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[发明专利]Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法-CN201680090904.5有效
发明人：颜畅子;永井达夫;法里德·赛巴伊;库尔特·沃斯汀 -专利权人：校际微电子中心;栗田工业株式会社
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。
ge sige 锗化物洗涤方法

[发明专利]塑料表面的处理方法-CN201780022812.8有效
发明人： 永井达夫;山本裕都喜 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：本发明是无Cr塑料表面的处理方法，提供能够进行与塑料表面充分密合的镀覆的塑料表面的处理方法。该塑料表面的处理方法的特征在于，用对硫酸进行电解而得到的溶液对塑料进行处理。硫酸溶液的硫酸浓度为50～92wt％，过硫酸浓度为3g/L以上，处理温度优选为80℃以上例如80℃～140℃，特别优选为100℃～130℃。通过将塑料在该硫酸溶液中浸渍1～10分钟，亲水性的官能团在塑料的表面露出。
塑料表面处理方法

[发明专利]聚丙烯树脂的亲水化处理方法-CN201880059526.3在审
发明人： 永井达夫;山本裕都喜 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：处理装置(1)具有：处理槽(2)、与配备了循环泵(5)的配管(4)连接的配备了金刚石电极的电解池(6)、以及从该电解池(6)向处理槽(2)进行供给的配管(7)。处理槽(2)及电解池(6)中填充了规定浓度的硫酸，给电解池(6)通入电流，通过对硫酸进行电解使硫酸电解从而生成过硫酸溶液(S)，经由配管(7)将该过硫酸溶液(S)供给至处理槽(2)。然后，在处理槽(2)内，作为处理对象的聚丙烯树脂板(8)在被固定于夹具(8A)的状态下悬挂在上下方向，利用过硫酸溶液S处理聚丙烯树脂板(8)。根据所述聚丙烯树脂的亲水化处理方法，能够形成与聚丙烯树脂表面充分密合的镀敷。
聚丙烯树脂水化处理方法

[发明专利]聚苯硫醚树脂的亲水化处理方法-CN201880059527.8在审
发明人： 永井达夫;山本裕都喜 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：处理装置(1)具有：处理槽(2)、与配备了循环泵(5)的配管(4)连接的配备了金刚石电极的电解池(6)以及从该电解池(6)向处理槽(2)进行供给的配管(7)。处理槽(2)及电解池(6)中填充了规定浓度的硫酸，给电解池(6)通入电流，通过对硫酸进行电解使硫酸电解从而生成过硫酸溶液(S)，经由配管(7)将该过硫酸溶液(S)供给至处理槽(2)。然后，在处理槽(2)内，PPS树脂板(8)在被固定于夹具(8A)的状态下悬挂在上下方向，利用过硫酸溶液S处理PPS树脂板(8)。根据所述PPS树脂的亲水化处理方法，能够形成与PPS树脂表面充分密合的镀敷。
聚苯硫醚树脂水化处理方法

[发明专利]有微孔的钛或钛合金的氧化薄膜的制造方法-CN201880059921.1在审
发明人：吉村南美;永井达夫 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：处理装置(1)具有处理槽(2)以及设置在该处理槽(2)内的阴极部件(4)和阳极部件(5)，上述阴极部件(4)和阳极部件(5)分别连接于直流电源(3)的负极和正极。在该处理装置1中，阳极部件(5)是被处理部件，其使用的是使用了钛或钛合金制薄膜制成的部件。将溶解了0.5重量％以下的氟化氢的化合物的氧化剂浓度为5g/L以上的硫酸溶液或电解硫酸液(S)装在该处理槽(2)内，以1～20A/dm2的电流密度进行电解处理。所述处理装置能够适用于由钛或钛合金薄膜来制造有100nm以下的孔的钛或钛合金的氧化薄膜的方法。
微孔钛合金氧化薄膜制造方法

[发明专利]ABS系树脂表面的镀前处理方法、ABS系树脂表面的镀敷处理方法和ABS系树脂镀敷制品-CN201880055459.8在审
发明人： 永井达夫;山本裕都喜;山本泰望;桥本康男;泉谷美代子 -专利权人：栗田工业株式会社;株式会社杰希优
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：本发明的处理装置(1)具有：在外周设置了恒温加热器(3)的处理槽(2)；从具备循环泵(5)的配管(4)接续的电解池(6)；以及从该电解池(6)向处理槽(2)供给的配管(7)。在该电解池(6)内，具备由金刚石电极构成的阳极(6A)和阴极(6B)，以及在两者之间配置的双极电极(6C)。处理槽(2)和电解池(6)中填充规定浓度的硫酸，由直流电源组件向阳极(6A)和阴极(6B)通以规定的电流，并电解硫酸，由此，生成过氧二硫酸等过硫酸溶液(S)，该过硫酸溶液(S)能够经由配管(7)供给于处理槽(2)。该处理装置(1)能够应用ABS系树脂表面的镀前处理方法，其是一种无铬、无锰的ABS系树脂表面的镀前处理方法，能够形成充分密合于ABS系树脂表面的镀敷。
abs 树脂表面处理方法制品

[发明专利]塑料表面的处理方法-CN201780067725.4在审
发明人： 永井达夫;山本裕都喜 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C18/24 文献下载
摘要：处理装置(1)具有：外周设有恒温加热器(3)的处理槽(2)；以及通过配管(4)和泵(5)连接的供给槽(6)。处理槽(2)和供给槽(6)中，分别填充有规定的硫酸浓度和过硫酸浓度的过硫酸盐溶液(S、S1)。另外，在处理槽(2)内，在上下方向悬挂有作为被处理塑料的塑料板(7)。此过硫酸盐的溶液(S、S1)的硫酸浓度为50～92wt％。另外，溶解了过硫酸盐的溶液(S、S1)的过硫酸浓度为3～20g/L。根据使用该处理装置(1)的无Cr的塑料表面的处理方法，能够形成与塑料表面充分密合的镀覆。
塑料表面处理槽处理装置过硫酸盐供给槽过硫酸硫酸过硫酸盐溶液恒温加热器上下方向塑料板镀覆密合配管外周填充溶解悬挂塑料

[发明专利]金属栅极半导体的清洗方法-CN201280034847.0有效
发明人： 永井达夫;山川晴义 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2012-06-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够在抑制金属栅极的腐蚀的同时有效地剥离在半导体上附着的抗蚀剂的金属栅极半导体的清洗方法。具有灰化半导体上的光抗蚀剂的灰化工序(步骤s1)、和在灰化工序后使经过灰化工序的上述半导体接触含有过硫酸的硫酸溶液，从上述半导体剥离半导体上的光抗蚀剂的过硫酸清洗工序(步骤s2)。上述过硫酸清洗工序中的含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度在16mM as O以下，硫酸浓度在90质量％以上96质量％以下，溶液温度在70℃以上130℃以下，过硫酸浓度在0.50mM as O以上～25mM as O以下。
金属栅极半导体清洗方法

[发明专利]基板清洗液以及基板清洗方法-CN201380065148.7有效
发明人：井田纯一;永井达夫 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。
清洗以及方法

[发明专利]金刚石电极及金刚石电极的制造方法-CN200980138289.0无效
发明人： 永井达夫;池宮範人;吉田克仁;吉田茂 -专利权人：栗田工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C25B11/12 文献下载
摘要：本发明提供即使用于以高电流密度电解含有强氧化性物质的电解液这样的苛酷的用途，金刚石层也不会剥离的金刚石电极。形成膜厚为20μm以上的金刚石层3，该金刚石层3从两面被覆基板1直至基板1的端面2a。将在所述基板的一面形成厚10～30μm的金刚石层后接着在所述基板的另一面形成厚10～30μm的金刚石层的工序进行1次或反复进行规定次数，藉此用复合层的金刚石层被覆所述基板两面。可以使金刚石层表面成为无孔质，可以防止金刚石层剥离引起的电极劣化。
金刚石电极制造方法

[发明专利]功能性溶液供给系统-CN200980121999.2有效
发明人：内田稔;永井达夫;山川晴义 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的目的在于高效地生成作为功能性溶液的硫酸电解液，并且在抑制通过电解生成的过硫酸的自分解的情况下将其高效地供给至使用侧。本发明是一种功能性溶液供给系统，该系统是通过电解硫酸溶液来制造功能性溶液并供给至使用侧的功能性溶液供给系统，其特征在于，该系统包括用于贮留硫酸溶液的贮留槽(2)、用于电解硫酸溶液的电解装置(电解室(3))、用于对硫酸溶液加温的加温单元(加热器(4))、用于冷却硫酸溶液的冷却单元(冷却器(4))、以及下述的3个循环管路：第一循环管路(11)，该第一循环管路(11)不经由加温单元、而是经由电解装置将从贮留槽(2)排出的硫酸溶液返回至所述贮留槽(2)；第二循环管路(12)，该第二循环管路(12)不经由加温单元、而是依次经由冷却单元和所述贮留槽(2)将从使用侧(洗涤机(1))导入的硫酸溶液返回至使用侧；第三循环管路(13)，该第三循环管路(13)不经由冷却单元和所述贮留槽(2)、而是经由加温单元(加热器(4))将从所述使用侧导入的硫酸溶液返回至所述使用侧。
功能溶液供给系统

[发明专利]电解方法-CN200880124590.1有效
发明人：内田稔;永井达夫;金森春一 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C25B1/30 文献下载
摘要：极力防止电极的损耗，可高效地进行硫酸溶液等的电解。本发明是一种电解方法，该方法是将电解液通入具备阳极和阴极作为至少一对电极的电解室，对该电极通电，藉此将电解液电解，其中，将所述电解液的粘度控制在与所述通电时的电流密度相对应的范围内来进行所述电解。电流密度在50A/dm2以下时，作为电解液的硫酸溶液的粘度在10cP以下；电流密度超过50A/dm2但在75A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在8cP以下；电流密度超过75A/dm2但在100A/dm2以下时，硫酸溶液的粘度在6cP以下。尤其是在利用金刚石电极以高电流密度电解高浓度硫酸溶液时，可在减少电极损耗的同时以高效率进行电解处理。
电解方法

[发明专利]基板处理装置及其板处理方法-CN200780033165.7有效
发明人： 永井达夫;森田博志;高桥弘明;内田博章;林豊秀 -专利权人：栗田工业株式会社;大日本网屏制造株式会社
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。
处理装置及其方法

[发明专利]硫酸循环型清洗系统以及硫酸循环型过硫酸供给装置-CN200580039376.2有效
发明人： 永井达夫;池宫范人;山川晴义;小林秀树;森田博志 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C25D1/22 文献下载
摘要：在使用过硫酸的清洗系统中，过硫酸浓度足够高、可提高清洗效果，同时得到可持续清洗的清洗系统。本发明提供向清洗装置供给过硫酸的供给装置。其具备：电解反应池(10)：通过电解反应由溶液中所含的硫酸离子生成过硫酸离子，再生过硫酸溶液；循环线路(4)、(5)、(6)：使过硫酸溶液在清洗池(1)和电解反应池(10)之间循环。通过该构成可得到供给装置。通过上述构成以及以过硫酸溶液(2)作为清洗液清洗被清洗材料(30)的清洗池(1)构建清洗系统。
硫酸循环清洗系统以及供给装置

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