“德克·武泰斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器件-CN200880014411.9有效
发明人：卢多维克·古克斯;朱迪思·里索尼;托马斯·吉勒;德克·武泰斯 -专利权人：校际微电子中心;NXP股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每个单元来写数据。电压施加单元被布置成通过在第一层和第二层上施加电位差使得第一层上的电位比第二层上的电位高0.5V或更小，来把单元切换到第一阻态。电压施加单元被布置成通过在第一层和第二层上施加电位差使得第二层上的电位比第一层上的电位高0.5V或更小，来把单元切换到第二阻态。在阻态之间切换时的电流小于10μA。该器件的存储单元可以在阻态之间反复触发，并且阻态是非易失性的。
非易失性存储器

[发明专利]用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换材料的方法和由此获得的器件-CN200780031802.7有效
发明人：卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 -专利权人：校际微电子中心
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换层的方法。所述方法包括提供包括底部电极(10)的衬底(2)；在所述衬底上提供包括凹槽(7)的介电层(4)，该凹槽含有用于形成所述电阻层(11)的金属；在所述衬底上提供包括开口(8)的介电层(5)，该开口暴露所述凹槽金属的；和在所述凹槽和开口中形成电阻层。
用于电阻转换器件受控形成材料方法由此获得

[发明专利]用于制造电阻转换器件的方法和由此获得的器件-CN200780031861.4无效
发明人：卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 -专利权人：校际微电子中心
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：为了改进电阻转换存储器的可量测性，披露了一种交叉点电阻转换结构，其中插塞本身用于存储电阻转换材料，并且顶部电极层例如使用机械化学抛光(CMP)或仅通过机械抛光而与所述插塞自动对齐。
用于制造电阻转换器件方法由此获得