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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光子集成电路封装及其制造方法-CN201910144996.6有效
发明人： 池晧哲;曹官植;赵根煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：提供了具有改进的集成的光子集成电路封装以及制造这样的光子集成电路封装的方法。作为示例，光子集成电路封装可以包括基板、在基板上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的光子芯层以及在光子芯层上的第二绝缘层。光子耦合器件可以在光子芯层中，并且可以例如是光栅耦合器和光电探测器中的至少一个。凹面镜可以延伸到至少第二绝缘层中。在一些实施方式中，凹面镜可以延伸穿过第二绝缘层并延伸到第一绝缘层中。
光子集成电路封装及其制造方法

[发明专利]光学集成电路-CN201910124065.X有效
发明人：赵根煐;池晧哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：提供了光学集成电路。光学集成电路包括包含单晶半导体材料的基底。光学集成电路包括位于基底中的沟槽中的绝缘区域。光学集成电路包括位于绝缘区域上的第一芯。第一芯包括单晶半导体材料。此外，光学集成电路包括与第一芯分隔开的第二芯。第二芯包括比第一芯的折射率低的折射率的材料。
光学集成电路

[发明专利]光子集成电路封装件-CN201910136788.1有效
发明人： 池晧哲;赵根煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：提供了一种光子集成电路封装件，所述光子集成电路封装件包括：第一基底，包括彼此间隔开的第一镜和光学耦合器件；以及第二基底，位于第一基底的上部上，第二基底包括电光转换器和第二镜，电光转换器向第一镜输出光学信号，第二镜将被第一镜反射并且从第一镜接收的光学信号反射到光学耦合器件。
光子集成电路封装

[发明专利]具有减小尺寸的光学调制器-CN201710351651.9有效
发明人： 池晧哲;申东宰;李侊炫;表正炯;河镜虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种具有减小尺寸的光学调制器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
具有减小尺寸光学调制器

[发明专利]光子集成电路和光学发送器-CN201810735108.3有效
发明人： 池晧哲;赵根煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：光子集成电路包括主光源、冗余光源、控制器、光学开关和调制器。主光源通过主光输入波导输出主光。冗余光源通过冗余光传输波导输出冗余光。控制器基于主光源的故障状态生成第一开关信号。光学开关基于第一开关信号将来自冗余光传输波导的冗余光选择性地提供给冗余光输入波导。调制器调制来自主光输入波导的主光或来自冗余光输入波导的冗余光并输出第一光学信号。
光子集成电路光学发送

[发明专利]图像传感器-CN201911375158.6在审
发明人：卢仁镐;权杜原;权锡镇;金慈明;金振泳;闵诚基;曹官植;赵万根;池晧哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。
图像传感器

[发明专利]探测装置及包括探测装置的测试装置-CN201910826110.6在审
发明人： 池晧哲;赵根煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：提供了探测装置和包括其的测试装置。所述探测装置包括：光纤阵列，所述光纤阵列包括将与光学集成电路板光学通信的光纤和固定所述光纤的基体基板，所述光学集成电路板包括光耦合元件和反射镜；以及中间基板，所述中间基板包括孔和探测镜，所述光纤插入到所述孔中，所述探测镜用于在所述反射镜和所述光耦合元件之间反射光信号。
探测装置包括测试

[发明专利]包括光电元件的集成电路器件-CN201910633453.0在审
发明人：金净惠;赵根煐;池晧哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
包括光电元件集成电路器件

[发明专利]光电探测器结构-CN201910061254.7在审
发明人：赵根煐;池晧哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，包括半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。
光吸收层光电探测器结构光波导基底半导体膜下表面侧表面氮化硅包围

[发明专利]半导体器件-CN201810387081.3在审
发明人： 池晧哲;赵根煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一器件和第二器件。所述第一器件包括在第一基板上的至少一个波导。所述第二器件在所述第一器件上并且包括：在第二基板的上表面上的至少一根光纤、在所述第二基板的所述上表面上的反射器以及在所述反射器下方的位于所述第二基板的下表面上的透镜。所述至少一个波导传送来自所述反射器并且穿过所述透镜的光以使所述光输出到所述光纤。
第二基板反射器透镜半导体器件上表面波导光纤第一基板光输出下表面传送穿过

[发明专利]半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置-CN201310225225.2有效
发明人：申东宰;边铉一;李侊炫;曹官植;池晧哲;表正炯;河镜虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置。半导体封装件包括封装基底；多个连接元件，设置在封装基底上；以及半导体芯片，半导体芯片包括至少一个光学输入/输出元件，所述至少一个光学输入/输出元件相对于与封装基底的底表面垂直的方向以光学输入/输出角度将光信号传输至外部/从外部接收光信号，半导体芯片通过所述多个连接元件电连接到封装基底。
半导体封装包括装置

[发明专利]光学集成电路封装-CN201610971029.3有效
发明人： 池晧哲;赵根煐;赵寅成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光学集成电路(IC)封装，包括：光学IC，其包括光学IC衬底；电气集成电路器件(EICD)，其在光学IC衬底上；至少一个光学器件，其与光学IC衬底上的EICD间隔；光学接口，其在光学IC衬底的第一侧上；电气接口，其定位在光学IC衬底的第二侧上；和封装构件，其被配置为封装光学IC、EICD、至少一个光学器件、光学接口和电气接口。
光学集成电路封装

[发明专利]具有减小尺寸的光学调制器和包括其的光学发射器-CN201110427133.3在审
发明人： 池晧哲;申东宰;李侊炫;表正炯;河镜虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H04B10/155 文献下载
摘要：一种具有减小尺寸的光学调制器和包括其的光学发射器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
具有减小尺寸光学调制器包括发射器

[发明专利]光学器件及其制造方法-CN201010578730.1有效
发明人： 池晧哲;金奇南;邢庸宇;罗敬远;河镜虎;朴允童;裵大录;卜镇权;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
光学器件及其制造方法

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