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- [发明专利]非易失性存储器-CN201710158459.8有效
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野口纮希;藤田忍
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株式会社东芝
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2017-03-17
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2021-05-11
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G11C7/06
- 本发明涉及非易失性存储器。实施方式涉及一种非易失性存储器。提出能够在各种系统使用的非易失性RAM。实施方式的非易失性RAM具备：导电线(LSOT)，在第1方向上延伸；存储元件(MTJ1～MTJ8)，具有第1端子以及第2端子，第1端子连接到导电线(LSOT)；晶体管(T1～T8)，具有第3端子、第4端子以及第1电极，第3端子连接到第2端子；导电线(WL1～WLi)，在第1方向上延伸，连接到第1电极；以及导电线(LBL1～LBL8)，在第2方向上延伸，连接到第4端子。
- 非易失性存储器
- [发明专利]存储器系统及处理器系统-CN201710132910.9有效
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野口纮希;藤田忍
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东芝存储器株式会社
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2017-03-08
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2021-02-05
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G06F3/06
- 本发明提供一种存储器系统及处理器系统。本发明的实施方式涉及存储器系统及处理器系统。提供一种能够实现错误发生概率下降、存取速度提高以及低功耗化的存储器系统及处理器系统。一个实施方式所涉及的存储器系统具备：非易失性存储器；存储部，能够进行与所述非易失性存储器相比高速的存取，在对所述非易失性存储器进行存取之前存储针对所述非易失性存储器的存取信息；以及存储器控制部，根据所述存储部的空白容量或存储在所述存储部中的所述存取信息，对所述非易失性存储器的写入脉冲宽度进行控制。
- 存储器系统处理器
- [发明专利]密闭型压缩机及冷冻循环装置-CN201610312799.7有效
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藤田忍;渡辺哲永
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东芝开利株式会社
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2016-05-12
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2020-12-22
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F04C23/00
- 本发明提供一种密闭型压缩机。实施方式的密闭型压缩机(10)具备对制冷剂进行压缩的压缩机构部(23)、及收纳有压缩机构部(23)的密闭容器(30)。密闭容器(30)具备底部(33)、与底部(33)为相反侧的盖部(34)、以及连接底部(33)及盖部(34)的主体部(35)。底部(33)、盖部(34)及主体部(35)分别具有通过粉体涂装而形成的涂膜(32b)、涂膜(32c)、涂膜(32a)。主体部(35)的涂膜(32a)的算术平均波纹度为0.3μm以上。本发明能够切实地保护密闭容器不生锈，并且能够充分确保密闭容器的散热性。
- 密闭压缩机冷冻循环装置
- [发明专利]非易失性半导体存储器-CN201580046348.7有效
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高谷聪;野口纮希;藤田忍
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东芝存储器株式会社
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2015-06-30
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2019-10-29
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G11C11/15
- 实施方式的非易失性半导体存储器具备：写入电路(13a－0)，生成使存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的写入电流(Iw(t))；第1电流生成电路(T11(y1))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第1电流(Iw'(t))；第2电流生成电路(T13(y3))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第2电流(Iw'(t)×α)；保持电路(22)，保持根据存储器单元(MC)是第1电阻值时的第2电流(Iw'(t)×α)生成的第1值；以及比较器(23)，比较根据存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的过程中的第1电流(Iw'(t))生成的第2值和第1值。
- 非易失性半导体存储器
- [发明专利]非易失性半导体存储器-CN201580046308.2有效
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野口纮希;高谷聪;藤田忍
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东芝存储器株式会社
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2015-07-01
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2019-07-09
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G11C11/15
- 实施方式的非易失性半导体存储器具备：基板区域(Sub(m‑1))；基板区域(Sub(m‑1))内的单元部件(CU‑L)，包括存储器单元(MC)以及存取晶体管(AT)，该存取晶体管(AT)将控制端子与字线(WL(i‑1))连接，并将基板区域(Sub(m‑1))作为沟道而对存储器单元(MC)供给读出电流或者写入电流；以及基板电位设定电路，在对存储器单元(MC)供给读出电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为第1基板电位，在对存储器单元(MC)供给写入电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为与第1基板电位不同的第2基板电位。
- 非易失性半导体存储器
- [发明专利]半导体集成电路和处理器-CN201210141293.6无效
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藤田忍;安部恵子
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株式会社东芝
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2012-05-09
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2013-01-30
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G11C11/413
- 本公开涉及半导体集成电路和处理器。在一种实施例中，本发明公开了一种半导体集成电路，该半导体集成电路包括：第一逆变器；第二逆变器；第一晶体管，其中第一晶体管的一端与第一位线连接，以及第一晶体管的另一端与第一逆变器的第一输入端子连接；第一元件组，包含第二晶体管，其中第一元件组的一端与第一逆变器的第一输出端连接，以及第一元件组的另一端与第二位线连接；以及第二元件组，包含第三晶体管以及其磁阻可变的磁阻元件，其中第二元件组的一端与第一逆变器及第二逆变器连接，以及第二元件组的另一端与第一端子连接。
- 半导体集成电路处理器
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