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[发明专利]一种磷化铟E/D多功能芯片及制备方法-CN202310997173.4在审
发明人：孙远;吴少兵;张亦斌;梁宗文;石浩;付登源 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟E/D多功能芯片，包括衬底、外延结构、栅极形貌和金属层；外延结构设于衬底上，自下而上依次包括缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、势垒层、InP复合势垒层和帽层；其中，InP复合势垒层作为栅极肖特基结接触层；衬底为半绝缘磷化铟衬底；栅极形貌为“T”型栅，设于外延结构上并埋入外延结构一定深度；金属层覆盖栅极形貌。本发明制备方法包括步骤：准备衬底及外延结构，并完成隔离及源漏欧姆接触等前置工艺；完成增强型晶体管制备并生长钝化介质，同时完成Pt埋栅工艺热处理；完成耗尽型晶体管制备并生长钝化介质；完成其他正面及背面工艺。本发明能满足高频高速要求下的E/D多功能及数字电路等芯片应用。
一种磷化多功能芯片制备方法

[发明专利]一种温度传感器-CN202011461453.6有效
发明人：赵东艳;王于波;张鹏;张海峰;陈燕宁;王帅鹏;王峥;付振;郭彦;付登源;朱银芳;杨晋玲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;中国科学院半导体研究所;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
一种温度传感器

[发明专利]激光器阵列驱动装置及其封装方法-CN201910992563.6有效
发明人：王栎皓;朱银芳;付登源;杨晋玲;赵松庆;吴根水;陈海燕 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器阵列驱动装置及其封装方法，该装置包括：承载基板，表面有焊盘；激光器阵列芯片，包括n×n个相同或不同的激光器器件，其中n≥1；导热膜，设置于激光器阵列芯片与承载基板之间；激光器驱动模块，与激光器阵列芯片间通过电学连接结构连接；隔热结构，设置于激光器驱动模块片与承载基板之间；以及热沉结构，与所述承载基板相连接。本公开提供的该激光器阵列驱动装置及其封装方法，采用三维堆叠封装，通过导热薄膜进行有效的片间散热，具有响应时间短、集成度高、可靠性高等特点，相比于其他驱动及封装方法大大提高了驱动同一性、发射功率和空间利用率，因此在光学成像、通信、互联、存储等领域具有广泛应用前景。
激光器阵列驱动装置及其封装方法