专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管-CN202321308017.4有效
  • 刘虎;李佩锋;周晓瑜 - 兰州交通大学
  • 2023-05-26 - 2023-09-12 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及半导体技术领域,具体提供一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管,包括:源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、沟道区、金属嵌入层和铁电薄膜层;在栅介质层中插入Pt金属嵌入层,使得在其下的体材料中形成一个P+‑pocket;采用双金属栅结构来调整隧穿结处的电场强度;在隧穿栅下层加入铁电薄膜层,来提高器件中的电子隧穿率,降低隧穿势垒,增强栅压的控制能力。本实用新型有效解决了传统无掺杂TFET由于栅电场放大相对较弱,导致开态电流较低、开关电流较小以及亚阈值摆幅较高的问题,达到了提高器件的开态电流、开关电流比以及降低器件的亚阈值摆幅的目的。
  • 一种具有薄膜金属嵌入掺杂晶体管

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