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[发明专利]一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构-CN201510196111.9有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;敦少博;徐鹏;宋旭波;周幸叶;谭鑫;顾国栋;郭红雨;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构，涉及半导体器件技术领域；通过采用离子注入或挖槽技术实现沟道层上栅电极正下方区域沿栅电极的宽度方向沟道浓度单调递增，有效增加了栅控晶体管的线性度。本发明结构应用于栅控晶体管，相比于前馈法和功率回退法，简化了电路结构和体积，提高了栅控晶体管的输出功率和效率，方法简便，可靠性高。
一种提高晶体管线性方法及其结构

[发明专利]降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法-CN201510285256.6在审
发明人：房玉龙;尹甲运;冯志红;张志荣;刘波;敦少博;吕元杰;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法，涉及场效应管技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO₂层；3）在漏源欧姆区域刻蚀SiO₂层至势垒层的上表面；4）在源漏欧姆区域刻蚀GaN材料，刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下，而后使用高温退火炉在纯氮气氛或真空气氛中进行退火处理；5）在源漏欧姆区域二次外延n型重掺杂GaN材料；6）腐蚀掉势垒层上表面剩余的SiO₂。所述方法改善了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的接触电阻。
降低 gan 极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻方法

[实用新型]一种微波器件测试用扭环-CN201420655369.1有效
发明人：李亮;默江辉;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本实用新型采用了带有网纹结构的聚四氟乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳定性、准确性及无损性，其制作成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。
一种微波器件测试用扭环

[实用新型]微波器件可靠性测试装置-CN201420586805.4有效
发明人：李亮;默江辉;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波器件可靠性测试装置，涉及测量电变量的装置技术领域。所述装置包括管壳、第一滤波电容和第二滤波电容，所述第一滤波电容和第二滤波电容位于所述管壳内，管壳外设有管壳输入端子和管壳输出端子，所述第一滤波电容和第二滤波电容的一端与所述管壳输入端子连接，微波器件管芯的一端与管壳输入端子连接，微波器件管芯的另一端与管壳输出端子连接。在进行微波器件可靠性测试时，将所述装置连接入微波器件，成功消除了微波器件可靠性测试过程中的自激现象，同时由于采用了烧结工艺及芯片滤波电容，保证微波器件可工作在高温状态，可开展高温加速寿命试验。
微波器件可靠性测试装置

[实用新型]毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统-CN201420587405.5有效
发明人：默江辉;杨中月;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统，涉及测量电变量的装置技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述直流馈电模块包括铜支撑件、四个侧面铜片以及四个穿心电容。所述系统基于常规测试夹具，设计并制作了单片电路芯片的在片测试模块，使用该模块，在可靠性试验前后可对单片电路芯片进行微波测试，具有成本低，易实现，使用方便的特点。
毫米波单片电路芯片可靠性测试系统

[实用新型]一种微波器件测试用压紧装置-CN201420602752.0有效
发明人：默江辉;杨中月;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能够保证微波器件在测试过程中与微带线始终压紧，保证微波器件测试的稳定性和准确性，以及微波器件的无损性，本实用新型结构简单、成本低廉、通用性强、易于实现，保证了相关科研生产顺利进行。
一种微波器件测试压紧装置

[发明专利]一种微波器件测试用压紧装置-CN201410553420.2在审
发明人：默江辉;杨中月;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本发明能够保证微波器件在测试过程中与微带线始终压紧，保证微波器件测试的稳定性和准确性，以及微波器件的无损性，本发明结构简单、成本低廉、通用性强、易于实现，保证了相关科研生产顺利进行。
一种微波器件测试压紧装置

[发明专利]采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法-CN201310635523.9无效
发明人：刘波;冯志红;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在Si衬底上生长SiGeC缓冲层；2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层。所述方法在Si衬底上外延生长GaN材料时，能改善GaN材料的应力状态，降低位错密度，提高晶体质量；同时增大GaN材料的生长窗口，使外延生长更容易，进而减低工艺难度，改善器件的性能。
采用 sigec 缓冲 si 衬底生长 gan 方法

[发明专利]InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法-CN201310640281.2无效
发明人：刘波;冯志红;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在衬底上生长氮化物材料结构；2）在氮化物材料结构上生长InAlN材料层；3）在InAlN材料层上生长InGaN材料盖帽层。通过所述方法在进行InAlN基器件欧姆接触制作时，能降低退火温度，改善金属电极的表面质量，提高器件的质量；同时盖帽层同材料外延一起生长，既改善器件的性能，又对器件工艺没有影响。
ingan 盖帽实现 inaln 器件低温欧姆接触方法

[发明专利]一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路-CN201310126704.9有效
发明人：默江辉;马杰;李亮;杨中月;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路，涉及波导型耦合器件技术领域。输入耦合电路的输入端依次经第一级输入耦合微带线、第一级输入3dB电桥、第二级输入3dB电桥、第二级输入耦合微带线与输入端匹配网络电路连接，所述输入耦合电路的输入端为所述多级3dB电桥电路的输入端，所述输入端匹配网络电路的输出端与场效应管的栅极连接，所述场效应管的漏极依次经输出端匹配网络电路、第二级输出耦合微带线、第二级输出3dB电桥、第一级输出3dB电桥与第一级输出耦合微带线连接，第一级输出耦合微带线连接后作为所述多级3dB电桥电路的输出端。所述电路具有工作稳定，可用于制作大功率微波模块。
一种用于大功率合成多级 db 电桥电路

[实用新型]一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路-CN201320183549.X有效
发明人：默江辉;马杰;李亮;杨中月;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路，涉及波导型耦合器件技术领域。输入耦合电路的输入端依次经第一级输入耦合微带线、第一级输入3dB电桥、第二级输入3dB电桥、第二级输入耦合微带线与输入端匹配网络电路连接，所述输入耦合电路的输入端为所述多级3dB电桥电路的输入端，所述输入端匹配网络电路的输出端与场效应管的栅极连接，所述场效应管的漏极依次经输出端匹配网络电路、第二级输出耦合微带线、第二级输出3dB电桥、第一级输出3dB电桥与第一级输出耦合微带线连接，第一级输出耦合微带线连接后作为所述多级3dB电桥电路的输出端。所述电路具有工作稳定，可用于制作大功率微波模块。
一种用于大功率合成多级 db 电桥电路

[发明专利]GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法-CN201310151866.8在审
发明人：刘波;冯志红;张雄文;敦少博;尹甲运;邢东;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者氢化物气相外延（HVPE）生长系统在GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层外延生长三族氮化物，进而开展GaN基微电子和光电子器件结构的外延生长。利用本发明方法制作的GaAs衬底三族氮化物外延材料位错密度大大降低，提高了外延材料的晶体质量，同时由于GaAs衬底价格低廉，工艺成熟，本发明也提高了GaAs衬底GaN基外延材料的实用性。
gaas 衬底采用 algainn 缓冲生长氮化物方法

[实用新型]一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统-CN201220433637.6有效
发明人：默江辉;李静强;马杰;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统，属于半导体芯片直流性能的测试方法领域。本实用新型包括用于提供直流电源的栅极电源和漏极电源、栅极电流表和漏极电流表、测试信号发生器、测试信号调制器以及用于放置目标测试芯片的探针台。本实用新型利用现有的成熟设备搭建了一个测试平台，用简单的方法实现了宽禁带半导体芯片的直流性能测试，该测试系统成本低，便于操作和维护，性能稳定，可靠性高，同时降低了宽禁带半导体芯片的制作成本，提高了宽禁带半导体芯片的测试效率，为宽禁带半导体芯片特性的表征积累了宝贵数据，为宽禁带半导体器件性能的提高提供了可靠保障。
一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统

[发明专利]一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统-CN201210312040.0无效
发明人：默江辉;李静强;马杰;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统，属于半导体芯片直流性能的测试方法领域。本发明包括用于提供直流电源的栅极电源和漏极电源、栅极电流表和漏极电流表、测试信号发生器、测试信号调制器以及用于放置目标测试芯片的探针台。本发明利用现有的成熟设备搭建了一个测试平台，用简单的方法实现了宽禁带半导体芯片的直流性能测试，该测试系统成本低，便于操作和维护，性能稳定，可靠性高，同时降低了宽禁带半导体芯片的制作成本，提高了宽禁带半导体芯片的测试效率，为宽禁带半导体芯片特性的表征积累了宝贵数据，为宽禁带半导体器件性能的提高提供了可靠保障。
一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统

[发明专利]一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法-CN201210094978.X有效
发明人：默江辉;李静强;马杰;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法，属于半导体芯片封装外壳性能的测试方法领域。本发明制作了陶瓷介质基片微带电路、PCB微带线和微波测试夹具，并利用微波测试模块、直流偏置模块与微波测试夹具相配合对PCB微带线、陶瓷介质基片微带电路以及目标封装外壳及其组合进行微波性能测试，对测试结果进行处理后得到目标封装外壳的微波性能参数。本发明用简单的方法实现了封装外壳的微波性能测试，降低了封装外壳的制作成本，提高了封装外壳的测试效率，同时为封装外壳特性的表征积累了宝贵数据，为半导体微波功率器件性能的提高提供了可靠保障；且本发明的测试方法模拟了封装外壳的使用环境，提高了测试结果精确度。
一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法