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- [发明专利]一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法-CN202010015169.X有效
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李成明;郑宇亭;邵思武;朱肖华;刘金龙;魏俊俊;陈良贤
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北京科技大学
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2020-01-07
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2021-02-12
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C30B29/04
- 一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法,属于半导体材料制备领域。所述方法是将马赛克拼接生长的大尺寸单晶金刚石片通过精密抛光将表面粗糙度降至低于0.2nm。随后采用电子束蒸发在以100‑500℃加热衬底的同时在其表面以0.01nm/s‑0.1nm/s的速度沉积厚度为100nm‑200nm金属镍后再以0.01nm/s‑0.5nm/s的速度沉积金属铱。待铱厚度达到15nm‑40nm后提高加衬底热温度至700‑1000℃的同时加快沉积速度至0.5nm/s‑1nm/s,最终沉积总厚度为150nm‑300nm铱薄层。接着采用等离子体化学气相沉积技术在氢等离子体清洗铱表面后预沉积4‑10nm无定型碳层以促进铱薄层亚表面碳原子富集。最后在对衬底以纯氢等离子刻蚀6‑15s后调控负偏压和甲烷通量实现大尺寸单晶金刚石在铱表面的偏压原位形核及后续无偏压外延生长。
- 一种质量尺寸金刚石外延生长方法
- [实用新型]一种自动加水装置-CN201922196155.8有效
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李成明;苗玉龙;杨金潮;高国强
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迁安首嘉建材有限公司
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2019-12-10
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2021-01-26
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B02C23/18
- 本实用新型公开了一种自动加水装置,包括料仓,所述料仓内部装有水渣,所述料仓下方设置有水渣皮带,所述水渣皮带上方设置有水分仪探头Ⅰ,所述水分仪探头Ⅰ位于所述料仓出口右方,所述水渣皮带右端安装有称重传感器,所述水渣皮带下方设置有入磨皮带,所述入磨皮带上方设置有加水阀,所述加水阀右方设置有水分仪探头Ⅱ,所述加水阀通过加水管连接有电磁流量计,所述电磁流量计右方通过所述加水管连接有电动调节阀,所述电动调节阀右方通过所述加水管连接有储水装置,所述水分仪探头Ⅰ、所述称重传感器、所述电磁流量计、所述电动调节阀和所述水分仪探头Ⅱ均与PID控制系统连接,所述入磨皮带右端下方设置有立磨机。
- 一种自动加水装置
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