“查理斯·T·卡尔森”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]共振器、线性加速器配置以及具有环形共振器的离子植入系统-CN202180075906.8在审
发明人：科斯特尔·拜洛;查理斯·T·卡尔森;法兰克·辛克莱;保罗·J·墨菲;大卫·T·伯拉尼克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种装置可包括被布置成发射离子束的漂移管总成。所述漂移管总成可包括：第一接地电极；射频(RF)漂移管总成，设置在第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在射频漂移管总成的下游。所述射频漂移管总成可界定三重间隙配置。所述装置可包括共振器，其中所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。
共振器线性加速器配置以及具有环形离子植入系统

[发明专利]用于线性加速器中的可变长度电极的系统、装置以及方法-CN202180068861.1在审
发明人： 查理斯·T·卡尔森;保罗·J·墨菲;法兰克·辛克莱;威廉·戴维斯·李 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05H9/00 文献下载
摘要：一种装置可包括：射频电源总成，被布置成输出射频信号；以及漂移管总成，被布置成发射离子束且耦合到射频电源总成。漂移管总成可包括：第一接地电极；AC漂移管总成，设置在第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在AC漂移管总成的下游，其中所述AC漂移管总成包括至少一个可变长度AC漂移管。
用于线性加速器中的可变长度电极系统装置以及方法

[发明专利]具有非对称轮廓的共振器线圈-CN202080091700.X在审
发明人：科斯特尔·拜洛;麦克·河南;罗伯特·B·宝佩特;大卫·伯拉尼克;查理斯·T·卡尔森;法兰克·辛克莱;保罗·墨菲 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05H7/18 文献下载
摘要：本文中的实施例涉及一种离子注入机的共振器。在一些实施例中，共振器可包含：外壳；以及第一线圈和第二线圈，部分地设置在外壳内。第一线圈和第二线圈中的每一个可包含：第一端，包含用于接收离子束的开口；以及中心区段，围绕中心轴螺旋状延伸，其中中心轴平行于离子束的光束线，且其中中心区段的内侧具有平坦化表面。
具有对称轮廓共振器线圈

[发明专利]用于载具近接式掩模的方法以及装置-CN202080063340.2在审
发明人：摩根·艾文斯;查理斯·T·卡尔森;鲁格·迈尔提摩曼提森;萝丝·班迪 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：一种载具近接式掩模以及对其进行组装及使用其的方法可包括：提供第一载具本体、第二载具本体及一组一个或多个夹具。第一载具本体可具有一个或多个开口，所述一个或多个开口被形成为用于在衬底的第一侧上形成结构的近接式掩模。第一载具本体及第二载具本体可具有一个或多个接触区域，所述一个或多个接触区域与衬底的第一侧及第二侧上的一个或多个接触区域对准。所述一组一个或多个夹具可在接触区域处将衬底夹在第一载具本体与第二载具本体之间，以将衬底的工作区域悬置在第一载具本体与第二载具本体之间。所述开口用于界定边缘，以对射束进行卷积，从而在衬底上形成结构。
用于载具近接式掩模方法以及装置

[发明专利]用于载具近接式掩模的方法以及装置-CN202080063380.7在审
发明人：摩根·艾文斯;查理斯·T·卡尔森;鲁格·迈尔提摩曼提森;萝丝·班迪;莱恩·马吉 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：一种载具近接式掩模以及对其进行组装及使用其的方法可包括：提供第一载具本体、第二载具本体及一组一个或多个夹具。第一载具本体可具有一个或多个开口，所述一个或多个开口被形成为用于在衬底的第一侧上形成结构的近接式掩模。第一载具本体及第二载具本体可具有一个或多个接触区域，所述一个或多个接触区域与衬底的第一侧及第二侧上的一个或多个接触区域对准。所述一组一个或多个夹具可在接触区域处将衬底夹在第一载具本体与第二载具本体之间，以将衬底的工作区域悬置在第一载具本体与第二载具本体之间。所述开口用于界定边缘，以对射束进行卷积，从而在衬底上形成结构。
用于载具近接式掩模方法以及装置

[发明专利]处理工件的方法-CN201680038035.1有效
发明人：维克拉姆·M·博斯尔;提摩太·J·米勒;查理斯·T·卡尔森;具本雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法，包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。
处理工件方法

[发明专利]晶片支撑及校准设备-CN201710699405.2有效
发明人：保罗·E·佩敢堵;查理斯·T·卡尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片的多个晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上)，防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。
晶片支撑校准设备

[发明专利]用于半导体工艺的主动式衬底对准系统及对准衬底的方法-CN201580049321.3有效
发明人：亚隆·P·威波;提摩西·J·米勒;泰美·州·普赖德;克里斯多夫·N·葛兰特;詹姆斯·D·史瑞斯奈;查理斯·T·卡尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供一种用于离子注入机的主动式衬底对准系统以及一种对准衬底的方法，衬底系统包含压板；对齐装置，其经调适以选择性地移动邻近于压板安置的衬底接合表面，用于限制安置在压板上的衬底的移动；相机，其经配置以在衬底安置在压板上之前获取衬底的图像；以及控制器，其与相机和对齐装置通信，控制器可以经配置以命令对齐装置基于图像移动衬底接合表面，以用预定的方式限制衬底的移动。本发明使用上述系统使衬底定向，以使得投射到衬底上的掺杂剂图案将置中于衬底上。
主动衬底对准系统方法

[发明专利]工件处理系统以及工件处理方法-CN201280059757.7有效
发明人：杰森·M·夏勒;罗伯特·B·宝佩特;查理斯·T·卡尔森;麦考林·N·丹尼尔;亚隆·P·威波;威廉·T·维弗 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：此工件处理系统的一实施例包括输送带与加载互锁区，第一交换机械臂在建造台与加载互锁区之间持有并传送工件，支架机械臂在每个输送带与第一交换机械臂之间传送工件。在一实例中，利用支架机械臂，将已加工工件从第一交换机械臂传送至第一输送带，并将未加工工件从第二输送带传送至第一交换机械臂。第二交换机械臂可与第一交换机械臂一起用来从加载互锁区负载并卸载工件。
工件处理系统以及方法

[发明专利]晶片支撑及校准设备-CN201480014139.X有效
发明人：保罗·E·佩敢堵;查理斯·T·卡尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片的晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上)，防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。
晶片处理装置

[发明专利]离子植入机与离子植入法-CN201280064441.7有效
发明人：威廉·T·维弗;查理斯·T·卡尔森;约瑟·C·欧尔森;詹姆士·布诺德诺;保罗·沙利文 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：一种离子植入机与离子植入法。离子植入机(100)的一实施例包括离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
高产离子植入

[发明专利]固持工件用的系统和承载器及对准承载器内的工件的方法-CN201380060451.8有效
发明人：威廉·T·维弗;查理斯·T·卡尔森;斯卡特·A·史密斯;麦可·A·贝克;亚隆·P·威波;詹姆斯·D·史瑞斯奈;罗伦斯·R·葛拉维;麦可·C·席梦思 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：揭示一种固持工件用的系统和承载器及对准承载器内的工件的方法。揭示一种能够固持一个或一个以上工件的承载器。承载器包含沿着承载器中的每一单元的边定位的可移动突起。此承载器结合独立对准设备使用多步对准过程相对于若干对准销来对准相应单元内的每一工件，以保证单元中的工件的恰当定位。首先，使工件朝所述单元的一侧边移动。一旦工件已相对于此边对准，工件便接着朝邻近正交边移动，以使得工件与单元的两侧边对准。一旦对准，工件便由沿着每一单元的每一侧边定位的突起固持于适当位置。另外，对准销还用以对准相关联的罩幕，进而保证罩幕与工件恰当地对准。
工件系统承载对准方法

[其他]用于工件处理的系统-CN201490000908.6有效
发明人：亚隆·P·威波;查理斯·T·卡尔森;麦克·河南;陆伊基·G·亚玛多;克里斯多夫·尼尔·葛兰特;詹姆斯·D·史瑞斯奈 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于工件处理的系统。所述系统包括：罩幕框，包括其中具有开口的上部平板，以及将罩幕框支撑在工作表面上的两个或更多个的垂直侧壁；多个罩幕，每一个罩幕包括具有图案的中心部分，以及从中心部分的边缘延伸的一个或更多个突出部；固定器，穿过配置于一个或更多个突出部中的固定孔并连接至上部平板的底面，使得多个罩幕的每一个中心部分与上部平板中的个别开口对准；以及偏置元件，在上部平板的底面与每一个罩幕之间产生分离力。因此，本实用新型提供能够让多个罩幕对准至多个工件的系统，此对准可以快速而不昂贵的方式完成。
用于工件处理系统

[其他]工件处理时所用的罩幕-CN201490000909.0有效
发明人：亚隆·P·威波;查理斯·T·卡尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本实用新型提供一种工件处理时所用的罩幕，其包括：图案平板，包括平面部分，所述平面部分包括形成工件处理时所用图案的连续开口；以及装配框，包括：外周缘，所述平面部分固定于所述外周缘上；以及对准突出部，包括一个或更多个活动接头，用于进行所述装配框与所述图案平板之间的对准；以及结构结合物，用以固定所述图案平板与所述装配框。本实用新型可制造成本较低的罩幕。
工件处理所用

[发明专利]用于半导体处理的掩膜对准系统-CN201380072416.8有效
发明人：亚隆·P·威波;查理斯·T·卡尔森;威廉·T·维弗;克里斯多夫·N·葛兰特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准的掩模对准系统。所述系统包含掩模框架，掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔，且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销，多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上，其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐，进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。
用于半导体处理对准系统

1
2
下一页»
尾页
共 16 条