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[发明专利]沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201110168499.3有效
发明人：赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。
沟槽绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]快恢复二极管制造方法-CN201110163951.7有效
发明人：吴振兴;孙宝刚;朱阳军;赵佳;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层；对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。本发明所提供的方法可制造不同耐压范围的快恢复二极管，适用范围较宽；且该方法相比外延工艺来说可降低制作成本，相比扩散工艺来说可提高所形成的快恢复二极管的性能；再有，该方法还能降低工艺过程中产生碎片的几率。
恢复二极管制造方法

[实用新型]通过外延方法形成FS层的高压IGBT-CN201120268817.9有效
发明人：徐承福;朱阳军;孙宝刚;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种通过外延方法形成FS层的高压IGBT，其包括具有第一导电类型的半导体基板，半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，半导体基板的第二主面上设有第一导电类型缓冲层，第一导电类型缓冲层上设有第二导电类型发射区，第二导电类型发射区上淀积有金属化集电极；半导体基板的第一主面上设有第二导电类型基区；第二导电类型基区内设有第一导电类型集电区；半导体基板的第一主面上设有绝缘氧化层，绝缘氧化层上淀积有导电多晶硅；导电多晶硅上淀积有栅电极，半导体基板的第一主面上淀积有发射极，发射极与第一导电类型集电区及第二导电类型基区均电性接触。本实用新型结构紧凑，工艺步骤简单，制造成本低，功率损耗小。
通过外延方法形成 fs 高压 igbt

[实用新型]绝缘栅双极晶体管-CN201120214540.1有效
发明人：赵佳;朱阳军;孙宝刚;卢烁今;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管，由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状，因此，单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大，从而使得器件的导通电阻较小；而且，采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构，能够使得各元胞更紧密地结合，从而使得电流分布更均匀，还能提高器件的表面利用率。
绝缘双极晶体管

[实用新型]一种功率半导体器件结电容测试装置-CN201120221050.4有效
发明人：陆江;朱阳军;苏江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，结电容测试电路板包括：两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；反馈电容测试点接地；输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；与电源连接点相连的高电压电流连接点和与栅极测试点相连的低电压电流连接点。本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，简化了测试工作，提高了测试效率。
一种功率半导体器件电容测试装置

[实用新型]IGBT版图-CN201120220830.7有效
发明人：赵佳;卢烁今;朱阳军;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。
igbt 版图

[实用新型]一种场限环结构-CN201120209191.4有效
发明人：田晓丽;朱阳军;吴振兴;张彦飞;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。通过形成具有PIN结构的场限环结构，使得场限环之间的电场分布形状呈矩形，矩形的电场分布降低了电场峰尖，大大提高了相邻场限环承受的电压，实现了在相对较小的终端面积下具有较高的击穿电压，同时PIN结构难于形成反型层或积累层，可以屏蔽界面电荷的影响，改善电场分布，保证击穿电压的同时提高了可靠性。
一种场限环结构

[发明专利]新型阶梯栅结构IGBT及其制造方法-CN201110211853.6无效
发明人：徐承福;朱阳军;卢烁今;吴振兴 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型阶梯栅结构IGBT及其制造方法，其包括半导体基板；半导体基板的第一主面上设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内的上部设有第一导电类型集电区；半导体基板的第二主面上设有第二导电类型发射区及集电极；第二导电类型基区通过位于JFET区栅氧化层及第一导电类型基区相隔离；JFET区栅氧化层的底部边缘向外延伸形成沟道区栅氧化层；沟道区栅氧化层与JFET区栅氧化层上淀积有导电多晶硅，导电多晶硅上淀积有绝缘介质层；绝缘介质层上刻蚀有第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔内填充有发射极；第二接触孔内填充有栅电极。本发明工艺步骤方便，降低栅极与发射极间的电容，减小了截止频率及开关速度，降低阈值电压，适应范围广，安全可靠。
新型阶梯结构 igbt 及其制造方法

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