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[发明专利]有机光电转换元件-CN201880029188.9有效
发明人：齐藤阳介;竹村一郎;榎修;根岸佑树;长谷川雄大;茂木英昭;氏家康晴 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明在使用有机材料的光电转换元件中提高了量子效率和响应速率。在这一有机光电转换元件中，光电转换层包含由式1表示的p型分子。在式1中，A表示氧原子、硫原子或硒原子中的任一者，R1至R4中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，R1至R4中的剩余者各自表示氢原子，R5至R8中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，且R5至R8中的剩余者各自表示氢原子。#imgabs0#
有机光电转换元件

[发明专利]成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置-CN201780070351.1有效
发明人： 氏家康晴;室山雅和;坂东雅史;村田昌树;汲田英之;境川佐知子;平田晋太郎;熊谷裕也;加藤裕 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K39/32 文献下载
摘要：提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
成像元件堆叠装置电子

[发明专利]成像元件、层叠型成像元件、成像装置以及成像元件的制造方法-CN202310208017.5在审
发明人： 氏家康晴;竹村一郎;折桥正树;广濑遥平 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K39/32 文献下载
摘要：提供了一种成像元件，所述摄像元件通过依次层叠至少阳极21、阳极侧缓冲层22、光电转换层23和阴极25而形成。阳极侧缓冲层22包含具有结构式(1)的材料，所述结构式(1)为噻吩和咔唑的结合：。
成像元件层叠装置以及制造方法

[发明专利]光电转换元件和固态成像装置-CN201780072926.3有效
发明人：长谷川雄大;坂东雅史;平田晋太郎;茂木英昭;八木岩;氏家康晴;根岸佑树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置和包括成像装置的电子设备，其中，所述成像装置包括：第一电极；第二电极；光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，其中，所述第二有机半导体材料包括亚酞菁材料，并且其中，所述第二有机半导体材料具有范围为‑6eV至‑6.7eV的最高占据分子轨道能级。
光电转换元件固态成像装置

[发明专利]成像元件、层叠型成像元件、成像装置以及成像元件的制造方法-CN201780075673.5有效
发明人： 氏家康晴;竹村一郎;折桥正树;广濑遥平 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：提供了一种成像元件，所述摄像元件通过依次层叠至少阳极21、阳极侧缓冲层22、光电转换层23和阴极25而形成。阳极侧缓冲层22包含具有结构式(1)的材料，所述结构式(1)为噻吩和咔唑的结合：
成像元件层叠装置以及制造方法

[发明专利]层叠型摄像装置和摄像模块-CN202111476157.8在审
发明人： 氏家康晴;村田昌树;熊谷裕也;茂木英昭;平田晋太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及层叠型摄像装置和摄像模块。层叠型摄像装置包括：布置在基板上方的第一图像传感器，所述第一图像传感器对第一颜色有灵敏度，并且至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层和载流子阻挡层；以及布置在所述基板中的第二图像传感器，所述第二图像传感器对与所述第一颜色不同的第二颜色有灵敏度。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
层叠摄像装置模块

[发明专利]光电转换元件、成像元件、多层成像元件以及成像装置-CN201680035454.X有效
发明人：村田昌树;氏家康晴;平田晋太郎;熊谷裕也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一种图像拾取元件或光电转换元件中，至少一个阳极21、载流子阻挡层22、有机光电转换层23和阴极25按顺序层叠，且载流子阻挡层22包括具有以下结构式(1)的材料和构成有机光电转换层23的有机半导体材料的一部分。
光电转换元件成像多层以及装置

[发明专利]图像传感器、层叠型摄像装置和摄像模块-CN201680023181.7有效
发明人： 氏家康晴;村田昌树;熊谷裕也;茂木英昭;平田晋太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器，其至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层以及载流子阻挡层。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
图像传感器层叠摄像装置模块

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN202110182486.5在审
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN202110182765.1在审
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]光电转换元件、图像拾取元件、层叠型图像拾取元件和固态图像拾取装置-CN201680034240.0有效
发明人：村田昌树;茂木英昭;平田晋太郎;八木岩;氏家康晴;坂东雅史;白泽乐;小林一;中本光则;户木田裕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
光电转换元件图像拾取层叠固态装置

[发明专利]光电转换元件和光电转换元件的制造方法-CN201980034718.3在审
发明人：齐藤阳介;宫地左伊;菅野雅人;氏家康晴;长谷川雄大;榎修;根岸佑树 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明一个实施例的第一光电转换元件包括：第一电极；第二电极，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对；和光电转换层，所述光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含发色团、富勒烯或其衍生物和空穴传输材料，其中，所述发色团和所述富勒烯或其衍生物在所述光电转换层中通过交联基团至少部分地彼此结合。
光电转换元件制造方法

[发明专利]光电转换元件和成像装置-CN201980025104.9在审
发明人：榎修;根岸佑树;长谷川雄大;八木岩;氏家康晴;齐藤阳介 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明实施例的光电转换元件包括：第一电极；第二电极，被布置与所述第一电极相对；和光电转换层，被布置为在所述第一电极和所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极相对，所述光电转换层包括由以下通式(1)表示的第一化合物和骨架不同于第一化合物的第二化合物。(R1至R10分别独立地表示氢原子，卤素原子，氨基基团，羟基基团，烷氧基基团，酰基氨基基团，酰氧基基团，苯基基团，羧基基团，酰胺基团，羰基烷氧基基团，酰基基团，磺酰基基团，氰基基团和硝基基团，直链、支链或环状烷基基团，芳基基团，杂芳基基团，杂芳基氨基基团，具有芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有杂芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有芳基氨基作为取代基的杂芳基基团、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基基团，或者它们的衍生物。R1至R10可以在除了R4和R5之间以外的两个相邻的取代基之间形成环。此外，R1至R10中的至少两者具有氢原子以外的取代基。)
光电转换元件成像装置

[发明专利]光电转换元件和摄像装置-CN201880071860.0在审
发明人： 氏家康晴;齐藤阳介;长谷川雄大;茂木英昭;榎修;根岸佑树 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本公开的光电转换元件设置有：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对地布置；以及有机层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括有机光电转换层。构成所述有机层的至少一层被形成为包含由以下通式(1)表示的至少一种有机半导体材料。
光电转换元件摄像装置

[发明专利]电池-CN201210419813.5有效
发明人： 氏家康晴;涉谷真志生 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-08-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种具有优良放电载荷特性和低温放电特性的电池。该电池具有盘绕的电极元件，其中将带状的正极和带状的负极以及浸渍了电解液并置于正极与负极之间的隔板(23)一起盘绕。该隔板(23)包括多孔膜(23a)，使得平均孔径为0.15μm或更小，且孔的最大直径(DL)与最小的直径(DS)的平均比值为0.4~1.0。因此，可以防止孔(23b)的阻塞。隔板(23)的电解液渗透性，离子渗透性及电解液保持力得到提高。因此，该电池具有优良放电载荷特性和低温放电特性。
电池

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