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[发明专利]合金部件的制造方法-CN202211665460.7在审
发明人： 藤枝正;白鸟浩史;桑原孝介;大沼笃彦 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供合金部件的制造方法。该合金部件的制造方法具有：原料混合熔化工序，以下述方式混合合金的原料，将其熔化而形成熔融液：分别以5原子％以上35原子％以下的范围含有Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，并以超过0原子％且8原子％以下的范围含有Mo；雾化工序，由所述熔融液形成合金粉末；和层积造形工序，使用所述合金粉末并通过金属粉末层积造形法形成具有所希望形状的合金层积造形体，其中，层积造形后的母相结晶的形状为柱状晶，其结晶结构包括简单立方晶和面心立方晶。
合金部件制造方法

[发明专利]合金部件的制造方法-CN202111194668.0有效
发明人： 藤枝正;白鸟浩史;桑原孝介;大沼笃彦 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供合金部件的制造方法。该合金部件的制造方法具有：原料混合熔化工序，以如下方式混合合金的原料，将其熔化而形成熔融液：分别以5原子％以上35原子％以下的范围含有Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，并以超过0原子％且8原子％以下的范围含有Mo，余量包含不可避免的杂质；雾化工序，由所述熔融液形成合金粉末；层积造形工序，使用所述合金粉末并通过金属粉末层积造形法形成具有所希望形状的合金层积造形体；和伪固溶化热处理工序，对于所述合金层积造形体，在1080℃以上1180℃以下的温度范围实施伪固溶化热处理，在所述伪固溶化热处理工序后具有时效处理工序，在超过500℃且低于900℃的温度范围实施时效处理。
合金部件制造方法

[发明专利]合金粉末-CN202211134082.X在审
发明人：陈美传;藤枝正;桑原孝介 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及合金粉末。提供在不牺牲高熵合金所具有的有魅力的特性的情况下表现出比以往更高的机械特性和/或更高的耐腐蚀性的合金材料及用于得到使用该合金材料的制造物的合金粉末。合金粉末具有规定的化学组成，该化学组成为：包含20～35原子％的Co、10～25原子％的Cr、10～25原子％的Fe、15～30原子％的Ni、5～15原子％的Ti和大于0原子％且为5原子％以下的Mo，且以大于0原子％且为4原子％以下包含具有比Co、Cr、Fe以及Ni的原子半径更大的原子半径的元素，具有更大的原子半径的元素与Mo的合计为2～6原子％，余量由不可避免的杂质构成，具有更大的原子半径的元素为Ta、Nb、Hf、Zr及Y中的一种以上，合金粉末的平均粒径为5～200μm。
合金粉末

[发明专利]合金材料、使用该合金材料的制造物、及具有该制造物的流体机械-CN201880049545.8有效
发明人：陈美传;藤枝正;桑原孝介 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供在不牺牲高熵合金所具有的有魅力的特性的情况下表现出比以往更高的机械特性和/或更高的耐腐蚀性的合金材料、使用该合金材料的制造物、以及具有该制造物的流体机械。本发明的合金材料的特征在于，其为具有规定的化学组成的合金材料，前述化学组成为：分别以5原子％以上且35原子％以下的范围包含Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，以大于0原子％且小于8原子％的范围包含Mo，并且以大于0原子％且为4原子％以下的范围包含具有比前述Co、Cr、Fe以及Ni的原子半径更大的原子半径的元素，余量由不可避免的杂质构成。
合金材料使用制造具有流体机械

[发明专利]高熵合金构件、该合金构件的制造方法、及使用了该合金构件的制造物-CN201680071488.4有效
发明人： 藤枝正;桑原孝介;广田守;青田欣也;加藤隆彦;千叶晶彦;小泉雄一郎;山中谦太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供使用具有高机械强度·高耐腐蚀性的高熵合金(HEA)、合金组成·微细组织的均质性优异、并且形状控制性优异的HEA构件、其制造方法、及使用了该HEA构件的制造物。本发明涉及的HEA构件的特征在于，其是由HEA形成的合金构件，其具有下述的化学组成：分别以5原子％以上35原子％以下的范围包含Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，并且以大于0原子％且为8原子％以下的范围包含Mo，剩余部分由不可避免的杂质构成，前述合金构件中，在母相结晶中分散析出了针状结晶的金属间化合物相。
合金构件制造方法使用

[发明专利]合金部件、该合金部件的制造方法和使用了该合金部件的制造物-CN201680081497.1有效
发明人： 藤枝正;广田守;桑原孝介;青田欣也;加藤隆彦;千叶晶彦;小泉雄一郎;山中谦太;渡边精一 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，使用具有高机械强度、高耐腐蚀性的高熵合金，提供合金组成、微细组织的均质性优异且形状控制性优异的合金部件、其制造方法和使用了该合金部件的制造物。本发明涉及的合金部件的特征在于，具有下述化学组成：分别在5原子％以上35原子％以下的范围含有Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，且在超过0原子％且为8原子％以下的范围含有Mo，余部包括不可避免的杂质；母相晶体中分散析出有平均粒径40nm以下的极小粒子。
合金部件制造方法使用

[发明专利]合金部件、该合金部件的制造方法以及使用该合金部件的制造物-CN201880003410.8在审
发明人： 藤枝正;白鸟浩史;桑原孝介;大沼笃彦 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供合金部件、其制造方法以及使用该合金部件的制造物，该合金部件使用具有高机械强度和高耐蚀性的高熵合金，合金组成、微细组织的均质性优异，且形状控制性优异。本发明所涉及的合金部件的特征在于，具备下述化学组成：分别以5原子％以上35原子％以下的范围含有Co、Cr、Fe、Ni、Ti各元素，并以超过0原子％且8原子％以下的范围含有Mo，余量包含不可避免的杂质；在母相结晶中分散析出有平均粒径100nm以下的极小粒子。
合金部件制造物形状控制性高耐蚀性高熵合金合金组成化学组成平均粒径微细组织析出均质性小粒子制造

[发明专利]接合材料和接合构造体-CN201810314557.0在审
发明人：儿玉一宗;内藤孝;藤枝正;泽井裕一;青柳拓也;宫城雅德 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体具备：第一基材；第二基材；和将第一基材和第二基材接合的接合材料层，第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物包含玻璃组合物，该玻璃组合物含有Ag、V和Te，且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量％以上、不到100质量％，在第一基材与金属之间的至少一部分存在氧化物，在金属中分散有氧化物，在第一基材与金属之间存在的氧化物的厚度为100nm以下。
基材氧化物接合构造体金属玻璃组合物接合材料层接合材料半导体陶瓷金属化处理玻璃基材接合接合软钎料种基材换算

[发明专利]电子部件及其制法;以及其中使用的密封材料糊剂-CN201380041196.2有效
发明人：内藤孝;立薗信一;吉村圭;桥场裕司;儿玉一宗;宫城雅德;青柳拓也;泽井裕一;藤枝正;塚本武志;村上元 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及在2块透明基板之间具有有机构件,将所述2块透明基板的外周部用含低熔点玻璃的密封材料进行接合的电子部件,所述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷,换算成氧化物,满足下式(1)及(2)。密封材料糊剂,其是含有低熔点玻璃、树脂粘合剂与溶剂的密封材料糊剂,其特征在于,上述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷,换算成氧化物,满足下式(1)及(2)。由此,能够降低对电子部件内设的有机元件或有机材料的热损伤,有效地制造具有可靠性高的玻璃接合层的电子部件。V₂O₅+TeO₂+Fe₂O₃+P₂O₅≧90质量％…(1)V₂O₅>TeO₂>Fe₂O₃>P₂O₅(质量％)…(2)。
式( 1 )低熔点玻璃电子部件密封材料糊剂透明基板氧化钒氧化磷氧化铁氧化碲氧化物换算树脂粘合剂有机材料有机构件有机元件接合接合层热损伤外周部有效地溶剂制法玻璃制造

[发明专利]全固体离子二次电池-CN201380057926.8有效
发明人： 藤枝正;川治纯;青柳拓也;内藤孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高全固体离子二次电池的能量密度以及输出功率密度。为了达到上述目的,本发明是在正极活性物质层与负极活性物质层之间接合固体电解质层的全固体离子二次电池中,上述正极活性物质层与上述负极活性物质层的至少任何一种,是活性物质粒子与固体电解质粒介由具有离子传导性与强介电性的物质进行结合而形成。
固体离子二次电池

[发明专利]玻璃组合物、包含其的玻璃料、包含其的玻璃膏、及利用其的电气电子零件-CN201280031531.6有效
发明人：泽井裕一;内藤孝;青柳拓也;藤枝正 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C03C8/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种在和现有的低熔点铅玻璃同等以下的烧成温度可软化流动的无铅玻璃组合物。另外，本发明的目的在于，提供一种除该特性外，具有良好的热稳定性及良好的化学稳定性的无铅玻璃组合物。本发明的无铅玻璃组合物，其特征在于，在将成分以氧化物表示时至少含有Ag₂O、V₂O₅、和TeO₂，Ag₂O、V₂O₅、和TeO₂的合计含有率为75质量％以上。优选的是，含有10～60质量％的Ag₂O、5～65质量％的V₂O₅、和15～50质量％的TeO₂。
玻璃组合包含利用电气电子零件

[发明专利]固体电解质和使用其的全固体型离子二次电池-CN201380072205.4在审
发明人： 藤枝正;川治纯;青柳拓也;浅利裕介;内藤孝;泷泽博胤;林大和;中谷友哉 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：为了兼具耐还原性和高离子传导性，固体电解质具有由A_4-2x-y-zB_xSn_3-yM_yO_8-zN_z(1≤4－2x－y－z＜4，A：Li、Na，B：Mg、Ca、Sr、Ba，M：V、Nb、Ta，N：F、Cl)表示的结构的结晶。或者，具有由A_{2-1.5x-0.5y-0.5z}B_xSn_3-yM_yO_8-zN_z(0.5≤2－1.5x－0.5y－0.5z＜2，A：Mg、Ca，B：Sc、Y、Sb、Bi，M：V、Nb、Ta，N：F、Cl)表示的结构的结晶。
固体电解质使用离子二次电池

[发明专利]电子部件及其制法、密封材料糊、填料颗粒-CN201380053612.0在审
发明人：内藤孝;立园信一;吉村圭;桥场裕司;青柳拓也;宫城雅德;儿玉一宗;泽井裕一;藤枝正;塚本武志;村上元 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种电子部件，其具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于上述两个基板的外周部的接合部，上述接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒，上述低熔点玻璃含有氧化钒，上述填料颗粒含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，上述氧化物是分散于上述低热膨胀材料中的结构，上述低热膨胀材料的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10^-7/℃以下。由此，能够利用激光的照射进行填料颗粒的加热，能够得到具有可靠性高的接合部的电气部件。
电子部件及其制法密封材料填料颗粒

[发明专利]复合材料-CN201280061158.9有效
发明人：青柳拓也;内藤孝;藤枝正;泽井裕一;村上元;吉田博史;宫内昭浩;荻野雅彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：通过简单的工艺提高复合材料的机械强度。在具备树脂或橡胶，和氧化物玻璃的复合材料中，所述树脂或橡胶分散于所述氧化物玻璃中，或所述氧化物玻璃分散于所述树脂或橡胶中。该复合材料中，所述氧化物玻璃具有通过电磁波而软化流动的功能。
复合材料

[发明专利]接合体及半导体模块-CN201280060767.2在审
发明人：泽井裕一;内藤孝;青柳拓也;藤枝正;森睦宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明提供将金属、陶瓷、半导体任一种粘接的接合体，能够使接合体的粘接性和热传导性提高。接合体，将金属、陶瓷、半导体中任一种的第一部件和第二部件粘接而成，其经由设于所述第一部件的面的粘接部件粘接所述第二部件，所述粘接部件包含含有V2O5的玻璃和金属粒子。半导体模块，具备：基底金属、陶瓷基板、金属配线以及半导体芯片，其经由设于所述基底金属的面的第一粘接部件粘接所述陶瓷基板，经由设于所述陶瓷基板的面的第二粘接部件粘接所述金属配线，经由设于所述金属配线的面的第三粘接部件粘接所述半导体芯片，所述第一粘接部件、第二粘接部件以及第三粘接部件包含含有V2O5的玻璃和金属粒子。
接合半导体模块

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