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[发明专利]GhmiR858及其调控位点靶基因GhTT2在调控棉花原花青素合成中的应用-CN202310036998.X在审
发明人：梅俊;苗蒙;牛晴晴;孙玉强 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12N15/84 文献下载
摘要：本发明公开GhmiR858及其调控位点靶基因GhTT2在调控棉花原花青素合成中的应用。抑制GhmiR858表达并提高GhTT2表达促进原花青素的生物合成。通过对GhmiR858及其靶基因GhTT2的生物学功能的研究，发现其在棉花原花青素生物合成上具有重要调控作用，通过调节GhmiR858及其靶基因GhTT2的表达水平能够影响棉花原花青素的积累量。
ghmir858 及其调控位点靶基因 ghtt2 棉花花青素合成中的应用

[外观设计]雨伞(花子赋荫凉)-CN202230664376.8有效
发明人：杨凯宁;姜鉴庭;牛晴晴;韩至骏 -专利权人：义乌中国小商品城创意设计发展服务有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： 03-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：雨伞(花子赋荫凉)。2.本外观设计产品的用途：雨伞。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。5.指定设计1为基本设计。
雨伞花子荫凉

[发明专利]一种富锂正极材料和高容量锂离子筛的制备方法-CN202111030230.9在审
发明人：张嘉铖;袁永顺;李建生;刘炳光;牛晴晴;韩璐;师雅楠;郭亚辉;王曦文;怀锦鹏 -专利权人：天津爱生科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及以废旧锂离子电池正极材料为原料制备富锂锰系正极材料和高容量锰系锂离子筛的方法，所述的废旧锂离子电池正极材料是废旧锰酸锂电池正极材料或者废旧三元镍钴锰酸锂电池正极材料，制备过程包括废旧锂离子电池正极材料还原浸取，草酸钴沉淀分离，氢氧化镍沉淀分离，碳酸锰和碳酸锂共沉淀分离，冨锂正极材料制备和高容量锰系锂离子筛制备6个步骤。本发明将废旧锂离子电池正极材料回收制备冨锂正极材料，电化学比容量可达到原来性能的100%‑150%，可实现废旧锂离子电池正极材料的循环利用；同时以废旧锂离子电池正极材料为原料制备了高容量锰系锂离子筛，提出了制备高容量锰系锂离子筛的一种新途径。
一种正极材料容量锂离子制备方法

[发明专利]一种制备锂离子筛和氧化石墨烯的方法-CN202110983872.4在审
发明人：袁永顺;葛梦丹;凡甜甜;李建生;刘炳光;张嘉铖;韩璐;牛晴晴 -专利权人：天津爱生科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明涉及一种以废旧锂离子电池负极石墨材料为原料制备锰系锂离子筛和氧化石墨烯的方法，所述的废旧锂离子电池负极材料是以石墨为主要成分，并含有导电炭黑，偏氟乙烯粘合剂或羧甲基纤维素钠粘合剂和锂盐成分；制备过程包括碳酸锂制备，有机物气化，氧化石墨烯制备，MnO2沉淀制备和锰系锂离子筛制备5个步骤。本发明使氧化石墨烯生产中的大量废硫酸和废硫酸锰加以综合利用，不仅能够解决氧化石墨烯生产的废酸和重金属污染问题，而且提高了锰系锂离子筛生产工艺的技术经济性。
一种制备锂离子氧化石墨方法

[实用新型]一种能够调节高度的花瓶-CN202120246404.4有效
发明人：赵婉彤;曹慧茹;张围棋;牛晴晴;谢木兰;韩晶 -专利权人：济南职业学院
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： A47G7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够调节高度的花瓶，包括底座和花瓶本体，所述底座上设有复位弹簧，复位弹簧的一端安装在底座上、另一端安装在花瓶本体上，花瓶本体包括收纳盒、第一限位环、内胆、放置腔和第二限位环，所述内胆安装在放置腔的内部，所述第一限位环安装在放置腔底部的外壁上，所述第二限位环安装在放置腔顶部的外壁上，所述收纳盒安装在第二限位环的外壁上，在放置腔的外壁上设有限位块。本实用新型可收集落花落叶的收纳盒，改变现有简单的结构、功能性单一的缺陷，具有收集清理功能，有效防止落花落叶散落，减少打扫工作量，底座上支撑杆和花瓶本体上限位块的设置，便于将该装置调高，能够适用不同高度的花卉，大大增加了该装置的实用性。
一种能够调节高度花瓶

[发明专利]半导体芯片及其控制方法-CN202011331518.5有效
发明人： 牛晴晴 -专利权人：杭州晶华微电子有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F1/08 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种半导体芯片及其控制方法。该半导体芯片包括：第一引脚；第二引脚；非易失性存储器；编程模块，被配置为在接收到编程命令时将校准数据编程至非易失性存储器；以及控制器，耦合至第一引脚、第二引脚以及编程模块，并且被配置为：在半导体芯片上电时，如果经由第一引脚从上位机接收到的命令是预设字节，则使半导体芯片进入校准模式，如果不是预设字节，则使半导体芯片进入正常工作模式；在校准模式下，经由第一引脚输出内部时钟频率；经由第一引脚接收校准数据；经由第一引脚接收编程使能命令；以及基于编程使能命令使编程模块使用校准数据进行编程。在此描述的半导体芯片可以利用两个引脚实现多种功能。
半导体芯片及其控制方法

[发明专利]一种龙牙百合小鳞茎快繁生根方法-CN201811530529.9在审
发明人：朱涛;柳静;李文建;李芳菲;牛晴晴;杨晓星;王恩惠 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种龙牙百合小鳞茎快繁生根方法，针对现有龙牙百合快繁技术污染率高，繁殖系数低、速度慢等不足，采用龙牙百合块茎的内层鳞片作为外植体，接种于MS+6‑BA 0.5～1.5mg/L+NAA 0.1～0.2mg/L+杀菌中草药0.1～1.0mg/L的诱导培养基，接种完成后将培养瓶放在24～26℃恒温培养室内，每日光照10～12h，光照强度为1600～2000ux，诱导出龙牙百合鳞片不定芽并培养分化出3～4cm的龙牙百合组培苗；再将所述龙牙百合组培苗接种于1/2MS+NAA 0.1～0.2mg/L+活性炭0.1～0.2g/L+杀菌中草药0.1～1.0mg/L的生根培养基上进行诱导生根。培养基中使用的灭菌中草药含大黄、黄芩、艾草、三七、丹参各20％。在生根培养基中添加杀菌中草药，有效的抑制了细菌、真菌、霉菌以及酵母菌的生长和繁殖，大大降低了污染率。
百合中草药快繁杀菌接种生根培养基污染率小鳞茎组培苗光照生根酵母菌生长和繁殖诱导培养基活性炭块茎百合鳞片恒温培养诱导生根培养基不定芽培养瓶外植体霉菌灭菌丹参真菌艾草大黄黄芩鳞片内层诱导细菌分化室内

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