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[发明专利]一种PCB板-CN201510159049.6有效
发明人： 瞿力文 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种PCB板，涉及电子产品领域，用于减少DDR布线在PCB上的布线面积。本发明中PCB板为两层，PCB板包括SOC与两组DDR之间管脚连接的信号线，SOC的DDR IP管脚中第一组管脚和第二组管脚分别位于第三组管脚的两侧；两组DDR的管脚分别对应第一组管脚和第二组管脚，且两组DDR的DQ管脚和ADDR管脚中，DQ管脚靠近SOC的DDR IP管脚，两组DDR分别位于PCB板的不同层，两组DDR的ADDR相互连接、CMD相互连接和CLK相互连接，并通过位于两组DDR管脚在同一水平面上的投影之间的信号线分别与第三组管脚中ADDR、CMD和CLK连接。本发明应用于电子产品中。
一种 pcb

[发明专利]调整DDR线序的方法以及系统-CN201310567387.4无效
发明人： 瞿力文;陈玉柱 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G06F11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种调整双倍数据率同步动态随机存取存储器DDR线序的方法以及系统。所述方法包括：获取与片上系统SoC连接的所述DDR的线序，所述DDR的线序为所述DDR连接至印刷电路板PCB上的引脚对应的信号顺序；以及根据所述DDR的线序，调整所述SoC的引脚对应的信号顺序，使得所述SoC的引脚与所述DDR的引脚通过所述PCB直连，也就是说可以保证在SoC与DDR连通时不管是SoC的封装走线还是PCB的走线都能够顺畅、没有交叉，从而可以保证板级时序与信号质量为最优。
调整 ddr 方法以及系统

[发明专利]双倍速率同步动态随机存储器稳定性测试的方法及系统-CN201210160491.7有效
发明人： 瞿力文;陈玉柱 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种双倍速率同步动态随机存储器稳定性测试的方法及系统，可以根据预先设定的测试模式，使用随机同步噪声码流，通过缓冲区对DDR进行稳定性测试并生成测试结果。由于随机同步噪声码流与业务数据相比可以给DDR带来更大的工作压力，因此本发明可以有效提高DDR稳定性测试的有效性。另一方面，本发明的测试方法不用再进行高低温拷机，可以在短时间内完成测试，提高了测试效率。
双倍速率同步动态随机存储器稳定性测试方法系统

[发明专利]相变存储器芯片的封装方法-CN201110405543.8有效
发明人：缪向水;李震;陈伟;瞿力文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明公开了相变存储器芯片的封装方法，具体为：首先将需要封装的芯片固定在封装管壳内，然后采用超声键合技术将芯片的电极与管壳的引脚一一相连，最后使用屏蔽盖将其与外界隔离。本发明由于超声键合不需要一个临界键合温度，可在常温下进行，因此对相变存储器芯片本身特性不会有影响；键合时不加电流，不发生熔化，对材料的物理、化学性能没有任何影响，不会形成任何化合物而影响器件的性能，能保持其清洁度，不需经繁琐的清洗处理而直接进行封装，从而达到稳定性好、精度高、重复性好的测试需求。
相变存储器芯片封装方法

[发明专利]一种相变存储器芯片测试方法及其系统-CN201110188355.4有效
发明人：李震;张乐;瞿力文;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器芯片测试方法及系统。所述的相变存储器芯片测试方法能准确的测量相变存储器芯片的读写电路、选通电路、寻址能力、随机读写、抗串扰能力、初值检测和寻找合适擦写脉冲参数；所述的测试系统是由主控计算机，控制软件、下位机微控器、数字I/O采集卡、多功能测试卡、脉冲信号发生器、芯片接口电路、限流稳压电源和转换连接部件组成。主控计算机与下位机微控器相连，数字I/O采集卡和多功能测试卡相连，数字I/O采集卡与脉冲信号发生器和芯片接口电路相连。下位机微控器I/O端口与芯片接口电路相连，脉冲信号发生器与芯片接口电路相连，多功能测试卡与芯片接口电路相连；通过调用相应的测试模块完成相变存储器芯片的功能测试。
一种相变存储器芯片测试方法及其系统

[发明专利]一种相变存储单元阵列的测试装置-CN201110188352.0有效
发明人：缪向水;瞿力文;张乐;彭菊红;李震 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储单元的测试装置，装置包括信号发生器、测量模块、转换连接接口、探针台、控制器、单元阵列接口电路和数字示波器；通过控制器施加控制信号，通过信号发生器施加激励信号，通过测量模块或示波器采集信号完成对相变存储器单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性测试。本发明能准确的测量相变存储单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、非晶态电阻、晶态电阻、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性。
一种相变存储单元阵列测试装置

[发明专利]一种非对称相变存储器单元及器件-CN201010528582.2有效
发明人：缪向水;程晓敏;鄢俊兵;温学鑫;孙巾杰;瞿力文;彭菊红 -专利权人：华中科技大学;山东华芯半导体有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件，包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔宽度为10nm～4um；相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触，第二绝缘层也开有小孔，小孔宽度为10nm～5um，上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能，进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。
一种对称相变存储器单元器件