[发明专利]有机光电转换元件有效
| 申请号： | 201880029188.9 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110603656B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 齐藤阳介;竹村一郎;榎修;根岸佑树;长谷川雄大;茂木英昭;氏家康晴 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H10K30/60 | 分类号： | H10K30/60;H01L27/146;H10K39/32 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 孙雪;张淑珍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明在使用有机材料的光电转换元件中提高了量子效率和响应速率。在这一有机光电转换元件中，光电转换层包含由式1表示的p型分子。在式1中，A表示氧原子、硫原子或硒原子中的任一者，R |
||
| 搜索关键词： | 有机 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
1.一种有机光电转换元件，所述有机光电转换元件在光电转换层中包含由式1表示的p型分子：/n[化学式1]/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;索尼半导体解决方案公司，未经索尼公司;索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880029188.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热电换热器
- 下一篇：有机电致发光元件、化合物及其用途
- 同类专利
- 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器-201910342621.0
- 森胁俊贵 - 索尼公司
- 2015-04-21 - 2023-10-24 - H10K30/60
- 本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
- 有机光电转换元件-201880029188.9
- 齐藤阳介;竹村一郎;榎修;根岸佑树;长谷川雄大;茂木英昭;氏家康晴 - 索尼公司;索尼半导体解决方案公司
- 2018-05-07 - 2023-10-24 - H10K30/60
- 本发明在使用有机材料的光电转换元件中提高了量子效率和响应速率。在这一有机光电转换元件中，光电转换层包含由式1表示的p型分子。在式1中，A表示氧原子、硫原子或硒原子中的任一者，R
- 光电转换器件和成像装置-201880058595.2
- 加藤裕;稲叶雄大;菅野雅人;茂木英昭;君岛美树;宫地左伊 - 索尼公司;索尼半导体解决方案公司
- 2018-09-07 - 2023-10-24 - H10K30/60
- [问题]为了提供一种能够具有提高的量子效率和提高的反应速度的光电转换器件和一种成像装置。[解决方案]根据本公开的一个实施方案的第一光电转换器件设置有：第一电极；第二电极，其布置成与所述第一电极相对；和光电转换层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的有机半导体材料。对于所述有机半导体材料，在第一温度下成膜的情况和在高于所述第一温度的第二温度下成膜的情况之间，所述光电转换层中的水平取向晶体与垂直取向晶体的比率的变化率是3倍以下。
- MOF封装量子点薄膜红外光电探测器及其制备方法-202311055076.X
- 郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 - 长春理工大学
- 2023-08-22 - 2023-10-20 - H10K30/60
- 本发明提出了一种MOF封装量子点薄膜红外光电探测器及其制备方法，属于红外波段光电探测领域。解决了通常单独制备的量子点表面具有长链绝缘的有机配体，这虽然在控制量子点尺寸方面起到了积极的作用，但在器件应用过程中严重阻碍了电信号的传输的问题。本发明量子点的引入提升了MOF材料导电性能，拓展了吸收光谱延伸至红外波段；另一方面，由于MOF中固有孔洞的限制，所添加的量子点无需有机配体的修饰就可以得到小尺寸形貌，避免了通常使用的长链配体对于量子点之间和量子点与宿主框架之间电信号传递的阻碍，极大增强了光电转换效率，提高探测率。
- 自供电双功能光电探测器及其制备方法-202011603474.7
- 李林;闫珺;公维强 - 哈尔滨师范大学
- 2020-12-29 - 2023-10-17 - H10K30/60
- 本发明公开了自供电双功能光电探测器及其制备方法，其中自供电双功能光电探测器包括钙钛矿微晶膜、电极层以及蓝宝石衬底，所述电极层设置在所述蓝宝石衬底上端，所述钙钛矿微晶膜覆盖在所述电极层上端。自供电双功能光电探测器制备方法，包括以下步骤，蓝宝石衬底制备：对高透光蓝宝石依次进行切割、清洗以及吹干处理，得到蓝宝石衬底；电极层制备：通过光刻、蒸镀处理，将电极层设置在所述蓝宝石衬底上；钙钛矿前驱体溶液制备：将钙钛矿前体材料制备为钙钛矿前驱体溶液；光电探测器制备：将带有电极层的蓝宝石衬底与钙钛矿前驱体溶液一同放置在结晶皿中，在所述电极层上生成钙钛矿微晶膜，得到有钙钛矿微晶膜的光电探测器。
- 有机光电探测器及其制备方法和包含有机光电探测器的设备-202311054837.X
- 陈永胜;朱玉;李光辉 - 南开大学
- 2023-08-21 - 2023-10-03 - H10K30/60
- 本申请涉及有机光电探测器、包括所述有机光电探测器的设备以及制备所述有机光电探测器的方法。所述有机光电探测器包括：光谱吸收层；第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机活性层；其中所述光谱吸收层的光谱吸收范围与所述有机活性层的光谱吸收范围存在部分交叉重叠，本发明有机光电探测器能够实现在可见光‑近红外光全宽光谱范围内对任意所需不同波段窄带光的选择性高灵敏度检测。
- 一种光响应度可调的钙钛矿光电探测器及其制备方法-202310507177.X
- 鲁毅;章飚;曾永红;赵斌;单诚;付彦淇;孙轶凡 - 天津津航计算技术研究所
- 2023-05-06 - 2023-09-29 - H10K30/60
- 在本发明提供一种光响应度可调的钙钛矿光电探测器及其制备方法，所述钙钛矿光电探测器包括：衬底，在衬底的表面沿第一方向依次设置有底电极、空穴传输层、光响应度可调的钙钛矿活性层、电子传输层、金属顶电极；通过设有钙钛矿活性层，可以对光响应度进行调节，以便在极强或者极弱的特殊照明条件下不会出现瞬间致盲或者夜盲的情况，能够实现高质量的成像。
- 光检测元件和光检测装置-202310512225.4
- 广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 - 索尼公司;索尼半导体解决方案公司
- 2017-07-20 - 2023-09-12 - H10K30/60
- 本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。
- 一种基于ME-BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法-202010293158.8
- 于军胜;郑丁;侯思辉;李嘉文 - 电子科技大学
- 2020-04-15 - 2023-09-12 - H10K30/60
- 本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT，下层材料为Spiro‑OMeTAD，本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。
- 一种金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法-202211213040.5
- 王孟;李亮;曹风人 - 苏州大学
- 2022-09-30 - 2023-08-25 - H10K30/60
- 本发明涉及一种金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于探测器技术领域。本发明金属卤素钙钛矿光电探测器，包括亲水性绝缘基底，以及依次设置于所述亲水性绝缘基底上的钙钛矿薄膜光敏层和对电极层；所述钙钛矿薄膜光敏层为后处理的钙钛矿薄膜光敏层；所述后处理是在钙钛矿薄膜光敏层上旋涂硫氰酸甲胺处理液。本发明所述的制备方法对原材料薄膜要求低，而经过后处理的重结晶过程之后，钙钛矿薄膜的结晶性可以得到极大提升，基于此制备的光电探测器可以在1V的低外加偏压下达到1.4A/W的光响应度。
- 一种基于半金属性纳米带与卟啉分子的具有自旋滤波效应的光电探测器-202310695457.8
- 朱国嘉;张妍宁 - 电子科技大学
- 2023-06-12 - 2023-08-22 - H10K30/60
- 本发明公开了光电探测器技术领域的一种基于半金属性纳米带与卟啉分子的具有自旋滤波效应的光电探测器，包括两端电极和中心区，所述两端电极为半金属纳米带，两端电极的声子谱不具有虚频，所述中心区为锰卟啉分子，所述锰卟啉分子与半金属纳米带以共价键的形式连接形成MSM型的光电探测器。本发明通过在石墨烯纳米带的基础上，以掺杂替换的方式添加一条FeN
- 一种JBS型有机无机杂化钙钛矿光电探测器及其制备方法-202310405959.2
- 李京波;张梦龙;黄东园;柯茜;王小周 - 浙江芯科半导体有限公司
- 2023-04-17 - 2023-08-15 - H10K30/60
- 本发明公开了一种JBS型有机无机杂化钙钛矿光电探测器及其制备方法，包括SiO
- 可快速响应的钙钛矿波导型近红外光电探测器及制备方法-202310551394.9
- 冀婷;郭嘉豪;崔艳霞;李国辉;王文艳 - 太原理工大学
- 2023-05-17 - 2023-08-15 - H10K30/60
- 本发明属于微纳光子与光电探测技术领域，公开了一种可快速响应的钙钛矿波导型近红外光电探测器及制备方法，包括：基底，基底上中心位置处设置有宽度小于基底的钙钛矿半导体波导形成的波导层，波导层的两侧面分别设置有可激发表面等离激元效应第一金属电极层和不可激发表面等离激元效应第二金属电极层，波导层的顶部设置有绝缘层，绝缘层顶部设置有金属反射薄层，绝缘层用于隔离金属反射薄层、第一金属电极层和第二金属电极层；波导层包括依次设置的非渐变区和楔形的渐变区，渐变区远离非渐变区一侧的宽度逐渐变小。本发明利用于波导层中的光子波导模式到表面等离激元波导模式的转换，可实现高响应度、高速的近红外光电探测。
- 一种具有单光子灵敏度的单分子光电检测器件及其制备方法-202310477408.7
- 郭雪峰;李明瑶;尹冰;贾传成 - 北京大学
- 2023-04-28 - 2023-08-11 - H10K30/60
- 本申请提供了一种具有单光子灵敏度的单分子光电检测器件及其制备方法，属于分子电子学领域。通过以下步骤得到：1)机械剥离石墨烯构筑石墨烯器件，包括源极、漏极和导电沟道；2)在autoCAD中设计金电极图案，使用电子束曝光技术曝光该图案，然后热蒸镀铬金电极，电子束蒸镀二氧化硅；3)在石墨烯沟道内通过氢等离子体刻蚀构筑纳米级可控的三角形石墨烯点电极对；4)设计并合成符合要求的A–D–A型分子；5)通过静电相互作用和π–π相互作用自组装连接分子，制备单分子光电检测器；6)测试该单分子光电检测器受光激发产生光电流的电学性质进行评估。这种单分子光电检测器受光照射产生光电流，为制备高效的集成的单分子光电检测器提供了原型器件模型。
- 一种可近红外响应的有机光电倍增探测器及其制备方法-202211593732.7
- 崔艳霞;滑羽璐;冀婷;石林林;李国辉;张叶;王文艳 - 太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
- 2022-12-13 - 2023-08-04 - H10K30/60
- 本发明属于有机光电倍增探测器技术领域，具体涉及一种可近红外响应的有机光电倍增探测器及其制备方法。探测器包括依次设置的阳极层、阳极缓冲层、界面修饰层、活性层和阴极层；阳极缓冲层采用的材料为聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸，即PEDOT:PSS；所述活性层采用的材料为聚3‑己基噻吩:3,9‑双‑(2‑甲烯基‑(3‑1,1‑甲烯丙二腈‑5,6‑二氟茚酮)‑5,5,11,11‑四‑(4‑己基苯基))‑噻吩[3,2‑b]并噻吩引达省二噻吩，即P3HT:IT‑4F，所述界面修饰层采用的材料为Al
- 基于修饰层掺杂的有机倍增光电探测器及其制备方法-202110817876.5
- 黄江;窦子凡;范青山;胡刚 - 电子科技大学
- 2021-07-20 - 2023-08-04 - H10K30/60
- 本发明提供基于修饰层掺杂的有机倍增光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括自下而上依次设置的透明导电电极层、阳极修饰层、有机功能层、掺杂修饰层、金属电极层；包括以下步骤：对透明导电电极层进行清洗处理；将处理后的透明导电电极层进行紫外线氧化处理；在透明导电电极上旋涂一层阳极修饰层，退火备用；将有机给受体溶液旋涂于阳极修饰层上，形成有机功能层，退火备用；在有机功能层上旋涂或蒸镀一层掺杂修饰层，退火备用；在掺杂修饰层上蒸镀金属电极，真空环境下冷却得到有机倍增光电探测器；本发明中有机功能层对宽光谱范围的充分响应可以给掺杂修饰层中的电子陷阱提供大量的光生电子。
- 离子凝胶光探测与神经形态视觉传感器及其制备方法-202310462632.9
- 刘举庆;罗旭;刘正东;陈晨;何子熙 - 南京工业大学
- 2023-04-26 - 2023-07-28 - H10K30/60
- 本发明公开了一种离子凝胶光探测与神经形态视觉传感器的制备方法及其应用领域。其中，所述离子凝胶光探测与神经形态视觉传感器包括透明衬底、纯离子凝胶层、光热纳米材料掺杂离子凝胶层、以及电极。所述纯离子凝胶层是只含有离子导电材料的丙烯酸酯类凝胶材料，光热离子凝胶层是通过在纯离子凝胶中掺杂光热纳米颗粒所得。在光照条件下，光热离子凝胶层中的光热纳米颗粒吸收光，在光热效应作用下光热离子凝胶层与纯离子凝胶之间产生温度差，进而形成内部电势差和离子电流。离子电流的强度随着光照波长和强度而发生变化，表现出明显的光响应特征。此外，该离子凝胶光探测与神经形态视觉传感器还具备制备工艺简单、宽波段响应、自供电、柔性等优点。
- 自供电近红外光敏二极管及其制备方法-202310436408.2
- 牟震;孟鸿;高源鸿;王振辉;李炜 - 北京高德品创科技有限公司;北京大学深圳研究生院;联想万像（深圳）科技有限公司
- 2023-04-21 - 2023-07-25 - H10K30/60
- 本发明提供一种自供电近红外光敏二极管及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明的制备方法包括：对ITO玻璃清洗，该ITO玻璃保留玻璃衬底与ITO层；采用原子层沉积技术，对前驱体加热，并将加热后的前驱体直接或在氮气载气辅助下进入反应腔室，使前驱体与共反应物反应，以在清洗后的ITO层上沉积形成传输层；在传输层上旋涂一层有机体异质结光敏层，并在氮气氛围中退火处理；在光敏层上真空蒸镀形成顶电极。本发明利用原子层沉积技术制备的界面传输层生长均匀、通过选取合适的传输层材料进行界面调控，厚度精准可控，可在大面积器件应用。
- 基于金属/二维材料范德瓦尔斯的光电探测器及其制备-202310283670.8
- 聂长斌;孙飞莹;付津滔;李庚霖;魏兴战 - 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
- 2023-03-22 - 2023-07-25 - H10K30/60
- 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种基于金属/二维材料范德瓦尔斯的光电探测器及其制备。该光电探测器包括由金属和二维材料构成的范德瓦尔斯界面、一对金属电极和柔性衬底；柔性衬底位于金属电极下方，二维材料位于金属电极上方，金属电极分别连接二维材料两端。其制备方法为：采用微纳光刻工艺制备金属电极；配置聚合物溶液并旋涂到样品上，低温加热使聚合物薄膜固化；借助镊子将固化的聚合物从硅基衬底上剥离；利用CVD法生长二维材料，并利用干法或湿法转移工艺将二维材料转移到聚合物样品上；利用微纳光刻工艺将二维材料条带化，制得光电探测器。本发明实现了高质量金属‑半导体范德瓦尔斯界面构筑以及高光开比光电探测响应。
- 一种纤维状无铅双钙钛矿光电探测器及其制备方法-202310461420.9
- 袁双龙;陈腾;陈龙;李薪薪;陈雪丹;徐昊 - 华东理工大学
- 2023-04-25 - 2023-07-25 - H10K30/60
- 本发明提出一种纤维状无铅双钙钛矿光电探测器及其制备方法，该探测器由一根包含芯电极‑TiO2纳米棒阵列‑化学式为A
- 一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法-202310630353.9
- 郝璐;杨喜业;董升;黄飞 - 广州光达创新科技有限公司
- 2023-05-31 - 2023-07-21 - H10K30/60
- 本发明提供了一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法。所述基于微腔结构的光电探测器，包括玻璃基底、光电探测微腔；其中，所述光电探测微腔包括由一个透射电极层、一个全反射电极层的形成的反射镜，厚度调控层和光敏层；通过设置多个不同厚度的光电探测微腔，可形成半峰宽较小的窄带的光电探测器。不同厚度的调控层可以具备导电性，高透过率，可以精细调控每个光电探测器中光敏层到两个反射镜之间的距离，实现光电探测器对入射光线中吸收响应增强波段的有效区分，在距离反射镜厚度不同的光腔内，入射光多次反射，对于特定波长响应增强，形成谐振波，而且单个光电探测器即仅对特定波长响应增强，有效滤光，峰宽较小。
- 一种高探测率的无铅锡基钙钛矿光电探测器、制备方法及应用-202310121903.4
- 孟祥悦;刘天华 - 中国科学院大学
- 2023-02-16 - 2023-07-18 - H10K30/60
- 本发明公开了一种高探测率的无铅锡基钙钛矿光电探测器，所述探测器包括由下至上依次相连接设置的透明基底、空穴传输层、活性层、电子传输层、空穴阻挡层和金属阴极；所述透明基底上方由下至上依次旋涂或者蒸镀空穴传输层、活性层、电子传输层、空穴阻挡层和金属阴极，得到无铅锡基钙钛矿光电探测器。本发明中无铅锡基钙钛矿光电探测器可以在零伏下被用作自驱动光探测器件，可获得较高的探测率，在800纳米入射光下可获得0.33AW
- 高近红外响应的复合电极有机光电探测器及其制备方法-202310440893.0
- 崔艳霞;滑羽璐;冀婷;焦佳;李国辉;石林林;王文艳 - 太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
- 2023-04-23 - 2023-07-14 - H10K30/60
- 本发明属于有机光电探测器技术领域，具体涉及一种高近红外响应的复合电极有机光电探测器及其制备方法，探测器包括依次设置的阳极层、阳极缓冲层、界面修饰层、活性层和阴极层；所述阳极缓冲层采用的材料为PEDOT:PSS；所述界面修饰层采用的材料为Al
- 一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法-202010145549.5
- 翟爱平;赵成杰;崔艳霞;王文艳;李国辉;郝玉英;吴玉程 - 太原理工大学
- 2020-03-05 - 2023-07-04 - H10K30/60
- 本发明涉及光电探测器制作领域，一种含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，同时在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。本发明还涉及该含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的制备方法。本发明中设计的光电探测器，在正向偏压的条件下，暗电流保持在几十皮安级别，而亮电流呈现开启状态。
- 面向冷金属检测的带通有机光电探测器及其制作方法-202211593177.8
- 石林林;焦佳;张叶;崔艳霞;李国辉;王文艳;冀婷;温荣 - 太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
- 2022-12-13 - 2023-07-04 - H10K30/60
- 本发明属于半导体光学器件技术领域，公开了一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器及其制作方法，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、界面修饰层、活性层、阴极层；所述阳极层为ITO透明电极，空穴传输层材料为PEDOT:PSS，界面修饰层材料为Al
- 一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法-201710563689.2
- 王建禄;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2017-07-12 - 2023-07-04 - H10K30/60
- 本发明公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极化材料和金属上电极。形成金属‑极化材料‑二维半导体器件结构，施加外加电场，使极化材料极化，随后撤去外加电场。区别于其它二维半导体能带调控方法，该方法利用极化保持特性，可实现无外场下对二维半导体能带结构调控。光致发光光谱结果表明，在极化电场的作用下，二维半导体的能带结构得到了有效调控，因此拓展了此类材料的应用。该方法同时具备极低功耗、操作简便、稳定性好等特点。
- 一种高效稳定的钙钛矿可见光探测器及其应用-202111602690.4
- 王建浦;李仁志;杨荣;黄维 - 南京工业大学
- 2021-12-24 - 2023-06-30 - H10K30/60
- 本发明公开了一种高效稳定的钙钛矿可见光探测器及其应用，包括由下至上依次设置的基底层、电极层、功能层、钙钛矿层、功能层、电极层，所述电极层沉积于基底层表面，钙钛矿层设置在功能层之间，功能层设置于钙钛矿层和电极层之间；所述钙钛矿层为二维钙钛矿和三维钙钛矿的混合物，其中，二维钙钛矿晶体和三维钙钛矿晶体生长方向具有取向性。本发明的钙钛矿可见光探测器制备工艺简单、无需外接供电单元可自驱动工作且制造成本低廉，适合广泛应用于低成本、高性能钙钛矿可见光探测器的工业化生产，可进一步推动钙钛矿可见光探测器在可见光通信、测距及成像的应用。
- 一种自驱动双功能光电探测器及其制备方法-202210609939.2
- 田维;程文杰;李亮 - 苏州大学
- 2022-05-31 - 2023-06-30 - H10K30/60
- 本发明涉及一种自驱动双功能光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明所述的自驱动双功能光电探测器，包括依次设置的导电基底、空穴传输层、掺杂聚合物的钙钛矿薄膜、电子传输层和电极层；所述掺杂聚合物的钙钛矿薄膜为双功能钙钛矿薄膜，所述双功能钙钛矿薄膜包括多孔膜和致密膜；所述聚合物的重均分子量不低于500000。本发明所述的自驱动双功能光电探测器通过引入高分量的聚合物制备多孔钙钛矿薄膜，达到制造缺陷和增加厚度的作用，从而实现窄带响应，然后通过局部液化重结晶处理实现了器件的多孔膜与致密膜共存，从而实现器件的窄带宽带双功能响应。
- 一种微纳器件及其制备方法-202111538280.8
- 李佳;刘志锴;姚智奇;喻学锋 - 深圳先进技术研究院
- 2021-12-15 - 2023-06-27 - H10K30/60
- 本申请红外技术领域，特别是涉及一种微纳器件及其制备方法。目前实现等离激元材料在特定红外波段辐射的器件通常采取的方案，限制了器件的实用特性。本申请提供了一种微纳器件，包括衬底，所述衬底上设置有有机半导体二极管器件，所述有机半导体二极管器件包括相对设置的导电氧化物电极和金属电极，所述导电氧化物电极和所述金属电极之间设置有功能层，在第一方向上，所述功能层包括电子传输层、有机半导体层和空穴传输层，所述第一方向为由所述导电氧化物电极指向所述金属电极的方向，所述金属电极上设置有微纳结构。快速、可靠地在已制备的基于等离激元的红外吸收器件上实现红外吸收能力对可见光敏感。
- 基于钙钛矿紫外光电探测器的紫外光通信系统及通信方法-202111541571.2
- 彭茹雯;王牧;何捷;李成尧;祁冬祥;刘雨;蔡箐;范仁浩 - 南京大学
- 2021-12-16 - 2023-06-20 - H10K30/60
- 本发明公开一种基于钙钛矿紫外光电探测器的紫外光通信系统，采用钙钛矿紫外光电探测器作为信号接收器采集编码后的紫外光信号，并将所述光信号转换为电流信号后输出；所述钙钛矿紫外光电探测器包括衬底、形成于衬底表面的单晶钙钛矿薄膜和用于收集电流信号的电极。进一步，本发明还公开采用上述紫外光通信系统的紫外光通信方法。本发明所提供的紫外光通信系统及方法可用于编码的紫外光信号传输，实现高速的紫外光通信。
- 专利分类
