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[实用新型]一种基于SOI衬底的TVS器件-CN201922160191.9有效
发明人： 蒋骞苑;苏海伟;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于SOI衬底的TVS器件，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N‑区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N‑区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+/P‑/N‑区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NW/P+区构成TVS管。本实用新型基于SOI衬底的TVS器件大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。
一种基于 soi 衬底 tvs 器件

[发明专利]一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件-CN202010107388.0在审
发明人：吕海凤;赵德益;王允;张啸;蒋骞苑 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件，包括可控硅模块、二极管模块，可控硅模块与二极管模块形成于硅衬底的异质外延层上，可控硅模块与二极管模块分别采用深槽DTI隔离。本发明产品解决了集成二极管的可控硅器件钳位电压高的问题，获得一种在同等面积和同等电容下，钳位电压更低的器件。
一种低钳位内嵌降容二极管新型可控硅器件

[发明专利]一种基于P-型SOI衬底的TVS保护器件及其制造方法-CN202010007112.5在审
发明人： 蒋骞苑;苏海伟;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明一种基于P‑型SOI衬底的TVS保护器件，采用P‑型SOI衬底硅片，由金属框架封装，P‑型SOI衬底自下而上包括P‑衬底、氧化埋层和P‑层，有IO端、VCC端、接地端三端，可以同时保护电路中的IO信号端和电源VCC端，P‑层上的降电容二极管一、二由正面的P‑/N‑结形成，主TVS8管由背面的三个N+/P‑衬底阵列形成。本发明在正面和背面同时制作器件，因此单个器件的版图面积较小，有利于提高产量，降低成本，二个降电容二极管具有很低的电容值并彻底消除了衬底寄生电容，更适合在高频接口如HDMI2.0、USB3.0等高速端口使用。背面的TVS管能够通过更大的浪涌电流。
一种基于 soi 衬底 tvs 保护器件及其制造方法

[实用新型]一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件-CN201921723357.7有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;李亚文 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件，包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离，本发提出的TVS器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
一种低残压大浪涌单向 tvs 器件

[发明专利]一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法-CN201911234851.1在审
发明人： 蒋骞苑;苏海伟;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法，所述的TVS器件基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N‑区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N‑区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+/P‑/N‑区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NW/P+区构成TVS管。本发明还提供了上述TVS器件的制造方法。本发明TVS器件产品大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。
二氧化硅深槽二氧化硅埋层钳位电压电容二极管漏电常规产品基本单元寄生电阻器件产品槽隔离低电容隔离层衬底减小浅槽制造体内

[发明专利]一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件-CN201910965446.0在审
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;蒋骞苑;张啸;王允;赵志方 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
可控硅结构半导体主体表面结触发阳极触发电压触发结构金属连接维持电压三极管击穿隔离

[发明专利]一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法-CN201910965917.8在审
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;张利明 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件及其制造方法，由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该管子和PNPN管子并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
正向导通二极管导向管管子残压低容阳极导通特性动态电阻控制栅极通流能力并联触发短接回扫容管闩锁制造

[发明专利]一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法-CN201910966060.1在审
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;张利明 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
击穿衬底被保护器件峰值电流击穿电压钳位电压深槽隔离正向导通漏电流残压大浪负向制造安全

[实用新型]一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件-CN201820078931.7有效
发明人：吕海凤;赵德益;苏海伟;赵志方;王允;张啸;苏亚兵;蒋骞苑;霍田佳 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型低触发电压的双向SCR半导体保护器件，用于防护核心电路输入/输出端、正电源端和负电源端之间的静电放电，其包括：一种衬底；形成在该衬底上方的多个P型阱区域和N型阱区域以及形成在阱区上的重掺杂区，由这些阱区和掺杂区构成了双向三极管器件和双向SCR器件，两种器件以并联方式连接在被保护的端口之间。本实用新型所形成的双向SCR器件结构简单，工艺层次少，可集成在CMOS工艺、BICMOS工艺、BCD工艺中；可通过调整关键注入区的浓度获得较低的完全对称的双向触发电压；所形成的双向半导体器件从输入端到输出端存在两条泄放大电流的路径，在相同的面积下提高了器件的抗浪涌能力。
半导体保护器件本实用新型触发电压衬底阱区双向半导体器件输入/输出端双向三极管并联方式负电源端核心电路静电放电器件结构双向触发正电源端重掺杂区掺杂区抗浪涌可集成输出端输入端注入区对称放大防护

[实用新型]一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件-CN201821777206.5有效
发明人：王允;赵德益;苏海伟;叶毓明;杜牧涵;苏亚兵;冯星星;吴青青;张利明;蒋骞苑;赵志方 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本实用新型的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
衬底材料背面阳极短路结构本实用新型可控硅负阻双门电路电荷泄放互连金属器件结构区域位置并联残压正向金属表现

[实用新型]一种带负阻特性的单向TVS器件-CN201821183328.1有效
发明人：王允;苏海伟;赵德益;赵志方;张啸;吕海凤;霍田佳;杜牧涵;苏亚兵;蒋骞苑 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本实用新型通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。
第一区域第二区域背面扩散区本实用新型负阻特性瞬态电压抑制二极管表面状态位置保护氧化工艺漏电流短路耗电衬底功耗击穿深槽体内占据

[实用新型]一种大浪涌单向TVS器件-CN201821258814.5有效
发明人： 蒋骞苑;王允;苏海伟;赵德益;杜牧涵;赵志方;张彩霞;徐亚静;冯星星;吴青青;张利明 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本实用新型通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。
背面寄生NPN晶体管本实用新型衬底硅片大浪短接绝缘介质层阳极金属阴极金属衬底片发射极集成度接触孔体积小浪涌金属

[实用新型]一种大功率单向TVS器件-CN201821258225.7有效
发明人： 蒋骞苑;王允;苏海伟;赵德益;叶毓明;李亚文;赵志方;何鑫鑫;张利明;吴青青;冯星星 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本实用新型通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。
硅片背面接触孔背面本实用新型版图设计阳极金属阴极金属硅片硅片正面环状结构浪涌电流钳位电压无介质层中心区域短接版面芯片

[实用新型]一种N衬底单向骤回TVS器件-CN201821296131.9有效
发明人：王允;蒋骞苑;赵德益;苏海伟;叶毓明;赵志方;冯星星;吴青青;张利明;周显华 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司;中兴通讯股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本实用新型增加了背面浅槽，通过背面挖浅槽后氧化和填充工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，更换上芯工艺为刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险；本实用新型浅槽工艺更利于背面填平，能够降低刷胶难度和对设备的损耗，提高上芯效率；本实用新型通过开发新型胶水，避免浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性；本实用新型浅槽填充可选填充物可满足客户对RoHS和PB free要求。
本实用新型背面衬底浅槽填充短路基岛上芯刷胶绝缘材料填充物背面氧化层产品稳定性填充物浪涌冲击毛刺问题浅槽结构位置保护新型胶水溢胶问题对设备粘合爆管可选填平侧面客户开发

[发明专利]一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法-CN201811283080.0在审
发明人：王允;赵德益;苏海伟;叶毓明;杜牧涵;苏亚兵;冯星星;吴青青;张利明;蒋骞苑;赵志方 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件及其制备方法，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本发明的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。
衬底材料背面阳极短路结构可控硅负阻双门制备电路电荷泄放互连金属器件结构区域位置并联残压正向金属表现