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[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201911055942.9在审
发明人：彭士玮;赖志明;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的方法包括以下操作：定义具有第一金属图案间距(MX‑1P)的第一金属图案(MX‑1)；在第一金属图案之上沉积绝缘层；在绝缘层上定义具有多个基础位置的基础栅格，此些基础位置具有coreX间距(CoreXP)；移除绝缘层的预定部分以形成穿过预定组基础位置的多个基础开口；以及使用定向蚀刻(DrE)延伸基础开口以形成扩展基础开口，该等扩展基础开口用以形成下一金属层MX图案。
制造半导体元件方法

[发明专利]设计布局的方法-CN201911056968.5在审
发明人：彭士玮;赖志明;杨惠婷;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种设计布局的方法，包括以下操作，产生数个第一布线轨道，分配至该布局的第一彩色组。产生数个第二布线轨道，分配至该布局的第二彩色组，其中数个第一布线轨道的第一布线轨道在相邻的数个第二布线轨道的数个第二布线轨道之间。指明一彩色缝合区域，该彩色缝合区域连接数个第一布线轨道的受选第一布线轨道与该数个第二布线轨道的受选第一布线轨道，彩色缝合区域代表导电区域，导电区域通过受选第一布线轨道的一暴露部分连接第一导电元件与第二导电元件，受选第一布线轨道代表第一导电元件，受选第二布线轨道代表第二导电元件。
设计布局方法

[发明专利]集成电路-CN201911016264.5在审
发明人：萧锦涛;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本案提供一种集成电路，此集成电路包括基板及在与基板的顶表面平行的第一方向上延伸的第一导电线，其中第一导电线距离基板的顶表面第一距离。集成电路进一步包括在与基板的顶表面平行的第二方向上延伸的第二导电线，其中此第二导电线距离基板的顶表面第二距离，并且第二距离大于第一距离。集成电路进一步包括在第一方向上延伸的第三导电线，其中第三导电线距离基板的顶表面第三距离，并且第三距离大于第二距离。集成电路进一步包括直接连接至第一导电线及第三导电线的超通孔。
集成电路

[发明专利]集成电路结构-CN201910925666.0在审
发明人：萧锦涛;庄正吉;赖志明;曾健庭;林威呈;袁立本 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路结构包括：鳍片结构，沿着第一方向覆盖鳍片结构的接触件，以及介在接触件和鳍片结构之间的隔离层。隔离层沿着垂直于第一方向的第二方向与接触件的一部分相邻。
集成电路结构

[发明专利]制造半导体器件的方法和系统-CN201910931515.6在审
发明人：彭士玮;曾健庭;林威呈;杨登杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：方法(制造半导体器件的)包括，对于存储在非暂时性计算机可读介质上的布局图，生成该布局图包括：选择布局图中的候选图案，候选图案是M_2nd层级中的第一导电图案(第一M_2nd图案)或M_1st层级中的第一导电图案(第一M_1st图案)；确定候选图案满足一个或多个标准；并且改变候选图案的尺寸，从而修改布局图。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和用于制造半导体器件的系统。
制造半导体器件方法系统

[发明专利]具混合动力轨道结构的集成电路结构-CN201910916832.0在审
发明人：赖韦安;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集成电路结构包括具有前侧及后侧的基板，后侧为基板上与前侧相对的一侧。第一动力轨道在第一方向上延伸，嵌入基板的前侧中，并且提供第一供应电压。第二动力轨道提供与第一供应电压不同的第二供应电压，在第一方向上延伸，嵌入基板的前侧中，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一动力轨道分离。将第一元件安置在第一动力轨道与第二动力轨道之间且位于基板的前侧上。第一通孔结构延伸至基板的后侧且电耦接至第二动力轨道。
混合动力轨道结构集成电路

[发明专利]集成电路-CN201910927018.9在审
发明人：彭士玮;赖志明;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包含沿第一方向延伸的主动区域、与沿垂直于第一方向的第二方向延伸的间隙壁。间隙壁凸伸于基材中且将主动区域分成第一部分与第二部分。集成电路包含第一导电部与第二导电部均沿第二方向延伸且位于基材与金属层之间的中间层中。第一导电部与主动区域的第一部分中的第一晶体管的主动区形成导电接触，第二导电部与主动区域的第二部分中的第二晶体管的主动区形成导电接触。间隙壁连接第一导电部与第二导电部，而电性隔离第一导电部与第二导电部。
集成电路

[发明专利]用于标准单元的中段制程带-CN201710114441.8有效
发明人：沈孟弘;陈志良;杨超源;曾健庭;萧锦涛;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体结构，该半导体结构包含有源区、第一导电线、导电通孔、通过导电通孔与导电线连接的第一导电金属段、设置在有源区的上方的第二导电金属段以及被配置为连接第一导电金属段和第二导电金属段的局部导电段。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及用于标准单元的中段制程带。
用于标准单元中段制程带

[实用新型]一种服务器备用电源系统-CN201921337409.7有效
发明人： 林威呈 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及服务器电源技术领域，提供一种服务器备用电源系统，包括DC电源和至少一路与DC电源连接的备用电源供电电路，备用电源供电电路与系统负载连接，DC电源连接供电源；备用电源供电电路包括电源切换器、备用电源电路和电源保护电路，其中，电源切换器与DC电源连接，备用电源电路与电源切换器连接，电源保护电路分别与备用电源电路、系统负载连接；电源切换器的开关受备用电源电路的信号控制，从而实现有效实时的提供电源，并可根据系统负载的需求，提供对应的匹配电源，从而简化了电源供应器的结构和设计，降低成本，提高整个备用电源供电的系统安全性，也避免使用电解液所带来的风险。
一种服务器备用电源系统

[发明专利]集成电路单元-CN201811189027.4在审
发明人：赖韦安;庄惠中;曾健庭;林威呈;袁立本;陈彦豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在一实施例中，集成电路单元包括第一电路组件及第二电路组件。第一电路组件包括在集成电路单元的高鳍片部分中形成的鳍片场效晶体管(FinFETs)，集成电路的高鳍片部分包括成行布置的多个鳍片结构。第二电路组件包括在集成电路单元的较少鳍片部分中形成的鳍片场效晶体管，集成电路的较少鳍片部分比集成电路单元的高鳍片部分包括更少数目的鳍片结构。
集成电路单元

[发明专利]半导体装置及其制造方法与产生布局图的系统-CN201910651401.6在审
发明人： 林威呈;杨惠婷;曾健庭;袁立本;赖韦安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法与产生布局图的系统。产生布局图的方法，包含：识别布局图中具有多个单元的第一区域，第一区域包含大致上平行第一方向延伸的第一列及第二列，第一列及第二列具有大致上相异的单元密度；相对于大致上垂直于第一方向的第二方向，第一列及第二列分别具有第一高度(H1)及第二高度(H2)；对于在第一列的第一位置中具有第一高度的所述多个单元中的第一高度单元，以多列高度单元替换第一高度单元，相对于第一方向上，多列高度单元较第一单元窄；以及放置多列高度单元的第一部分于部分的第一位置，借以使第一列及第二列具更相似的单元密度。
高度单元布局图多列第一区域第一位置半导体装置方向延伸相异平行替换垂直制造

[发明专利]包含电源结构的集成电路-CN201910690002.0在审
发明人：彭士玮;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种包含电源结构的集成电路包含位于覆盖基板的第一金属层之下的两个埋入电力轨、以及在覆盖第一金属层的第二金属层中的两个上部电力轨。两个上部电力轨垂直于两个埋入电力轨。集成电路包含具有功能电路的电力拾取单元。功能电路包含在第一金属层之下的导电区段以及第一金属层中的电力垫。电力垫经由第一通孔导电连接到一个上部电力轨。第一电力垫经由第二通孔导电连接到第一导电区段。第一导电区段经由第三通孔导电连接到一个埋入电力轨。
电力轨第一金属层导电连接导电区段电力垫埋入通孔功能电路集成电路第二金属层电源结构覆盖基板拾取单元垂直覆盖

[发明专利]多鳍片高度集成电路的修改方法-CN201910566417.7在审
发明人： 林威呈;杨惠婷;曾健庭;袁立本;赖韦安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种修改多鳍片高度集成电路的方法包含以下的操作：识别集成电路的至少两个含鳍片功能区域；针对一连串鳍片高度中每一鳍片高度产生集成电路的每一含鳍片功能区域的效能曲线；以及决定对于每一效能曲线而言是否存在拐点。方法进一步包含关于以下的操作：选择含鳍片功能区域中每一者的效能特性的值，选定值在含鳍片功能区域中的每一者中具有对应的鳍片高度；修改每一含鳍片功能区域以具有对应于效能特性的选定值的鳍片高度；以及组合经修改的含鳍片功能区域以形成经修改的集成电路。本案通过调整鳍片尺寸修改集成电路的电导参数以降低功耗。
鳍片功能区域集成电路效能曲线效能特性高度集成电路尺寸修改电导参数降低功耗拐点

[发明专利]集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法-CN201910462226.6在审
发明人：陈志良;周雷峻;刘逸群;萧锦涛;杨惠婷;林威呈;刘俊宏;曾健庭;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种集成背侧电源网格的半导体装置及其相关的集成电路与制造方法，所述半导体装置包含衬底、介电区、多个导电区、第一导电轨及导电结构。所述介电区位于所述衬底上。所述多个导电区位于所述介电区上。所述第一导电轨位于所述介电区内，且电连接到所述多个导电区的第一导电区。所述导电结构经布置以穿透所述衬底且形成于所述第一导电轨下方。所述导电结构电连接到所述第一导电轨。
导电轨导电区导电结构介电区衬底半导体装置电连接电源网格介电集成电路穿透制造

[发明专利]具有槽孔的集成电路及其形成方法-CN201510733450.6有效
发明人： 林威呈;曾健庭;普拉纳什·纳拉亚纳塞蒂;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路包括在集成电路的第一金属层级上的第一导线。集成电路还包括在集成电路的第二金属层级上的第二导线。集成电路还包括将第一导线与第二导线电连接的槽孔。槽孔与第一导线以及与第二导线重叠。槽孔延伸超出第一导线或第二导线的至少一个的外围。本发明实施例涉及具有槽孔的集成电路及其形成方法。
具有集成电路及其形成方法