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[发明专利]行译码器及存储器-CN201610069301.9有效
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：一种行译码器及存储器，所述行译码器包括第一级译码电路以及第二级译码电路，其中：所述第一级译码电路，与所述第二级译码电路耦接，适于将生成的选择信号以及反相选择信号分别输入至所述第二级译码电路；所述第二级译码电路包括第一偏置电压源以及第二偏置电压源，且第一偏置电压源的输出电压值V_biasP满足：0≤V_biasP≤1/2×V_PWR±V_t，所述第二偏置电压源的输出电压值V_biasN满足：V_t≤V_biasN≤1/2×V_PWR±V_t，且V_PWR与V_biasP之差以及V_PWR与V_biasN之差均小于预设电压值。采用所述行译码器及存储器，可以减少行译码器的电路面积，降低行译码器的成本。
行译码器译码电路偏置电压源存储器输出电压选择信号第一级预设电压反相耦接电路

[实用新型]一种用于大棚营养育苗池的苜蓿育苗盘-CN201721377154.8有效
发明人：张守龙;李德明;罗世宝;吴晓祥;赵子康;杨春兰;周靖文;董琼微;杨光军;耿光红;张思延;史海辉 -专利权人：祥云县润禾农业有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大棚营养育苗池的苜蓿育苗盘，包括若干个育苗盘、育苗盘升降丝杆电机、水位传感器、控制装置，所述的育苗盘之间通过铰链可拆卸连接，所述的育苗盘侧面固结有育苗盘连接件，所述的育苗盘连接件上方设有育苗盘升降丝杆电机，且育苗盘升降丝杆电机的丝杆穿过育苗盘连接件，使育苗盘升降丝杆电机能够带动育苗盘连接件、育苗盘升降，所述的育苗盘升降丝杆电机的丝杆的底端伸入到营养育苗池内，所述的水位传感器设于育苗盘侧面，所述的控制装置分别与育苗盘升降丝杆电机、水位传感器电连接。
一种用于大棚营养育苗苜蓿

[外观设计]包装盒（无患子沐浴皂）-CN201730424259.3有效
发明人： 杨光军 -专利权人：江油市守望者生物科技有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：包装盒（无患子沐浴皂）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于沐浴皂的包装。3．本外观设计产品的设计要点：形状和图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：俯视图。5．省略视图：仰视图为非常规视图，省略仰视图。
包装无患子沐浴

[发明专利]电荷泵系统及存储器-CN201410353775.7有效
发明人：张圣波;胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种电荷泵系统及存储器。所述电荷泵系统适于提供存储器的操作电压，包括电荷泵、采样电路以及电压比较器，还包括电压补偿电路；所述电压补偿电路包括补偿电流提供单元，适于提供补偿电流，所述补偿电流的电流值根据ic＝ir×(N0‑N1)确定，ic为所述补偿电流的电流值，ir为基准电流的电流值，N0为所述存储器执行编程操作时被选中的存储单元的数量，N1为所述被选中的存储单元中需要被写入二进制数据0的存储单元的数量；第一电流镜，适于对所述补偿电流进行镜像以输出镜像电流至所述采样电路的输出端。本发明提供的电荷泵系统通过对源线上的电压进行补偿，提高了存储器的编程效率。
电荷系统存储器

[发明专利]倍压电路-CN201510465530.8有效
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：一种倍压电路，包括电压调整电路、第一薄栅PMOS管、薄栅NMOS管级联形成的晶体管组和开关控制电路。所述开关控制电路耦接所述第一薄栅PMOS管的栅极，适于在所述电源电压的下降沿导通所述第一薄栅PMOS管，且导通所述第一薄栅PMOS管后维持第一薄栅PMOS管的栅极电压为高电平。因此，所述倍压电路实现了薄栅晶体管代替传统厚栅晶体管作为升压元件，可减小晶体管的占用空间。另外，所述倍压电路的结构简单，易于实现，也有利于电路的集成。
压电

[发明专利]一种山区风电场高陡弃渣边坡加筋锚固生态修复系统-CN201610017762.1有效
发明人：常理;王火云;李鑫;赵谊;魏浪;张习传;纵霄;王海磊;王菊;周超;杨光军;周超洪;周宏;曹仕凯;丁洪盛 -专利权人：中国电建集团贵阳勘测设计研究院有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种山区风电场高陡弃渣边坡加筋锚固生态修复系统，包括布置于弃渣坡面上的坡面加筋固土结构、边坡排水结构、底部拦挡结构及坡面植被恢复结构；所述坡面加筋固土结构包括加筋网及若干挡板，且加筋网及挡板通过主锚杆与U型钉固定在弃渣坡面上；所述边坡排水结包括截水沟及排水沟，截水沟设置在弃渣边坡顶部，排水沟与截水沟相连；所述底部拦挡结构包括挡墙，挡墙设置在弃渣边坡底部。本发明使山区风电场高陡弃渣边坡具备一般乔(灌)草生长条件，确保短期内能达到一定的生态恢复效果，同时又能满足山区风电场高陡弃渣边坡的长期稳定与水土流失防治要求，从而突破山区风电场高陡弃渣边坡传统水土保持治理的技术水平限制。
一种山区电场高陡弃渣边坡加筋锚固生态修复系统

[发明专利]存储器系统-CN201410857335.5有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种存储器系统，其中，存储单元适于在擦除、编程或读取操作中使用所述局部字线上的电压；所述控制NMOS管的源极连接所述局部字线，漏极连接所述全局字线，栅极连接所述信号线；所述控制单元适于在接收到所述擦除、编程或读取操作的结束信号后，输出第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号具有第一脉冲，所述第二控制信号具有第二脉冲，所述第一脉冲和第二脉冲非交叠且所述第二脉冲迟于所述第一脉冲；所述第一放电单元适于接收所述第一控制信号，在所述第一脉冲期间对所述全局字线进行放电；所述第二放电单元适于接收所述第二控制信号，在所述第二脉冲期间对所述信号线进行放电。
存储器系统

[发明专利]读出放大器-CN201410465842.4有效
发明人：冯楚华;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种读出放大器，包括第一级比较器、第二级比较器与电源弱相关偏置电压产生电路，该电源弱相关偏置电压产生电路分别连接该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路，以产生一与阈值电压相关而与电源电压弱相关的偏置电压给该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路。本发明通过将读出放大器的比较器的电流偏置电路的管子栅极固定在一个跟阈值电压相关、跟电源电压弱相关的电位上，减少了读出放大器在电源电压和工艺变化下的功耗。
读出放大器

[发明专利]一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法-CN201710885049.3在审
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法，该存储器阵列结构包括第一存储器区块，用于存储数字信息和在第二存储区块的存储单元读出时产生参考电流；第二存储器区块，用于存储数字信息和在第一存储区块的存储单元读出时产生参考电流；行译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应行的电压；字线切换电路，用于在读出时选择被选中存储单元所在存储区块以外的存储区块的参考存储扇区对应列的参考存储单元；列译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应列的电压，通过本发明，可实现一种既可以跟踪字线等电压的变化，也可避免编程串扰的存储器阵列。
一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法

[发明专利]非易失性存储器系统-CN201410084253.1有效
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器系统，包括闪存阵列、第一行译码器、第一列译码器、第一读取电路、第一控制电路、EEPROM存储阵列、第二行译码器、第二列译码器、第二读取电路以及第二控制电路，还包括电荷泵系统，适于向所述第一行译码器、所述第一列译码器、所述第一读取电路、所述第二行译码器、所述第二列译码器以及所述第二读取电路提供操作电压。本发明提供的非易失性存储器系统，电路面积小，降低了所述非易失性存储器系统的成本。
非易失性存储器系统

[发明专利]电平转换电路-CN201410086115.7有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平转换电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，其中，第一NMOS管为在深N阱的NMOS管，第一NMOS管的源极连接第一NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极；第二NMOS管为在深N阱的NMOS管，第二NMOS管的源极连接第二NMOS管的衬底和第四NMOS管的漏极；第三NMOS管的源极连接衬底和地，第三NMOS管的栅极适于输入输入信号；第四NMOS管的源极连接衬底和地，第四NMOS管的栅极适于输入输入信号的反相信号。
电平转换电路

[发明专利]提升电容电路以及电荷泵-CN201510310618.2有效
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明揭示了一种提升电容电路，包括第一NMOS晶体管和倍压电路，所述倍压电路包括第一PMOS晶体管的漏极接一工作电压，源极接一第一节点，栅极接一第二节点；驱动反相器的输入端接收一第一信号；第二PMOS晶体管的栅极接所述驱动反相器的输出端，第二PMOS晶体管的源极和漏极相连后，连接所述第一节点；第三PMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，源极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点；第二NMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，源极接低电压，漏极连接所述第二节点；第一NMOS晶体管的源极和漏极相连，第二节点向所述第一NMOS晶体管的源极和漏极提供一第二信号。本发明还揭示了一种包括所述提升电容电路的电荷泵。所述提升电容电路和电荷泵的面积效率高。
提升电容电路以及电荷

[发明专利]电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法-CN201410010129.0有效
发明人： 杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组，每组分别于不同金属层走线，两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接，通过本发明，可减小位线间的耦合电容，提高存储器的速度，减小浪费。
电可擦可编程只读存储器及其布线方法

[发明专利]一种EEPROM存储阵列结构及其制造方法-CN201310060636.0有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向的每个存储单元的漏极和源极连接，漏极选择线和源极选择线分别接漏信号和源信号；按行方向排列的字线选通信号线，每个字线选通信号线将行方向的每个存储单元的选择栅连接，字线选通信号线接字线选通信号；按行方向排列的控制栅线，每个控制栅线将行方向的每个存储单元的漏极控制栅和源极控制栅连接，控制栅线接控制栅信号，以实现在较低的各信号下不断反复编程和擦除动作而不损失阵列结构。
一种 eeprom 存储阵列结构及其制造方法

[发明专利]电压钳位电路-CN201210564124.3有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种电压钳位电路，包括晶体管组、第一晶体管和第二晶体管；还包括第三晶体管，所述第三晶体管的类型与所述第二晶体管的类型相同，所述第三晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端连接，第一端接入输入电压，第二端接入第二电压，所述第三晶体管的尺寸大于所述晶体管组中的串联晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸。本发明技术方案提供的电压钳位电路，只需使用一个大尺寸的晶体管，有效地节省了电路面积，并增强了电压钳位电路的放电能力。
电压电路