专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于UWB系统的高速采样缓冲器电路-CN202111566914.0在审
  • 刘马良;罗朋;王子彧;张乘浩;朱樟明;杨银堂 - 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
  • 2021-12-20 - 2022-05-13 - H03M1/12
  • 本发明公开了一种用于UWB系统的高速采样缓冲器电路,包括驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块,其中,驱动模块用于输入待采样差分信号并降低待采样差分信号的输出阻抗,以提高后续对栅压自举开关模块和采样模块的驱动能力;栅压自举开关模块用于控制采样开关的打开和闭合,控制采样开关的栅压变化跟踪在驱动模块的输出差分信号的变化并使采样开关的栅源电压在输出差分信号变化的过程中保持恒定;采样模块用于在采样开关打开时对待采样差分信号进行采样,以获得采样信号。该缓冲器电路由驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块,驱动模块由高线性度的共漏极放大器构成,提高了采样电路的线性度,采样模块与驱动模块采用电荷翻转型结构实现采样。
  • 一种用于uwb系统高速采样缓冲器电路
  • [发明专利]一种三维集成电路的快速去耦方法及装置-CN202111555482.3在审
  • 董刚;智常乐;朱樟明;杨银堂 - 西安电子科技大学
  • 2021-12-17 - 2022-05-03 - G06F30/3308
  • 本发明公开了一种三维集成电路的快速去耦方法,包括:对三维集成电路进行建模,得到等效电路模型;根据等效电路模型构建基于WLP‑FDTD的时域方程组;对所述等效电路模型施加噪声电流激励,并利用时域方程组计算SSN,同时根据电路状态更新SSN;当SSN的峰峰值大于期望值时,选取不同的去耦电容,并利用时域方程组分别对每个去耦电容值下的SSN进行扫描计算;选取SSN的峰峰值最小时对应的去耦电容值作为最优去耦电容,以对三维集成电路进行去耦。该方法能够实现对结构复杂的三维集成电路进行快速的时域噪声分析,并依此来确定电路的最优去耦电容值,且该方法的准确度较高,避免了三维集成电路过度设计造成的芯片面积浪费。
  • 一种三维集成电路快速方法装置
  • [发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构-CN202210093584.6在审
  • 单光宝;郑彦文;杨子锋;朱樟明;李国良;饶子为;孟宝平 - 西安电子科技大学
  • 2022-01-26 - 2022-04-29 - H01L25/065
  • 本申请属于半导体封装技术领域,具体涉及一种晶圆级可重构Chiplet集成结构,该集成结构包括管壳、第一基板、RDL、第二基板、腔室、功能Chiplet、可重构拓扑网络、通孔、第三基板、Chiplet通信网络、第四基板、微凸点、焊球。该集成结构从上到下依次为第三基板和第四基板和Chiplet通信网络、第二基板和腔室和功能Chiplet和可重构拓扑网络和通孔、微凸点、第一基板和RDL、焊球。管壳设置在第四基板的上侧,且侧端与第一基板固定连接。采用晶圆级可重构Chiplet集成结构,可实现由传统的基于SoC的集成技术高成本、低良率、设计难度大向的设计范式向基于晶圆级更大规模、更高效率、更低设计难度的Chiplet集成方向转变,通过可重构技术进一步增晶圆级Chiplet复用率,大幅降低制造成本。
  • 一种晶圆级可重构chiplet集成结构
  • [发明专利]一种基于环形放大器的MDAC-CN202111517920.7在审
  • 刘术彬;曹越;韩昊霖;安泽帅;丁瑞雪;朱樟明 - 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
  • 2021-12-13 - 2022-04-22 - H03M1/12
  • 本发明公开了一种基于环形放大器的MDAC,该MDAC呈上下对称的伪差分结构,本实施例的环形放大器没有内部极点,相比传统多级米勒补偿运放,在实现相同带宽下所用功耗更低,即能效更高;并且本发明的环形放大器在第三级引入增益补偿MOS管,在输出电压接近电源轨时,增益补偿MOS管形成的正反馈机制会补偿输出电压接近电源轨时的增益下降,从而得到一个范围更大更平坦的开环增益与输出电压的曲线,相比传统运放,在相同的线性度指标下,本实施例的环形放大器的输出摆幅更大。同时本发明的环形放大器在电源轨之间堆叠的MOS管最多是三个,适用于低压的先进工艺。
  • 一种基于环形放大器mdac
  • [发明专利]一种基于硅通孔电感器的无线功率传输电路-CN202010170283.X有效
  • 钱利波;钱科芳;朱樟明;王伦耀;夏银水 - 宁波大学
  • 2020-03-12 - 2022-04-22 - H02J50/12
  • 本发明公开的基于硅通孔电感器的无线功率传输电路,包括发射端和接收端,发射端包括输入电压源、谐振电容和谐振电感,接收端包括平面金属电感器、第一电容、第一整流器、第一整流电感、垂直硅通孔电感器、第二电容、第二整流器、第二整流电感、负载电容和负载电阻;本发明采用具有特定结构的垂直硅通孔电感器与平面金属电感器构成的正交线圈作为无线功率传输电路接收端的接收线圈,并通过第一整流电感和第二整流电感对第一整流器和第二整流器输出的电流进行相加求和,电路元件个数少,无需增加额外的补偿电路,可提高无线功率传输电路在线圈偏移情况下的负载接收功率,具有工艺兼容性好、电路结构简单、抗线圈偏移能力强与电源传输效率高的优点。
  • 一种基于硅通孔电感器无线功率传输电路
  • [发明专利]一种基于硅通孔技术的定向耦合器-CN202110297239.X有效
  • 王凤娟;肖洒;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 - 西安理工大学
  • 2021-03-19 - 2022-04-15 - H01P5/18
  • 本发明公开了一种基于硅通孔技术的定向耦合器,包括从上至下依次设置的上氧化层、硅衬底及下氧化层,硅衬底的中心处分别沿竖直方向设置有相互平行的TSV‑I和TSV‑II,TSV‑I的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑I和下层RDL‑I,TSV‑II的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑II和下层RDL‑II;TSV‑I和TSV‑II的铜柱外壁均包覆有氧化隔离层,掩埋于硅衬底中。本发明采用硅通孔技术大大缩小了传统微带定向耦合器的体积,实现了耦合器的小型化,且具有较好的高频特性,可以在太赫兹频率下工作。
  • 一种基于硅通孔技术定向耦合器
  • [发明专利]一种适用于数字LDO的时钟产生电路-CN202111478754.4在审
  • 钱利波;辛明宇;夏桦康;夏银水;朱樟明 - 宁波大学
  • 2021-12-06 - 2022-04-12 - H03K5/135
  • 本发明公开了一种适用于数字LDO的时钟产生电路,包括启动模块、状态比较模块和时钟稳定模块;该时钟产生电路采用自循环的方式控制数字LDO工作,不需要外部时钟信号。生成的时钟信号链以流水线模式在前一个模块信号处理完毕后,自动触发生成下一个模块的工作脉冲,大幅加快了电路运行速度,减小了电路的静态功耗,也避免了PVT造成的信号采样错误问题;该时钟产生电路生成的时钟频率由电路的整体延时大小决定,时钟频率可高达300MHz,可以有效地增强数字LDO电路的瞬态响应性能。
  • 一种适用于数字ldo时钟产生电路
  • [发明专利]一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器-CN202110297244.0有效
  • 王凤娟;肖洒;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 - 西安理工大学
  • 2021-03-19 - 2022-04-12 - H01P5/18
  • 本发明公开了一种RDL电感补偿的硅通孔定向耦合器,包括硅衬底,沿硅衬底的中心轴线两侧分别对称设有通孔,两个通孔内分别采用铜材料填充,二氧化硅作为铜和硅衬底之间的隔离层,即TSV‑I和TSV‑II,TSV‑I的上端连接输入臂的一端,输入臂的另一端连接RDL电感I;TSV‑I的下端连接直通臂的一端,直通臂的另一端连接RDL电感II;TSV‑II的上端连接耦合臂的一端,耦合臂的另一端连接RDL电感III,TSV‑II的下端连接隔离臂的一端,隔离臂的另一端连接RDL电感IV;本发明解决了目前定向耦合器存在的耦合度、隔离度不高且调试困难、生产环节复杂的问题。
  • 一种rdl电感补偿硅通孔定向耦合器

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