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[发明专利]高耐压陶瓷电容器介质材料、其制备方法及其电容器的制备方法-CN201910941093.0有效
发明人：李经仁;林康;邹海雄;张军志 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了高耐压陶瓷电容器介质材料，包括主材料及改性剂，所述的主材料为Sr、Mg掺杂的BaTiO3，所述的改性剂为占主材料的质量百分比为以下比例的原料组成：ZnO 0.5～1%，Y2O30.5～1.2%，MnCO3 0.1~0.5%，ZrO2 0.1~0.5%。本发明还公开了高耐压陶瓷电容器介质材料的制备方法，以及高耐压陶瓷电容器的制备方法，本发明通过Sr、Mg的氧化物或碳酸盐的形式进行预先掺杂，得到掺杂有Sr、Mg的BaTiO3,同时配合改性剂使用，实现了材料的高耐压特性。
耐压陶瓷电容器介质材料制备方法及其

[发明专利]适合热压烧结的陶瓷介质材料、陶瓷器件及其制备方法-CN202210463952.1有效
发明人：杨和成;罗超;张军志;罗昌宸 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种适合热压烧结的陶瓷介质材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。该陶瓷材料包括质量分数为98.5～99.5％的主材料和质量分数为0.5～1.5％的改性添加物，主材料为质量比90～93％材料A与7～10％材料B组成，其中A的化学式为Ba3MgxCo1‑xNb2O9，0.4x0.75，B的化学式为Zn0.8Mg0.2Nb2O6。在该材料的制备方法中，使用预先合成好的材料A与材料B进行研磨混合，再次预烧获得的主材料，可有效的保证了材料原始结构，将两者在相对较低的温度下再次进行预烧提前预复合，还能够避免高温引起的杂质生成和空洞增多。本发明提供的陶瓷介质材料，可在1450～1550℃，1‑3Mpa气压环境下烧结成瓷，其室温下介电常数介于32‑36之间，Qf值≥100000，温度系数τf(‑40～110℃)：±5ppm/℃，性能优良，可满足微波器件性能要求。
适合热压烧结陶瓷介质材料器件及其制备方法

[实用新型]一种绝缘套管及天线-CN202222129102.6有效
发明人：许慧云;凌志辉;李龙斌;张冰娴 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01B17/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘套管及天线，属于微波通讯技术领域，绝缘套管，包括管部和设置于管部一端的挡部，挡部朝管部的周向延伸，管部和挡部的中部均具有用于天线的PIN针穿过的穿孔。本实用新型的绝缘套管及天线，通过挡部的设置，有效起到绝缘套管的防脱落作用，提高天线封装可靠性。
一种绝缘套管天线

[实用新型]一体化多频天线-CN202222129742.7有效
发明人：许慧云;凌志辉;李龙斌;张冰娴 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一体化多频天线，属于微波通讯技术领域，一体化多频天线，包括相互堆叠的至少两个介质层、馈针、以及导电层，每个介质层的尺寸一致，每层介质层均设置有馈针，介质层的至少一面具有导电层，且通过导电层将相邻的两个介质层紧密连接于一体。本实用新型的一体化多频天线，各层介质层的尺寸一致，且各层之间不需要预留隔离空隙，在有限空间内，获得最好的天线性能。
一体化天线

[发明专利]一体化多频天线-CN202210969767.X在审
发明人：许慧云;凌志辉;李龙斌;张冰娴 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一体化多频天线，属于微波通讯技术领域，一体化多频天线，包括至少两层尺寸相同的介质件，每层介质件均设置有馈针，相邻的两个介质件之间均通过导电层紧密连接，导电层与相邻的导电层/相邻的介质件之间通过刚性连接于一体。本发明的一体化多频天线，各层介质件的尺寸一致，且各层之间不需要预留隔离空隙，在有限空间内，获得最好的天线性能。
一体化天线

[发明专利]一种高介电常数高Qf值的陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202011146826.0有效
发明人：杨和成;张军志;罗昌宸 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数高Qf值的陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主晶相与改性添加物。主晶相包括主材和辅材。主晶相的化学通式为Ba4+2xLn4+8xTi22‑7xO54·yZr0.8Sn0.2TiO4，其中0x0.13且0y0.05；其中Ba4+2xLn4+8xTi22‑7xO54为主材的化学通式，Ln选自La、Y、Sm、Dy、Ho、Er和Nd中的一种或几种。Zr0.8Sn0.2TiO4为辅材的化学式。主晶相在陶瓷材料中的质量分数为99～99.5wt％，改性添加物在陶瓷材料中的质量分数为0.5～1wt％。采用固相法分别合成主材以及辅材，制备出均匀的粉末态陶瓷材料，该粉末态的陶瓷材料烧结后得到具有高介电常数高Qf值的陶瓷材料，该材料能满足微波器件的高介电常数高Qf值要求。
一种介电常数 qf 陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]高温下近零温度系数的微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202110366126.0有效
发明人：杨和成;张军志;罗昌宸 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供一种高温下近零温度系数的微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括基料和改性添加物，基料的化学表达式为：(Mg,Ca,Sr)xLn2y(Si,Ti)O2+x+3y，其中0.80≤x≤1.20，0.00y≤0.03，Ln选自La、Y、Ce、Sm、Dy、Ho、Er、Nd中的一种或多种；基料在微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为98.5～100wt％；改性添加物在微波介质陶瓷材料中所占的质量分数为0～1.5wt％。该材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成一次合成陶瓷基料，辅以一定的掺杂改性添加物，制作电子陶瓷器件的介电常数17～25，品质因数≥40000GHz，温度系数τf(‑55～125℃)：＜±5ppm/℃，在180℃的全温度范围内，温度系数τf＜±5ppm/℃。该材料均匀性好，适合微波器件的制作，特别适合温度差异大的环境中使用。
高温下近零温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]结构混合型陶瓷介质带通滤波器-CN202210708649.3在审
发明人：王俊元;吴育锋;陈康彩;林宜静;李伟斌 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种结构混合型陶瓷介质带通滤波器，其包括陶瓷基体、第一输入输出电极以及第二输入输出电极，陶瓷基体包括开放面、短路面以及IO面；陶瓷基体设置有从开放面贯穿至所述短路面的六个第一谐振腔以及两个第二谐振腔；六个第一谐振腔以及两个第二谐振腔沿陶瓷基体的长度方向排布，且两个第二谐振腔分别设置在六个第一谐振器的两侧；第一输入输出电极以及第二输入输出电极设置在IO面的两侧，并延伸至开放面；第一输入输出电极、第二输入输出电极和六个第一谐振腔以耦合方式形成六阶带通滤波器；两个第二谐振腔分别和第一输入输出电极、第二输入输出电极耦合形成两个陷波器。本实施例将两种形态功能的滤波器集成一体，且结构设计简明。
结构混合陶瓷介质带通滤波器

[发明专利]一种微波器件用的低介电常数陶瓷材料及其制备方法-CN202011145097.7有效
发明人：杨和成;张军志;罗昌宸 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明提供一种微波器件用的低介电常数陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材由经过稀土LnaOb掺杂的Mg2+xSi5+xAl4‑2xO18与预烧后的SnO2·TiO2混合物组成掺杂LnaOb的Mg2+xSi5+xAl4‑2xO18·y(SnO2·TiO2)，其中0x0.5，0y0.20，Ln选自Y、Ce、Sm、Pr、La、Dy、Ho、Er或者Nd。主材在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％，改性添加物在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成主材成分，掺杂改性添加物，经过合理设计配方，优化合成工艺，粒度D50在0.6‑2.10um的粉体，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1320～1420℃的温度范围内烧结成瓷，其室温介电常数ε介于4.5～6.5之间，品质因数Qf值≥60000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃。
一种微波器件介电常数陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011145107.7有效
发明人：杨和成;张军志;罗超 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明提供一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材和改性添加物，主材的化学通式为Mg6‑4xSn4ySi20+4xAl16‑4yTi1‑2x‑yO72，其中0x0.05，0.05y0.2。主材在微波介质陶瓷材料中的质量分数为99.6～99.9wt％，改性添加物占比为0.1～0.4wt％。本发明通过一次固相法合成主材Mg6‑4xSn4ySi20+4xAl16‑4yTi1‑2x‑yO72，步骤少，在主材中加入改性添加剂，制备出均匀的粉末态微波介质陶瓷材料，该粉料在1370‑1430℃下烧结后得到成型的具有微波性能的微波介质陶瓷材料，本发明通过调整原材料合成的配比形成低室温介电常数介于5～7，高品质因数Qf≥60000GHz，温度系数τf(‑40～125℃)：±10ppm/℃以内的陶瓷材料，大大提高了后端的应用可靠性与稳定性，满足微波器件的微波性能要求。
一种 qf 介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种全频天线-CN202220720171.1有效
发明人：许慧云;凌志辉;李龙斌;牟学赞;张冰娴 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全频天线，包括至少两第一馈针、至少两第二馈针，以及自上而下依次设置的上层银面、上层介质板、下层银面、下层介质板和接地银面。上层银面固定在上层介质板的上表面，下层银面固定在下层介质板的上表面，接地银面固定在下层介质板的下表面。上层银面的边沿向外延伸出至少两个第一凸起；下层银面的边沿向外延伸出至少两个第二凸起。第一馈针连接上层银面和接地银面，第二馈针连接下层银面和接地银面；两两相邻的第一馈针馈电相位形成90°差值，两两相邻的第二馈针馈电相位形成90°差值。通过凸起的设置，在调频时可以通过将其刮除的方式实现降频，具有更大的调频阈值。本实用新型结构简单，体积小，可以获得较高的增益。
一种天线

[发明专利]一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法-CN202210463934.3在审
发明人：张军志;罗超;杨和成;罗昌宸 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种抗阶梯电压的高介电陶瓷介质材料及其制备方法，涉及陶瓷介质技术领域。该陶瓷介质材料包括主晶相材料、辅助材料和改性添加物，主晶相材料A为经过Mn掺杂的BaSnxTi1‑xO3，0x0.1，辅助材料B为Sr0.98‑yCayBi0.02TiO3，0y0.4，将A与B按一定比例混合，然后再辅以Zr、Mg、Si、Zn、La、Sm、Ce、Y、Nb、Cu等三种或以上的氧化物做为改性添加物对陶瓷介质材料进行改性。获得的陶瓷介质材料的制成一定尺寸规格的坯片，在空气气氛中经1300℃～1380℃的温度范围内烧结，并金属化后，可获得介电常数介于3000～4500之间连续可调，介质损耗≤1.2％的陶瓷电容器，其耐交流电压值≥5kV/mm，符合Y5P特性的产品，其失效电压≥7.0kV。该陶瓷介质材料分散度及均匀性好，性能优良。
一种阶梯电压高介电陶瓷介质材料电容器及其制备方法

[发明专利]一种抗雷击波的高耐压陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法-CN202210463951.7在审
发明人：杨和成;张军志;罗昌宸;罗英海 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制作抗雷击波的高耐压陶瓷电容器用的陶瓷介质材料及制备方法，涉及陶瓷介质技术领域。该陶瓷介质材料包括主晶相材料A、辅助材料B和助溶剂C。主晶相材料为(Ba1‑xSrx)1.002(ZryTi1‑y)O3，其中0x0.1，0y0.4。辅助材料为掺杂了过渡元素L的氧化物后得到的Ca1‑zLzTiO3，其中0z0.02。主晶相材料和辅助材料的质量比为(10～35)：1。按比例将A+B+C混合研磨后，加入改性聚乙烯醇等，经喷雾干燥后即可获得所需的粉体，将获得的陶瓷介质材料的制成坯片，在空气气氛中经1280℃～1380℃的温度烧结，并金属化后，可获得介电常数介于7000～12000之间，‑25℃～+85℃的容温变化率介于+20％～‑55％之间，介质损耗≤0.70％的陶瓷电容器，其耐交流电压值≥5KV/mm的产品，经1.2‑50us/8‑20us组合波，阻抗2‑12Ω范围雷击测试，其失效电压≥6.5KV。
一种雷击耐压陶瓷介质材料电容器及其制备方法

[发明专利]一种高强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011146843.4有效
发明人：张军志;杨和成;罗超 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供一种高强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材包括稀土氧化物LnaOb掺杂的Mg2‑3xCaxTiO4‑2x，以及MgSiO3，其中Ln为La、Y、Ce、Sm、Pr、Dy、Ho、Er或者Nd；主材的化学式为Mg2‑3xCaxTiO4‑2x(zLnaOb)·yMgSiO3，其中0.1≤x≤0.60，0y≤0.20，0.005≤z≤0.01。本发明的陶瓷介质材料是一种无铅环保型材料，采用固相合成方法合成Mg2‑3xCaxTiO4‑2x与MgSiO3作为主材的成分，掺杂改性添加物，制备出粉体平均粒径为0.5‑1.0um，利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1300～1380℃的温度范围内烧结成瓷，其介电常数ε介于17～24之间，品质因数Qf值≥40000GHz，温度系数τf(‑40～85℃)：±10ppm/℃，抗弯强度达到200MPa以上。
一种强度钙镁钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种低插损陶瓷介质滤波器-CN202123411135.1有效
发明人：吴育锋;陈康彩;陈贤旺 -专利权人： 厦门松元电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低插损陶瓷介质滤波器，包括：陶瓷介质主体，其包括相对设置的开放面和短路面以及若干侧面，开放面上设置输入端通孔、输出端通孔及若干中间通孔，侧面上靠近短路面位置设置有至少一条耦合槽；金属银覆盖层覆盖设置于输入端通孔、输出端通孔及中间通孔的内侧及陶瓷介质主体的表面；输入端金属加载层，位于开放面上与输入端通孔连接；输出端金属加载层，位于开放面上与输出端通孔连接；电感线，位于开放面上输入端通孔、输出端通孔及中间通孔的外围；输入耦合电极，包括输入电极和与其连接的输入端金属层；输出耦合电极，包括输出电极和与其连接的输出端金属层。本实用新型通过增强感性耦合，使得滤波器频宽变宽，插损较小。
一种低插损陶瓷介质滤波器

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