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[发明专利]化合物、聚合物、聚合物半导体材料及有机薄膜晶体管-CN201210156162.5有效
发明人： 耿延候;陈亚刚;邓云峰;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明提供了具有式（I）结构的化合物及具有式（II）结构的聚合物。本发明提供的具有式（II）结构的聚合物的制备方法为在惰性气体保护下，将具有式（I）结构的化合物与聚合单体在催化剂及辅助配体作用下生成聚合物。本发明还提供了一种由所述聚合物构成的聚合物半导体材料及一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管电荷传输层为所述的聚合物半导体材料。本发明中，具有式（II）结构的聚合物具有良好的线性结构，提高了所述聚合物的共轭程度，从而保证了由其构成的聚合物半导体材料具有较好的迁移率。本发明提供的基于含N、S两种杂原子的化合物的聚合物在有机溶剂中具有良好的溶解性。
化合物聚合物半导体材料有机薄膜晶体管

[发明专利]用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层-CN201010605569.2有效
发明人：闫东航;耿延候;田洪坤;黄丽珍;申剑锋;郭晓东 -专利权人：上海中科联和显示技术有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层以及在该固熔体诱导层上弱外延生长形成的非平面酞菁薄膜及包含该非平面酞菁薄膜的有机薄膜晶体管。固熔体诱导层是由通式I和II所示种的任意两种诱导层分子：(通式I)(通式II)在一定的衬底温度下采用共蒸镀的分子气相沉积方法制成。该固熔体诱导层具有均一结构，其晶胞参数和能级通过调节组分比例进行调控，该固熔体诱导层可弱外延生长高质量的非平面酞菁薄膜以及形成基于此薄膜的高性能晶体管器件。
用于平面薄膜外延生长固熔体诱导

[发明专利]一种芳香共轭聚合物的制备方法-CN201110317231.1有效
发明人： 耿延候;隋爱国 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种芳香共轭聚合物的制备方法，包括以下步骤：第一卤代芳香格氏试剂单体在催化剂的作用下发生缩聚反应，得到芳香共轭聚合物，所述催化剂由二价镍化合物和有机膦配体组成，所述二价镍化合物与所述有机膦配体的摩尔比为1∶(0.5～3)；所述二价镍化合物为二氯化镍、二溴化镍、乙酰丙酮镍、乙酸镍或高氯酸镍；所述第一卤代芳香格氏试剂单体具有式(I)结构：X1-Q1-MgX2(I)；其中，X1、X2独立地选自卤素；Q1为芳香基或取代芳香基。本发明提供的催化剂制备方法简单，并且在溶剂中具有良好的溶解性，能够同时引发聚合链的反应，可以获得分子量可控且分子量分布较窄的芳香共轭均聚物或芳香共轭嵌段共聚物。
一种芳香共轭聚合物制备方法

[发明专利]聚合物半导体材料和有机薄膜晶体管-CN201110088350.4有效
发明人： 耿延候;陈亚刚;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有式(I)结构的化合物、聚合物及聚合物半导体材料，本发明通过引入N原子，并在N原子上引入烷基链，从而使本发明提供的基于含N、S两种杂原子的化合物的聚合物在有机溶剂中具有良好的溶解性。此外，本发明提供的化合物具有位于化合物两端的噻吩环，可以有效降低基于含N、S两种杂原子的化合物的聚合物中相邻单元间位阻，提高聚合物共轭程度，从而保证了使用该聚合物半导体材料的有机薄膜晶体管具有较高的迁移率。本发明还提供一种使用该聚合物半导体材料的有机薄膜晶体管，实验结果表明，本发明提供的有机薄膜晶体管迁移率为0.073cm²/V·s。
聚合物半导体材料有机薄膜晶体管

[发明专利]酞菁化合物及有机薄膜晶体管-CN201010520550.8有效
发明人： 耿延候;田洪坤;董少强 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种酞菁化合物及有机薄膜晶体管，本发明向酞菁核周边的四个苯环上各引入一个烷基起到改善溶解性的作用；并且，四个烷基位于非外围位置，可以将烷基对酞菁核在薄膜中的排列方式的影响降到最低，以实现高的场效应迁移率；此外，中心配体金属原子钛或钒能够调节四烷基取代酞菁的电子结构，烷基、中心配体金属原子的协同效应调控四烷基取代酞菁薄膜的堆积方式，使有机薄膜晶体管的半导体层中酞菁分子的刚性平面垂直于基板排列。本发明提供的酞菁化合物丰富了酞菁化合物的种类，并获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。实验结果表明，本发明提供的有机薄膜晶体管中的半导体层的载流子迁移率达到0.2cm2/V·s。
化合物有机薄膜晶体管

[发明专利]一种有机半导体材料及使用该材料的有机薄膜晶体管-CN201010118172.0无效
发明人： 耿延候;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化合物，选择含有硫原子的平面刚性梯形分子s-引达省并[1，2-b：5，6-b′]二噻吩为核，借助π电子云的相互重叠及硫原子间的弱相互作用实现分子间的强相互作用；在梯形核的径向引入强吸电子的二氰乙烯基以降低分子的最高未被占分子轨道能级同时拓展分子在径向的共轭程度，以实现电子的有效注入和传输；在梯形核的末端引入烷基以提高分子在成膜过程中的自组织能力，实现高有序薄膜，从而应用于有机薄膜晶体管中。实验表明，利用本发明提供的化合物构成的有机半导体材料的电子迁移率为0.33cm2/V.s，比现有技术提供的有机半导体材料的电子迁移率有很大提高。
一种有机半导体材料使用材料薄膜晶体管

[发明专利]一种并联结构的叠层聚合物薄膜太阳能电池-CN200810051527.1有效
发明人：谢志元;郭晓阳;刘凤敏;耿延候;岳威;屈瑶;王利祥 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种并联结构叠层聚合物太阳能电池。该太阳能电池采用高功函数金属金、银作为半透明阳极提取空穴。阳极两侧采用用p型金属氧化物三氧化钼或氧化钨作为空穴传输层连接上下子电池光敏层构建内建电场，提高载流子收集效率。叠层电池中的上下两个子电池的光敏层分别为吸收范围不同的共轭聚合物与富勒烯衍生物组成的混合物。两个子电池以并联的方式连接，叠层太阳能电池的短路电流密度为上下两子电池短路电流密度之和。该叠层聚合物薄膜太阳能电池通过采用吸收范围不同的共轭聚合物有效地改善了对太阳光的有效吸收并实现了短路电流的有效提高至15毫安/平方厘米，从而提高了聚合物薄膜太阳能电池的能量转换效率最高至3.36％。
一种并联结构聚合物薄膜太阳能电池

[发明专利]含二噻吩并吡咯的给体-受体型共轭聚合物及制法和应用-CN200810051496.X无效
发明人： 耿延候;岳威 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含二噻吩并吡咯的给体-受体型共轭聚合物及其制法和应用。采用给体—受体共聚的构造方式来制备共轭聚合物，使其吸收光谱红移，覆盖紫外可见及近红外区以充分利用太阳光。给体选用了二噻吩并吡咯这种平面性好、电子云密度高且容易制备的构造单元。所述的轭聚合物制备方法简单，吸收光谱位于紫外可见及近红外区300-1000nm，能量转化效率高达3％。制备的太阳能电池器件性能分别为：白光(光强度100mW/cm²)照射下，开路电压＝0.37-0.54V；短路电流＝6.69-13.8mA/cm²；填充因子＝0.35-0.44；能量转化效率＝1-3％。
噻吩吡咯受体共轭聚合物制法应用

[发明专利]可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用-CN200810050658.8无效
发明人：田洪坤;董少强;耿延候 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用。采用可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管源/漏电极间的半导体层(5)；所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价或三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接，酞菁周边的四个苯环被四个碳原子数目为4－18的直链或支化链的烷烃取代。所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物采用溶液加工方法制备高品质的薄膜。这些薄膜的载流子迁移率在10^－3－1cm²/Vs，开关比大于10³，能级可控，且性能稳定，容易集成加工。
可溶性烷基轴向取代化合物制备有机薄膜晶体管中的应用

[发明专利]可溶性四烷基酞菁化合物及其制备方法-CN200810050479.4无效
发明人： 耿延候;田洪坤;董少强 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明涉及可溶性四烷基酞菁化合物及其制备方法。该可溶性四烷基酞菁化合物符合如下结构通式：结构通式中，Rn代表直链或支化链的烷烃，n代表直链或支化链的烷烃的数目，M代表二价或二价以上的中心配体，L代表轴向配体，X代表L的数目。上述的可溶性四烷基酞菁化合物采用4－烷基邻苯二腈为起始原料的合成路线制备，在有机溶剂中具有良好的溶解性，使该可溶性四烷基酞菁化合物具有可溶液加工的特性，在光电子材料和信息技术领域具有潜在的应用。
可溶性烷基化合物及其制备方法

[发明专利]以9,10－二芳基蒽为重复单元的可溶性共轭聚合物及其制备方法-CN200710306653.2无效
发明人： 耿延候;崔维斌 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明涉及以9，10－二芳基蒽为重复单元的系列可溶性共轭聚合物及其制备方法。本发明以刚性平面性较好的蒽为核心，在其9，10位引入多种芳香基团，以此来提高溶解性和实现对分子光电性能的调控，成功的获得系列以9，10－二芳基蒽为重复单元的可溶性共轭聚合物。将本发明方法制备的聚合物作为发光层通过溶液加工(旋涂)的方法成功地应用于有机发光二极管器件上，发光效率0.8cd/A，最大亮度2498cd/m²，色坐标(0.27，0.53)。将本发明方法制备的聚合物作为有源层通过溶液加工(旋涂)的方法成功地应用于场效应晶体管上，场致迁移率介于10^－5－10^－1cm²/V.s。
10 二芳基蒽重复单元可溶性共轭聚合物及其制备方法

[发明专利]一种聚(9,9－二烷基芴)的制备方法-CN200710055796.0无效
发明人： 耿延候;黄鹂;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明属于光电子材料和信息技术领域，本发明在于提供一种制备聚(9，9－二烷基芴)的新方法，涉及2，7－二卤代－9，9－二取代芴在无机电解质存在下与有机镁试剂反应足够长时间，得到聚合单体2－卤素－7－卤′化镁－9，9－二烷基芴，加入一种二价镍催化剂使聚合反应发生，经过足够长的时间即可得到聚(9，9－二烷基芴)。本发明提供的制备聚(9，9－二烷基芴)的方法反应条件温和，可以获得高分子量，通过控制催化剂和聚合单体的投料比可以调控分子量的大小(M_n为53,000－110,000)；聚合度在1.5左右，具有窄分布的特点；加入反应中止剂，淬灭分子链末端的反应活性中心，用甲醇即可去除反应副产物和催化剂，易于提纯。
一种烷基制备方法

[发明专利]一种分子分散型白光高分子材料及其制备方法-CN200610017026.2有效
发明人：王利祥;刘俊;陈磊;程延祥;耿延候 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C08G61/00 文献下载
摘要：本发明属于分子分散型白光高分子材料及其制备技术领域。根据“蓝光+橙光合成白光”的原理，发挥单一高分子能够实现颜色稳定高效白光发射的突出优点，通过在深蓝光高分子主体中以共价键的方式同时引入浅蓝光掺杂剂单元和橙光掺杂剂单元，实现浅蓝光掺杂剂单元和橙光掺杂剂单元在深蓝光高分子主体中的分子水平分散，构造出一类分子分散型白光高分子材料。可以用于电致发光器件、平板显示器件、背景电源、照明光源等领域。
一种分子分散白光高分子材料及其制备方法

[发明专利]以9,10－二炔蒽为构造单元系列可溶性齐聚物及制备方法-CN200610016677.X有效
发明人： 耿延候;崔维斌 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C07C15/56 文献下载
摘要：本发明属于光电子材料技术领域，涉及以9，10－二炔蒽为构造单元系列可溶性齐聚物及其制备方法。以9，10－二炔蒽为构造单元系列可溶性齐聚物具有如右式结构，其中R₁和R₂为C_mH_2m+1 (m＝6－12)，并且R₁和R₂具有以下关系：R₁＝R₂或R₁≠R₂。不同重复单元的R₁(R₂)基团可以相同，也可以不同。将本发明方法制备的齐聚物作为有源层通过溶液加工(旋涂)的方法成功地应用于有机场效应晶体管器件上，获得场致迁移率为(3.0－5.0)×10^－3cm²V^－1s^－1的器件。
10 二炔蒽构造单元系列可溶性齐聚制备方法

[发明专利]稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途-CN200510119064.4有效
发明人： 耿延候;田洪坤;史建武 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C07D409/14 文献下载
摘要：本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A)其中为包括以下结构通式的基团：[见式(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)]，其中X＝S，C＝C，Y＝C、N为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等；在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，作为传输层应用于有机薄膜晶体管，制备的器件在空气中稳定。
单元齐聚噻吩迁移率有机半导体材料用途