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[发明专利]一种基于带状线的同轴馈电微带天线-CN202111136976.8在审
发明人：董刚;朱思曈;吴海东;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于带状线的同轴馈电微带天线，涉及微波毫米通信技术领域，包括：第一金属层、以及依次位于第一金属层一侧的第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和寄生贴片天线；其中，第一介质层内包括带状线，带状线沿平行于第一金属层所在平面的方向延伸；第二金属层包括第一开口；第二介质层包括过孔和多个第一通孔；沿垂直于第一金属层所在平面的方向，过孔的正投影位于第一开口内；第三金属层包括第二开口，沿垂直于第一金属层所在平面的方向，辐射贴片天线的正投影位于第二开口内；第二金属层通过第一通孔与第三金属层连接；由于带状线通过过孔连接至辐射贴片天线并进行馈电，因而提高了微带天线的增益和带宽。
一种基于带状线同轴馈电微带天线

[发明专利]基于直方图统计的流水线ADC后台数字校准方法及装置-CN202110998480.5在审
发明人：刘马良;南剑;张乘浩;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直方图统计的流水线ADC后台数字校准方法及装置，该方法包括：获取多级流水线ADC中每一级ADC的输出数字码，并将第N级ADC视为理想后级；统计理想后级输出数字码的直方图，并根据该直方图计算理想后级与其前一级ADC之间的增益系数；根据增益系数对理想后级的前一级ADC的输出数字码进行校准；将经过校准的ADC与第N级ADC进行合并，更新理想后级，并在每次更新后，对其前一级ADC的输出数字码进行校准，直至校准到第1级ADC，以完成多级流水线ADC的后台数字校准。该方法可以后台运行，易于实现，不需要额外增加模拟电路就能使得流水线ADC的级间增益误差显著减小，且具有较高的校准精度，对流水线ADC改善信噪比和线性度具有十分重要的意义。
基于直方图统计流水线 adc 后台数字校准方法装置

[发明专利]流水线多米诺结构逐次逼近型模数转换器-CN202110939574.5在审
发明人：李娅妮;苏成龙;刘马良;张诗鑫;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种流水线多米诺结构逐次逼近型模数转换器，包括：n+1级子ADC、多个余差放大器和预设调整模块；第1级子ADC的输入端与信号输入端连接，用于在采样后获得输入信号；子ADC的输出端包括第一输出端，第一输出端与预设调整模块连接，用于将各个子ADC产生的5位量化码输入至预设调整模块，以使预设调整模块对量化码进行拼接及冗余位校正，获得模数转换结果；第1～n级子ADC还包括第二输出端，用于将子ADC产生的余差信号经余差放大器放大后的信号作为输入信号，并输入至下一级子ADC。本发明提高了SAR ADC的转换速度和精度，能够在比较器的工作过程中实时校正失调电压，防止因失调累加而影响子ADC的性能。
流水线多米诺结构逐次逼近型模数转换器

[发明专利]一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器-CN202111135048.X在审
发明人：王凤娟;彭权;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器，包括从上至下依次平行设置的顶层RDL、中间层RDL及底层RDL，顶层RDL与中间层RDL之间设有硅衬底I，中间层RDL与底层RDL之间设有硅衬底II，硅衬底I与硅衬底II内分别分布有两个由TSV构成的谐振腔；顶层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明中的馈线采用微带线和共面波导相结合的方式，利用谐振腔之间的交叉耦合，产生带外传输零点，加快了滤波器带外传输系数降低的速度，从而提高了滤波器的选择性。
一种基于 tsv 三维堆叠交叉耦合滤波器

[发明专利]一种基于TSV结构的集总参数分支线定向耦合器-CN202110942135.X在审
发明人：王凤娟;肖洒;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV结构的集总参数分支线定向耦合器，包括沿水平方向平行设置的上氧化层和下氧化层，上氧化层和下氧化层之间设有硅基衬底，硅基衬底中分别设有四组TSV电感，四组TSV电感中两两对称设置；每两组TSV电感相连接的位置接一个交指电容的一个极板，四个交指电容的另一个极板均连接金属铜接地板。解决了传统分支线定向耦合器在低频段面积大的问题。
一种基于 tsv 结构参数支线定向耦合器

[发明专利]一种基于TSV的利用并联RC的紧凑型功分器-CN202110942987.9在审
发明人：王凤娟;李瑞奇;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的利用并联RC的紧凑型功分器，包括上下平行设置的上二氧化硅层和下二氧化硅层，上二氧化硅层和下二氧化硅层之间填充有硅衬底；上二氧化硅层上依次并联设置有输入端补偿电容C1、输入端隔离电容C2及隔离电阻R2，输入端补偿电容C1、输入端隔离电容C2之间并联有由TSV排布绕制成的TSV电感L1和由TSV排布绕制成的TSV电感L2；TSV电感L1和TSV电感L2沿竖直方向设置在硅衬底中。本发明为十分之一波长传输，提高了功分器的集成度和性能。
一种基于 tsv 利用并联 rc 紧凑型功分器

[发明专利]模数转换器及模数转换方法-CN202110845211.5在审
发明人：丁瑞雪;金宏杰;刘术彬;张延博;李琳;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种模数转换器及模数转换方法，模数转换器包括：第一模块、第一比较器、辅助ADC模块、DWA模块、第一预设逻辑电路、第一信号输入端、第二信号输入端、第一参考电压信号端、第二参考电压信号端和第三参考电压信号端；由于该模数转换器进行模数转换时可对Ca～Cg和C5～C11的下极板进行采样，从而避免上极板采样时可变寄生电容对上极板的影响；并且，通过结合第一模块中电容下极板采样结果和高位数据加权平均算法，达到高三位的噪声整形的同时，将C5～C11的失配误差进行一阶整形，进而使整个主DAC阵列的失配误差都被一阶整形，简化了电路复杂量。
转换器转换方法

[发明专利]一种玻璃基高隔离度三维双工器-CN202011035344.8有效
发明人：刘晓贤;朱樟明;刘诺;刘阳;卢启军;尹湘坤;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基高隔离度三维双工器，从上到下依次包括：第一金属层、第一介质层、第二金属层、键合层、第三金属层、第二介质层、第四金属层，其中，键合层和第三金属层位于第二金属层、第二介质层之间的中间位置，粘合层位于键合层和第三金属层两侧且位于第二金属层、第二介质层之间。本发明提出的玻璃基高隔离度三维双工器，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，由于玻璃的相对介电常数远小于硅衬底，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，可以消除高频电路中的涡流效应，显著降低了无源器件的高频损耗，使得本实施例双工器的功耗显著降低，提高了双工器的品质因数，进而提高了双工器的频率选择性和宽阻带特性。
一种玻璃隔离三维双工器

[发明专利]激光雷达中基于电容阵列电压合成技术的模拟前端电路-CN202110775959.2在审
发明人：刘马良;孙文博;郭若昱;王玉鑫;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光雷达中基于电容阵列电压合成技术的模拟前端电路，包括合成模块、多个感光元件和多个淬灭电路；其中，感光元件包括阴极，淬灭电路包括输入端和输出端，感光元件的阴极与淬灭电路的输入端电连接；电压合成模块包括多条支路和第一节点，各支路包括反相器及电容，反相器包括输入端和输出端，电容包括第一端和第二端，淬灭电路的输出端与反相器的输入端电连接，电容的第一端和第二端分别与反相器的输出端及第一节点电连接。由于流经反相器的电流极小，甚至可忽略不计，因此合成模块的功耗显著降低，并且当多个感光元件同时接收到光信号时，产生脉冲的相位并不相同，因而降低了产生误差的风险，有利于提高电压合成的精度。
激光雷达基于电容阵列电压合成技术模拟前端电路

[发明专利]一种基于TSV的平面折叠型直接耦合腔体滤波器-CN202110942974.1在审
发明人：王凤娟;彭权;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的平面折叠型直接耦合腔体滤波器，包括相互平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL和下层RDL之间设有硅衬底，硅衬底上分布有由TSV构成的四个谐振腔；上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明中的馈线采用微带线和共面波导相结合的方式，并且直接耦合结构形成的四个腔，在同等性能下，减小了面积。
一种基于 tsv 平面折叠直接耦合滤波器

[发明专利]基于分段式差分电容阵列的逐次逼近型模数转换器-CN202110700879.0在审
发明人：丁瑞雪;李琳;刘术彬;党力;梁鸿志;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分段式差分电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括：采样开关；分段式差分电容阵列，电连接采样开关；比较器，电连接分段式型差分电容阵列；逐次逼近控制逻辑，电连接分段式型差分电容阵列及比较器；其中，分段式差分电容阵列包括对称设置的第一电容阵列和第二电容阵列，第一电容阵列的上极板连接比较器的正向输入端，第二电容阵列的上极板连接比较器的反向输入端，第一电容阵列和第二电容阵列的下极板通过控制开关选择性电连接至参考电压端；其中，第一电容阵列和第二电容阵列均包括两段通过单位桥接电容连接的子电容阵列。本发明提供的逐次逼近型模数转换器，节约了电容面积，降低了功耗，提升了量化速度。
基于段式电容阵列逐次逼近型模数转换器

[发明专利]一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器-CN202010566782.0有效
发明人：王凤娟;李玥;任睿楠;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器，包括高阻硅衬底，高阻硅衬底内部设置有两个矩形金属槽A，金属槽A内两侧设置有多对膜片，膜片和金属槽A的侧壁均由硅通孔排列组成，高阻硅衬底顶部设置有顶面绝缘层，顶面绝缘层内部嵌入有矩形金属槽B，顶面绝缘层底部中间设置有脊背面金属层，两个矩形金属槽A的相邻侧壁通过脊背面金属层连接，另外两个侧壁通过矩形金属槽B连接。本发明基于TSV的脊状基片集成波导带通滤波器制作工艺与CMOS工艺兼容，制作成本低；体积小，便于将其集成在小型化芯片中，实现堆叠芯片互连，缩短互连线长度，大幅提高芯片性能；带宽大，可实现应用于微波/射频领域的超宽带滤波。
一种基于 tsv 脊状基片集成波导带通滤波器

[发明专利]一种应用于6G通信的三维发夹滤波器-CN202010587635.1有效
发明人：王凤娟;柯磊;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于6G通信的三维发夹滤波器，包括平行排列的发夹单元列和上接地RDL，发夹单元列由多个发夹单元间隔排列组成，发夹单元一端为信号TSV，相对的另一端为信号RDL，相邻发夹单元的上下端面结构相反，发夹单元列两端顶部设置有相对称的信号馈线，发夹单元列两端端部的发夹单元顶面均为信号RDL，上接地RDL顶部设置有与信号馈线相对的接地馈线，上接地RDL底部设置有下接地RDL，上接地RDL和下接地RDL之间设置有与信号TSV相对的接地TSV，信号TSV和接地TSV嵌入在同一硅衬底中。本发明三维发夹滤波器采用TSV技术成功实现了三维发夹滤波器在THz频段的设计，采用四臂发夹单元提高了滤波器通带内回波损耗，使得性能提高。
一种应用于通信三维发夹滤波器

[发明专利]基于TSV应用于毫米波波段的终端短路抽头交指滤波器-CN202110665933.2在审
发明人：王凤娟;张凯;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01P1/205 文献下载
摘要：本发明公开了基于TSV应用于毫米波波段的终端短路抽头交指滤波器，包括硅衬底，硅衬底的上方设有二氧化硅层，硅衬底的下方设有接地金属板；二氧化硅层上布设有金属线RDL，硅衬底内布设有TSV圆柱，TSV圆柱分别与金属线RDL和接地金属板连接。本发明在减少滤波器的面积后并且拥有较高的集成度，能够实现W波段下滤波，同时提高了滤波器的独立性。
基于 tsv 应用于毫米波波段终端短路抽头滤波器

[发明专利]一种锁相环-CN201910796823.2有效
发明人：刘术彬;阮予;韩昊霖;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H03L7/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种锁相环，所述锁相环包括鉴频鉴相器、双模复用相位检测器、第一逻辑电路、第二逻辑电路、可编程电荷泵、环路滤波器、压控振荡器、分频器、第一延时电路、第二延时电路和锁定检测器。本发明通过双模复用相位检测器的设计，实现了锁相环的快速锁定和电荷泵的校准，相较于传统的方法，大大缩短了锁相环锁定和校准时间。
一种锁相环