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- [发明专利]适合热压烧结的陶瓷介质材料、陶瓷器件及其制备方法-CN202210463952.1有效
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杨和成;罗超;张军志;罗昌宸
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厦门松元电子股份有限公司
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2022-04-29
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2023-04-07
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C04B35/495
- 本发明提供一种适合热压烧结的陶瓷介质材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。该陶瓷材料包括质量分数为98.5～99.5％的主材料和质量分数为0.5～1.5％的改性添加物，主材料为质量比90～93％材料A与7～10％材料B组成，其中A的化学式为Ba3MgxCo1‑xNb2O9，0.4x0.75，B的化学式为Zn0.8Mg0.2Nb2O6。在该材料的制备方法中，使用预先合成好的材料A与材料B进行研磨混合，再次预烧获得的主材料，可有效的保证了材料原始结构，将两者在相对较低的温度下再次进行预烧提前预复合，还能够避免高温引起的杂质生成和空洞增多。本发明提供的陶瓷介质材料，可在1450～1550℃，1‑3Mpa气压环境下烧结成瓷，其室温下介电常数介于32‑36之间，Qf值≥100000，温度系数τf(‑40～110℃)：±5ppm/℃，性能优良，可满足微波器件性能要求。
- 适合热压烧结陶瓷介质材料器件及其制备方法
- [发明专利]高温下近零温度系数的微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202110366126.0有效
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杨和成;张军志;罗昌宸
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厦门松元电子股份有限公司
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2021-04-06
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2022-11-11
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C04B35/465
- 本发明提供一种高温下近零温度系数的微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括基料和改性添加物，基料的化学表达式为：(Mg,Ca,Sr)xLn2y(Si,Ti)O2+x+3y，其中0.80≤x≤1.20，0.00y≤0.03，Ln选自La、Y、Ce、Sm、Dy、Ho、Er、Nd中的一种或多种；基料在微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为98.5～100wt％；改性添加物在微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为0～1.5wt％。该材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成一次合成陶瓷基料，辅以一定的掺杂改性添加物，制作电子陶瓷器件的介电常数17～25，品质因数≥40000GHz，温度系数τf(‑55～125℃)：＜±5ppm/℃，在180℃的全温度范围内，温度系数τf＜±5ppm/℃。该材料均匀性好，适合微波器件的制作，特别适合温度差异大的环境中使用。
- 高温下近零温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种微波器件用的低介电常数陶瓷材料及其制备方法-CN202011145097.7有效
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杨和成;张军志;罗昌宸
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-10-23
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2022-09-16
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C04B35/20
- 本发明提供一种微波器件用的低介电常数陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材由经过稀土LnaOb掺杂的Mg2+xSi5+xAl4‑2xO18与预烧后的SnO2·TiO2混合物组成掺杂LnaOb的Mg2+xSi5+xAl4‑2xO18·y(SnO2·TiO2)，其中0x0.5，0y0.20，Ln选自Y、Ce、Sm、Pr、La、Dy、Ho、Er或者Nd。主材在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％，改性添加物在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成主材成分，掺杂改性添加物，经过合理设计配方，优化合成工艺，粒度D50在0.6‑2.10um的粉体，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1320～1420℃的温度范围内烧结成瓷，其室温介电常数ε介于4.5～6.5之间，品质因数Qf值≥60000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃。
- 一种微波器件介电常数陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011145107.7有效
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杨和成;张军志;罗超
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-10-23
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2022-09-16
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C04B35/14
- 本发明提供一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材和改性添加物，主材的化学通式为Mg6‑4xSn4ySi20+4xAl16‑4yTi1‑2x‑yO72，其中0x0.05，0.05y0.2。主材在微波介质陶瓷材料中的质量分数为99.6～99.9wt％，改性添加物占比为0.1～0.4wt％。本发明通过一次固相法合成主材Mg6‑4xSn4ySi20+4xAl16‑4yTi1‑2x‑yO72，步骤少，在主材中加入改性添加剂，制备出均匀的粉末态微波介质陶瓷材料，该粉料在1370‑1430℃下烧结后得到成型的具有微波性能的微波介质陶瓷材料，本发明通过调整原材料合成的配比形成低室温介电常数介于5～7，高品质因数Qf≥60000GHz，温度系数τf(‑40～125℃)：±10ppm/℃以内的陶瓷材料，大大提高了后端的应用可靠性与稳定性，满足微波器件的微波性能要求。
- 一种qf介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种抗雷击波的高耐压陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法-CN202210463951.7在审
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杨和成;张军志;罗昌宸;罗英海
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厦门松元电子股份有限公司
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2022-04-29
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2022-07-29
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H01G4/12
- 本发明提供一种用于制作抗雷击波的高耐压陶瓷电容器用的陶瓷介质材料及制备方法，涉及陶瓷介质技术领域。该陶瓷介质材料包括主晶相材料A、辅助材料B和助溶剂C。主晶相材料为(Ba1‑xSrx)1.002(ZryTi1‑y)O3，其中0x0.1，0y0.4。辅助材料为掺杂了过渡元素L的氧化物后得到的Ca1‑zLzTiO3，其中0z0.02。主晶相材料和辅助材料的质量比为(10～35)：1。按比例将A+B+C混合研磨后，加入改性聚乙烯醇等，经喷雾干燥后即可获得所需的粉体，将获得的陶瓷介质材料的制成坯片，在空气气氛中经1280℃～1380℃的温度烧结，并金属化后，可获得介电常数介于7000～12000之间，‑25℃～+85℃的容温变化率介于+20％～‑55％之间，介质损耗≤0.70％的陶瓷电容器，其耐交流电压值≥5KV/mm的产品，经1.2‑50us/8‑20us组合波，阻抗2‑12Ω范围雷击测试，其失效电压≥6.5KV。
- 一种雷击耐压陶瓷介质材料电容器及其制备方法
- [发明专利]一种高强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011146843.4有效
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张军志;杨和成;罗超
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-10-23
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2022-07-26
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C04B35/465
- 本发明提供一种高强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材包括稀土氧化物LnaOb掺杂的Mg2‑3xCaxTiO4‑2x，以及MgSiO3，其中Ln为La、Y、Ce、Sm、Pr、Dy、Ho、Er或者Nd；主材的化学式为Mg2‑3xCaxTiO4‑2x(zLnaOb)·yMgSiO3，其中0.1≤x≤0.60，0y≤0.20，0.005≤z≤0.01。本发明的陶瓷介质材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成Mg2‑3xCaxTiO4‑2x与MgSiO3作为主材的成分，掺杂改性添加物，制备出粉体平均粒径为0.5‑1.0um，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1300～1380℃的温度范围内烧结成瓷，其介电常数ε介于17～24之间，品质因数Qf值≥40000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃，抗弯强度达到200MPa以上。
- 一种强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种ZMAT系微波陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202011146815.2有效
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杨和成;张军志;罗昌宸
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-10-23
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2022-06-07
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C04B35/195
- 本发明提供一种ZMAT系微波陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主晶相与改性添加物，主晶相又包括主材和辅材。主晶相的化学通式为Mg2SnxSi5+2xAl4‑4xO18·aZr1‑3yLa4yTiO4，其中0.05x0.1，0.1y0.3，0.01a0.05。其中Mg2SnxSi5+2xAl4‑4xO18为主材的化学通式，Zr1‑3yLa4yTiO4为辅材的化学通式。主晶相在陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％，改性添加物在所述陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。改性添加物选自SrCO3、BaCO3、TiO2、Nb2O5、Sb2O3和MnCO3中的一种或一种以上混合物。本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料，其是采用固相法分别合成主材Mg2SnxSi5+2xAl4‑4xO18以及辅材Zr1‑3yLa4yTiO4，制备出均匀的粉末态陶瓷材料，粉材烧结后得到室温介电常数介于5～8之间，Qf值≥60000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃的微波陶瓷材料，满足微波器件的相关微波性能要求。
- 一种zmat微波陶瓷材料及其制备方法应用
- [发明专利]一种微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202010598495.8有效
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张军志;杨和成;罗超
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-06-28
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2022-05-03
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C04B35/465
- 本发明提供一种微波介质陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材的化学式为Mg2‑3xCaxTiO4‑2x·yCaSiO3，其中0.01≤x≤0.50，0.00y≤0.20；所述主材在所述微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为99.2～99.8wt％；所述改性添加物在所述微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为0.2～0.8wt％。改性添加物选自BaCO3、SrCO3、ZnO、MnCO3、Sb2O3、SiO2和MnO2中的一种或几种。本发明的陶瓷介质材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成Mg2‑3xCaxTiO4‑2x与CaSiO3作为主材的成分，掺杂改性添加物，经过合理设计配方，优化合成工艺，制备出粉体平均粒径为0.4‑1.0um，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1300～1380℃的温度范围内烧结成瓷，其介电常数ε介于18～23之间，品质因数Qf值≥40000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃。
- 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器-CN202010598548.6有效
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张军志;杨和成;贺凯强
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-06-28
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2022-04-01
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C04B35/47
- 本发明提供一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器，涉及陶瓷介质材料领域。本发明材料包括质量分数为93～98％的主晶相成分和2～7％的改性添加物，主晶相成分为(CaxSr1‑xMna)ZryTizO3，0.2≤x≤0.4，1.02≤y≤1.08，0.02≤z≤0.06，0.02≤a≤0.06，改性添加物选自Nb2O5、MnCO3、BaCO3、Al2O3、ZnO、SiO2、Mg(OH)2中的三种或以上。将钙、锶及锰各自的氧化物或碳酸盐、二氧化锆、二氧化钛加水球磨、干燥、1130℃～1200℃煅烧2～4h，得到主晶相成分，再加改性添加物、加水球磨、干燥得高频陶瓷介质材料。该材料具有良好的介电性能，能够在还原气氛中以较低的1160±20℃烧结，制得多层陶瓷电容器，介电常数29～35，符合COG特性要求及多层陶瓷电容器高性能、贱金属化发展趋势的要求。
- 一种高频陶瓷介质材料及其制备方法多层电容器
- [发明专利]一种具有高品质因数低介电常数的陶瓷材料及其制备方法-CN202010242917.8有效
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张军志;杨和成;凌志辉
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-03-31
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2022-03-11
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C04B35/10
- 本发明提供一种具有高品质因数低介电常数的陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材及改性添加物。其中，主材包括MgAl2O4、CaSiO3和CaTiO3。按质量计算，MgAl2O4:CaSiO3:CaTiO3＝(55～75)：(20～40)：(1～30)。改性添加物选自BaCO3、MnCO3、MnO2、La2O3、ZnO、Sb2O3中的一种或几种。本发明的陶瓷介质材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法分别合成MgAl2O4、CaSiO3和CaTiO3，并将这三种化合物混合作为主材，结合了它们的微波介电性质，并掺杂改性添加物，经过合理设计配方，优化合成工艺，利用该材料制成的电子陶瓷器件可在1500～1540℃的温度范围内烧结成瓷，其介电常数ε介于5～8之间，品质因数Qf值≥70000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃。本发明制备的陶瓷材料均匀性好，满足微波器件的高性能要求。
- 一种具有品质因数介电常数陶瓷材料及其制备方法
- [发明专利]一种低介电常数陶瓷材料及其制备方法-CN202010598569.8有效
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张军志;杨和成;罗昌宸
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厦门松元电子股份有限公司
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2020-06-28
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2022-03-11
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H01B3/12
- 本发明提供一种低介电常数陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材的化学式为ZnxSiO4·y(Al2O3·0.05TiO2)，其中1.2x2.5，0y0.25；所述主材在所述低介电常数陶瓷材料中所占的质量分数为97～99wt％；所述改性添加物在所述低介电常数陶瓷材料中所占的质量分数为1～3wt％。改性添加物选自BaCO3、SrCO3、Nb2O5、Ce2O3、NiO、Mg(OH)2、CaCO3、ZrO2和TiO2中的一种或几种。本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成主材成分，掺杂改性添加物，经过合理设计配方，优化合成工艺，制备出平均粒径为0.5‑1.0um粉体，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1240～1320℃的温度范围内烧结成瓷，其室温介电常数ε介于4.5～7之间，品质因数Qf值≥40000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±20ppm/℃。
- 一种介电常数陶瓷材料及其制备方法
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