域中的第一区域包括朝向所述静电吸盘的中心突出的突出部；第一通气孔，所述第一通气孔设置在所述突出部中。
静电吸盘电极组件等离子体处理装置

[发明专利]一种静电夹盘及其等离子体处理装置-CN202011124572.2在审
发明人：黄国民;赵函一;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电夹盘，包括静电吸附层和位于静电吸附层下方的基座，静电吸附层为陶瓷材料，基座包括靠近静电吸附层的第一金属层和位于第一金属层下方的第二金属层，第一金属层的热膨胀系数大于静电吸附层的热膨胀系数，小于等于第二金属层的热膨胀系数，第一金属层的热膨胀系数小于15×10‑6/K。此发明解决了传统静电夹盘中易产生机械应力导致损坏的问题，选择ESC基座与静电吸附层具有相似热膨胀系数的特殊材料，减小了静电夹盘内部机械应力的产生，有效地避免了静电夹盘中热力不匹配的现象。
一种静电及其等离子体处理装置

[发明专利]一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置-CN202010453854.0在审
发明人： 赵函一;黄国民;叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种下电极组件，其安装方法及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件出现电弧放电的可能性，有效的保证了下电极组件的使用安全。
一种电极组件安装方法等离子体处理装置

[实用新型]一种静电夹盘及等离子体处理装置-CN202023059661.1有效
发明人：黄国民;郭二飞;赵函一;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种静电夹盘及等离子体处理装置，该静电夹盘的夹盘和基部之间采用多层的粘接层连接，所述多层粘接层各自具有不同的导热系数，和/或同一层粘接层不同区域选择不同导热系数的材料，实现了传热系数整体和/区域的可调，有效的保证了材料选择的多样性和温度分布的均一性。
一种静电等离子体处理装置

[实用新型]一种静电夹盘及其等离子体处理装置-CN202022343117.3有效
发明人：黄国民;赵函一;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种静电夹盘，包括静电吸附层和位于静电吸附层下方的基座，静电吸附层为陶瓷材料，基座包括靠近静电吸附层的第一金属层和位于第一金属层下方的第二金属层，第一金属层的热膨胀系数大于静电吸附层的热膨胀系数，小于等于第二金属层的热膨胀系数，第一金属层的热膨胀系数小于15×10‑6/K。此实用新型解决了传统静电夹盘中易产生机械应力导致损坏的问题，选择ESC基座与静电吸附层具有相似热膨胀系数的特殊材料，减小了静电夹盘内部机械应力的产生，有效地避免了静电夹盘中热力不匹配的现象。
一种静电及其等离子体处理装置

[发明专利]静电吸盘装置及包括该静电吸盘装置的等离子体处理装置-CN201911227727.2在审
发明人：黄国民;赵函一;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)装置，其包括静电吸盘及基座。静电吸盘的上表面用以吸附晶圆。基座的上表面与静电吸盘的下表面连结，静电吸盘中具有贯通静电吸盘的冷却气体孔，基座具有与冷却气体孔相对应的冷却通道，在冷却通道的靠近冷却气体孔的一端设置多孔塞，多孔塞的靠近冷却气体孔的一侧设置第一凹部，聚合物材料填充第一凹部及粘合多孔塞和冷却通道的内壁。本发明通过在冷却气体孔对应基座的侧壁所形成凹部填充聚合物材料，以实现极大地提高短期制造可靠性和长期化学侵蚀的可靠性，从而防止冷却气体孔和/或容纳升降销的通孔过早产生电压击穿现象。
静电吸盘装置包括等离子体处理

[发明专利]一种静电吸盘及其制造方法、等离子体处理装置-CN201910996040.9在审
发明人：叶如彬;涂乐义;倪图强;梁洁;黄国民;赵函一;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供一种静电吸盘，包括底座和和底座上设置的圆盘结构，圆盘结构的上表面用于固定晶圆。其中，底座中形成有第一通孔，第一通孔中形成有分流部件，分流部件将第一通孔分为多个子通孔，分流部件和第一通孔的侧壁之间形成有填充层；圆盘结构中形成有轴向贯穿圆盘结构的第二通孔，第一通孔的尺径大于第二通孔的尺径，第一通孔和第二通孔连通。冷却气体可以通过第一通孔中的多个子通孔流向第二通孔，从而与圆盘结构上固定的晶圆接触来调节晶圆温度，而填充层可以填充分流部件和底座之间的侧壁间隙，减小了冷却气体的放电空间，降低了冷却气体被击穿的可能性，提高静电吸盘的使用寿命。
一种静电吸盘及其制造方法等离子体处理装置

[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置-CN202021998546.8有效
发明人：叶如彬;黄国民;赵函一;郭二飞 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，本实用新型通过在基座和边缘环组件之间设置多个保护环，将边缘环组件与基座之间的间隙分隔成几个较小的间隙，以及在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡间隙下方发生电弧放电后向上的延伸，有效的保证了下电极组件的使用安全。
一种电极组件等离子体处理装置

[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置-CN202020903932.8有效
发明人： 赵函一;黄国民;叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件出现电弧放电的可能性，有效的保证了下电极组件的使用安全。
一种电极组件等离子体处理装置

[实用新型]氧化锌薄膜沉积设备-CN201120400506.3有效
发明人：李一成;赵函一;许国青 -专利权人：理想能源设备（上海）有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种氧化锌薄膜沉积设备，其沉积腔的顶板与喷淋头之间形成有气体混合区，并引入有反应气体；经由所述喷淋头上开设的若干气体分配孔，将反应气体引入至喷淋头与基板支承座之间形成的反应区中；通过改变喷淋头中气体分配孔的形状或尺寸或其在喷淋头上的布置结构，或者其中至少两个的结合，使得气体混合区内的气压能够提高，因此在保持反应区中的气压不变时，增大了气体混合区与反应区之间的压力差，从而使反应气体能以较高的速度喷出，并以适当的速度到达基片表面进行ZnO薄膜的沉积处理，有效提高了反应气体的利用率和ZnO薄膜的沉积速率。
氧化锌薄膜沉积设备

[发明专利]化学气相沉积装置-CN201010612665.X有效
发明人：汪宇澄;李一成;陶成钢;赵函一;李冠龙 -专利权人：理想能源设备有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；设置于反应腔内的加热基座，用于加热待加工工件；传输结构，设置于所述加热基座上方用于传输待加工工件；所述加热基座在加热待加工工件时产生热辐射，所述传输结构使得投射于其上的热辐射产生透射或反射。本发明可以避免传输结构受到加热基座产生的热辐射加热升温，从而破坏反应气体在传输结构的表面反应成膜的温度条件，大幅降低传输结构的清洗以及更换频率，进而降低设备的维护成本。
化学沉积装置

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