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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器-CN202010799900.2在审
发明人：李光敏;权杜原;权锡镇;罗敬远;白寅圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。
图像传感器

[发明专利]图像传感器以及形成图像传感器的方法-CN201611154548.7有效
发明人：李光敏;罗敬远;任东模;林政昱;权锡镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了图像传感器以及形成图像传感器的方法。一种图像传感器包括滤色器层。图像传感器包括相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器包括在滤色器层上的绝缘层。而且，图像传感器包括在绝缘层上的电极层。
图像传感器以及形成方法

[发明专利]图像传感器-CN201911375158.6在审
发明人：卢仁镐;权杜原;权锡镇;金慈明;金振泳;闵诚基;曹官植;赵万根;池晧哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201810010650.2在审
发明人：李光敏;权锡镇;朴惠允;李范硕;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
图像传感器绝缘结构衬底浮置扩散区穿通电极底部电极第二表面第一表面光电转换层彼此相对顶部电极接触插塞电连接滤色器埋置制造穿透

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