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- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310492394.6有效
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罗荣峰;熊内隆宏
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长鑫存储技术有限公司
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2023-05-05
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2023-07-21
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H10B12/00
- 本公开涉及半导体技术领域,提供了一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括:衬底,包括阵列区和外围区;阵列区具有第一晶体管,外围区具有第二晶体管;电容器,位于阵列区的衬底上;电容器的下电极与第一晶体管连接;第一接触柱,位于电容器上;第一接触柱与电容器的上电极连接;接触结构,位于外围区的衬底上,包括:依次堆叠的第二接触柱和第三接触柱;第二接触柱与第二晶体管连接,第三接触柱与第二接触柱接触;沿垂直于衬底平面所在的方向,第二接触柱的尺寸和电容器的尺寸基本相同。这样改善外围区接触结构的均匀性以及多个接触结构之间的一致性。
- 半导体器件及其制备方法
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