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[发明专利]发光装置-CN202280019893.7在审
发明人：能势悠吾;薄田学;泽田昌幸;香山信三;竹本征人 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：在发光装置中，能够在不影响提供给光源元件的脉冲电流的波形的情况下检测发光电路部的故障。发光装置包括：包括光源元件(22)的发光电路部(20)、和向发光电路部(20)供给电荷的电源部(10)。发光电路部(20)设置在供电节点(n1)和接地节点(n2)之间。电源部(10)经由供电线(15)与供电节点(n1)相连接。监视部(30)通过监视供电线(15)的电压或电源部(10)的内部电压来检测发光电路部(20)的异常状态。
发光装置

[发明专利]成像装置-CN202180086143.7在审
发明人： 薄田学;香山信三;杉浦裕树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：利用使用了子范围法生成距离图像数据的成像装置，能够更高精度地对对象物的周围进行监视。关于跨越相邻的第一距离区和第二距离区而存在的对象物(OB)，求出在第一距离区的近前侧位置处的第一位置、在第一距离区与第二距离区之间的边界位置处的第二位置、以及表示在第二距离区的里侧位置处的位置的第三位置。然后，根据第二位置相对于连结第一位置与第三位置的直线的位置信息，生成对象物(OB)的位置数据。
成像装置

[发明专利]测距成像系统、测距成像方法和程序-CN202080022206.8有效
发明人： 薄田学;香山信三;小田川明弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：本公开所解决的问题是获得将亮度信息和距离信息彼此相关联的数据。测距成像系统(1)包括：第一获取单元(21)，从成像单元(4)获取指示第一亮度图像的信息的第一亮度信息；第二获取单元(22)，从测距单元(5)获取指示第一距离图像的信息的第一距离信息；第三获取单元(23)，从检测单元(6)获取指示第二亮度图像的信息的第二亮度信息，并且获取指示第二距离图像的信息的第二距离信息；以及计算单元(3)。成像单元(4)获取目标空间(S1)的第一亮度图像。测距单元(5)获取对到存在于目标空间(S1)中的对象(O1)的距离加以指示的第一距离图像。在同轴光学系统中，检测单元(6)获取目标空间(S1)的第二亮度图像，并且获取对到存在于目标空间中的物体(O1)的距离加以指示的第二距离图像(S1)。计算单元(3)执行：在第一亮度信息与第二亮度信息之间建立关联的处理以及在第一距离信息与第二距离信息之间建立关联的处理。
测距成像系统方法程序

[发明专利]固体摄像元件及摄像装置-CN201880033053.X有效
发明人：春日繁孝;薄田学;中西贤太郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像元件(100)具备以矩阵状配置有多个像素单元(10)的像素阵列；各像素单元(10)具备雪崩光电二极管(1)、蓄积电荷的浮动扩散部(2)、将雪崩光电二极管(1)的阴极与浮动扩散部(2)连接的传输晶体管(3)、用于将集电于雪崩光电二极管(1)的阴极的电荷复位的第1复位晶体管(4)、用于将蓄积在浮动扩散部(2)中的电荷复位的第2复位晶体管(5)、用于将蓄积在浮动扩散部(2)中的电荷的电荷量变换为电压的放大晶体管(6)、蓄积电荷的存储部(7)、以及将浮动扩散部(2)与存储部(7)连接的计数晶体管(8)。
固体摄像元件装置

[发明专利]光电二极管、光电二极管阵列、以及固体摄像元件-CN201580040471.8有效
发明人：坂田祐辅;薄田学;森三佳;广濑裕;加藤刚久 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P‑型半导体层(11)；在P‑型半导体层(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区域(12)；在P‑型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P‑型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P‑型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。
半导体区域半导体层光电二极管雪崩区域光电二极管阵列固体摄像元件光电转换电荷面积比浓度比倍增配置

[发明专利]固体摄像元件-CN201680051341.9在审
发明人：坂田祐辅;薄田学;森三佳;加藤刚久 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像元件具备P型的基板(11)和布线层(17)，基板(11)具备N型半导体区域(12)，被配置于第1主面(S1)，从第1主面(S1)向第2主面(S2)的方向延伸；N型半导体区域(13)，被配置于第2主面(S2)与N型半导体区域(12)之间并与N型半导体区域(12)连接；P型半导体区域(14)，被配置于第2主面(S2)与像素(1)以及像素(2)的N型半导体区域(13)之间；N型阱(15)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(12)与像素(2)的N型半导体区域(12)之间且第1主面(S1)；像素电路，被配置于N型阱(15)内；和像素间分离区域(32)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(13)与像素(2)的N型半导体区域(13)之间。N型半导体区域(13)和P型半导体区域(14)形成雪崩倍增区域(AM)。
固体摄像元件

[发明专利]半导体光检测器-CN201380066623.2在审
发明人： 薄田学;广濑裕;加藤刚久;寺西信一 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光检测器，通过与以往相比大幅减小暗噪声和倍增噪声，从而能够检测包含随机光在内的微弱光。半导体光检测器至少具有1个单位像素，该单位像素具有光电变换部、电荷积蓄部、以及检测电路。电荷积蓄部对入射光进行光电变换，并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域。电荷积蓄部与光电变换部连接，积蓄来自光电变换部的信号电荷。检测电路与电荷积蓄部连接，将电荷积蓄部中积蓄的信号电荷变换为电压，通过放大部进行放大后输出。
半导体检测器

[发明专利]固体摄像元件以及摄像装置-CN201280031195.5有效
发明人： 薄田学;斋藤繁;田中圭介;小野泽和利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：在本发明的固体摄像元件，单位像素（3）的聚光元件（11）具有以射入单位像素（3）的受光元件（14）的光的波长以下的线宽被分离的、以相对于聚光元件（11）的受光面垂直方向的轴为中心的同心结构的多个光透过膜（33），并具有由多个光透过膜（33）的组合所控制的有效折射率分布，同心结构的多个光透过膜（33）的外缘的形状在受光面上为，与同心结构的中心最近的光透过膜（33）呈正圆、与同心结构的中心远离的光透过膜（33）呈椭圆，椭圆的长轴相对于短轴的比率为，越是与同心结构的中心远离的光透过膜（33）的外缘的形状比率越高，多个单位像素（3）各自的椭圆的长轴方向，在受光面上与连接多个单位像素各自的同心结构的中心和固体摄像元件的中心的矢量相正交。
固体摄像元件以及装置

[发明专利]立体摄像装置-CN201280015564.1有效
发明人： 薄田学;小野泽和利;藤原一夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：立体摄像装置(100)具备：第一摄像机(C1)，生成用于计算表示被摄体的立体形状的第一距离图像的基准图像；第二摄像机(C2)，生成用于计算第一距离图像的参考图像；立体匹配部(3)，搜索基准图像与参考图像之间的对应像素，根据该对应像素计算视差，生成第一距离图像；以及光源(1)，向被摄体照射强度调制后的红外光，第一摄像机(C1)，将由被摄体反射的、强度调制后的红外光的反射光，与该强度调制同步来接受，从而还生成包含距被摄体的反射点的距离信息的第二距离图像。
立体摄像装置

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN200980103286.3无效
发明人：泷泽俊幸;上田哲三;薄田学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-02-02 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。
氮化物半导体发光装置

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