“曾一明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种Lu掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN202310876655.4在审
发明人： 曾一明;何佳麒;陈力;韩娇;李明伟;周菊;杞文涵;杨平;李仕祺;李梦虹 -专利权人：云南贵金属实验室有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Lu掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明通过使用Lu3+掺杂SrTiO3，在陶瓷内部形成一定数量稳定的缺陷簇，增大极化率，从而使Sr1‑1.5xLuxTiO3(0＜x≤0.02)具有巨介电效应；本发明采用固相合成法制备Lu掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料，在普通空气气氛下烧结即可，且稀土Lu的掺杂量较少，生产成本低；本发明的制备方法简单，重复性好，成品率高，成本较低，便于商业化生产。实施例结果表明，当x＝0.01时，在室温、1kHz的测试频率下，所得陶瓷材料的介电常数为101067，在室温、1MHz的测试频率下介电常数为32584。
一种 lu 掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种锌硼硅系微晶玻璃低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202310882597.6在审
发明人： 曾一明;李梦虹;李仕祺;韩娇;李明伟;周菊;杞文涵;何佳麒;林泽辉;杨平 -专利权人：云南贵金属实验室有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微波介质材料技术领域，提供了一种锌硼硅系微晶玻璃低温共烧陶瓷材料及其制备方法。本发明将ZBS玻璃粉和粘结剂混合后依次进行陈腐、造粒和压制成型，再将所得素坯在700～850℃下烧结，得到锌硼硅系微晶玻璃低温共烧陶瓷材料。本发明在低温下烧结即可得到析出纯Zn2SiO4晶相、且结构致密的微晶玻璃；本发明采用的原料无腐蚀性，不易对人体产生危害，环境友好。实施例结果表明，本发明得到的ZBS微晶玻璃在1MHz下的介电常数在5.5～6.2范围内可调，介电损耗在(0.43～7.2)×10‑3范围内。
一种锌硼硅系微晶玻璃低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种二氧化钛掺杂铌酸钙陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202310706386.7在审
发明人： 曾一明;林泽辉;韩娇;李明伟;杞文涵;何佳麒;李梦虹;李仕祺;周菊;杨平 -专利权人：云南贵金属实验室有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料的化学式为CaNb2‑xTixO6(0x≤0.025)。本发明在CaNb2O6陶瓷中掺杂TiO2，通过控制TiO2的掺杂量，能够抑制杂相的产生，得到理想单相的CaNb2O6陶瓷，并且所得陶瓷材料的微波介电性能好，品质因数高，介电损耗低，具有广阔的应用前景。本发明采用固相烧结法制备TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料，制备方法简单，容易操作。
一种氧化掺杂铌酸钙陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种收缩率可调控的玻璃-陶瓷体系陶瓷基板材料及其制备方法-CN202211388841.5有效
发明人：韩娇;曾一明;李明伟;姚志强;林泽辉;李梦虹;何佳麒;李仕祺;周菊;杨平;杞文涵 -专利权人：昆明贵研新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种收缩率可调控的玻璃‑陶瓷体系陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明采用两种成分不同、软化温度不同、析晶特性不同的CBS系微晶玻璃，可调控基板烧结过程中的收缩行为，改善基板与LTCC系列浆料共烧出现的烧结翘曲现象；微晶玻璃中MgO和La2O3复合使用能够起到协同作用，在烧结过程中会促进析晶，降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；采用CBS微晶玻璃与CaSiO3复合体系，通过陶瓷在基体中的“骨架”效应，可增加基板材料与LTCC浆料共烧的平整性与匹配性；CaSiO3的介电常数较低，可有效调控基板的介电常数。
一种收缩调控玻璃陶瓷体系板材料及制备方法

[发明专利]一种稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃及其制备方法和应用-CN202310144839.1在审
发明人：郑丽和;杨洁;曾一明;韩娇;吴鑫昌;赵建斌;卢海锋 -专利权人：云南大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C03C3/068 文献下载
摘要：本发明属于激光玻璃技术领域，具体涉及一种稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃及其制备方法和应用。本发明所用稀土离子的4f电子在f‑f组态之内或f‑d组态之间跃迁，通过调整稀土离子的种类可产生从紫外光、可见光到红外光范围的各种波长的电磁辐射，使硼硅酸盐玻璃具有较宽的吸收与发射带宽和较高的荧光光谱强度。含硼氧化物和二氧化硅可构成具有高机械性能、透光性能、表面平整度和荧光性能的网络状阴离子基团。二价金属化合物能降低玻璃熔点，且具有碱性及较高的SiO2溶解能力，能调整玻璃的物理化学性质，得到机械性能稳定、光学均匀性与透过率高、吸收与发射带宽较宽和荧光光谱强度较高的稀土离子掺杂硼硅酸盐激光玻璃。
一种稀土离子掺杂硅酸盐激光玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种钙硼硅系LTCC陶瓷材料及其制备方法-CN202211271913.8有效
发明人： 曾一明;林泽辉;韩娇;李明伟;李梦虹;何佳麒;王刚;周菊;李宇彤 -专利权人：昆明贵研新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，提供了一种钙硼硅系LTCC陶瓷材料。本发明通过设计低硼的CBS陶瓷，减少了氧化硼的熔融挥发和硼酸钙的析出，降低了介电损耗；通过引入稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5能够加强玻璃网络结构，增大玻璃粘度，降低陶瓷材料的介电损耗，同时稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5的引入还能够抑制析出高温相α‑CaSiO3，促进析出低温相β‑CaSiO3，从而可以在低烧结温度下制得具有低介电常数和低介电损耗的钙硼硅系LTCC陶瓷材料。实施例的结果显示，本发明提供的钙硼硅系LTCC陶瓷材料的介电常数εr为6.18，介电损耗tanδ为1.19×10‑3(1MHz)。
一种钙硼硅系 ltcc 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种超高品质因素的铝酸盐系微波介电材料及其制备方法-CN202011370600.9有效
发明人：赖元明;杨帆;曾一明;韩娇;贾勇;钟晓玲;刘明哲;胡昌义;陈家林 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;成都理工大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高品质因素的铝酸盐系微波介电材料，属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，该材料的化学组成为：MgAl2‑x(Zn0.5Ti0.5)xO4，其中，0＜x≤0.5，本发明还公开了上述材料的制备方法，包括称量、球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等步骤；本发明提供的微波介质材料，具有低的介电常数（6.95~9.89）和超高的Q×f值（最高达263900 GHz），在新一代移动通信及毫米波通信领域具有较高应用前景。
一种超高品质因素铝酸盐系微波材料及其制备方法

[发明专利]一种可控强析晶高频低损耗LTCC基板材料及其制备方法-CN202211391910.8在审
发明人： 曾一明;韩娇;李明伟;姚志强;林泽辉;李梦虹;何佳麒;李仕祺;周菊;杨平;杞文涵 -专利权人：昆明贵研新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C03C14/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可控强析晶高频低损耗LTCC基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明以CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃作为原料，在烧结过程中可以析出CaSiO3晶体相和CaB2O4晶相；CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃中的ZrO2、TiO2的加入会促进析晶，且Zr4+、Ti4+均属于高化合价，组合式加入CBS中可有效促进析晶，明显降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；ZrO2和TiO2的加入会使基板介电常数升高，而CaSiO3的加入能够降低介电常数，通过调控两者的用量可有效调控基板的介电常数与介电损耗。
一种可控强析晶高频损耗 ltcc 板材料及制备方法

[发明专利]一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法-CN202210154548.6有效
发明人： 曾一明;王刚;李明伟;韩娇;林泽辉;何佳麒;李梦虹 -专利权人：昆明贵研新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法。本发明在硅酸钙微波介质陶瓷中掺杂铜离子，通过控制合适的铜离子掺杂量，能够抑制煅烧粉中杂相的产生，获得纯相的α‑CaSiO3粉体(三斜晶系，空间群为C1)，进而通过烧结得到单相的β‑CaSiO3陶瓷(单斜晶系，空间群为P21/a)，所得铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷的致密度高、微波介电性能优异，具有较高的品质常数和较低的介电常数。另外，本发明通过掺杂铜离子，拓宽了陶瓷的烧结温度范围，传统的固相合成法烧结温度为1300℃以上，而本发明提供的制备方法烧结温度仅为1050℃以上，能够实现低温共烧，有利于实际生产。
一种离子掺杂硅酸微波介质陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线-CN202123084267.8有效
发明人：沈强;林智杰;曾一明;孙旭东;陈家林;戴品强 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;福建工程学院;东北大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B28B1/29 文献下载
摘要：本实用新型公开一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线，包括刮涂装置、烘干装置、喷涂装置和切削装置，其特征在于刮涂装置、烘干装置、喷涂装置和切削装置间通过一条传送带连接，所述刮涂装置包括供料箱，刮刀，所述烘干装置采用微波等离子预热器，工作过程中，刮刀刮出一定厚度的氮化硅陶瓷带，经过烘干装置，再经喷涂装置在表面喷层烧结助剂，切削装置切削，叠放后形成预成坯体，本实用新型提供的一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线具有生产效率高和可生产多层结构坯体的优点。
一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线

[实用新型]一种陶瓷板材混料生产线-CN202123084024.4有效
发明人：沈强;林智杰;曾一明;孙旭东;陈家林;戴品强 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;福建工程学院;东北大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B28C1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种陶瓷板材混料生产线，包括混料装置、烘干装置、氮气制备增压装置和粉碎装置，其特征在于混料装置与烘干装置间通过传送带连接，所述混料装置包括供粉装置和供液装置和球磨装置，烘干装置的入料端有氮气进入口，出料端有氮气出口，其四面由密封加热板组成，所述粉碎装置由陶瓷粉碎搅拌机和筛网过滤装置构成，工作过程中，供粉装置和供液装置在氮气制备增压装置的作用下将粉体输送至球磨装置中，球磨结束后在传送皮带上进入烘干装置，再进入粉碎装置，最后得到粒径较小的氮化硅陶瓷粉体，本实用新型提供的一种陶瓷板材混料生产线具有生产效率高和可生产粒径较小的优点。
一种陶瓷板材生产线

[实用新型]一种陶瓷板材连续流延烧结生产线-CN202123100147.2有效
发明人：沈强;林智杰;曾一明;孙旭东;陈家林;戴品强 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;福建工程学院;东北大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种陶瓷板材连续流延烧结生产线，包括流延装置、烘干装置和烧结装置，其特征在于流延装置与烘干装置间通过传送带连接，烘干装置的出料端与发热辊轧装置连接，热辊轧装置由三对发热轧辊组成，所述发热轧辊由陶瓷辊轴和内嵌发热体构成，工作过程中，发热轧辊对烘干后的陶瓷坯料带材可同时起到烧结、矫正和传输作用，本实用新型提供的一种陶瓷板材连续流延烧结生产线具有生产效率高和可生产超长带材的优点。
一种陶瓷板材连续流延烧生产线

[发明专利]一种导电金浆及其制备方法和在NTC热敏芯片中的应用-CN202210159435.5在审
发明人：李明伟;曾一明;韩娇;柏小海;毕珺;王刚;林泽辉;何佳麒;李梦虹 -专利权人：昆明贵研新材料科技有限公司;广东爱晟电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明涉及信息功能新材料的电子浆料技术领域，提供了一种导电金浆及其制备方法和在NTC热敏芯片中的应用。本发明提供的导电金浆包括金粉70～90％、无铅玻璃粉0.5～5％、无机添加剂0～1％和有机载体8～25％。本发明提供的导电金浆以金粉为导电相，可靠性和稳定性更好，能够满足各种严苛应用场景的使用要求，且导电金浆的配方中不含铅、镉、汞等有毒有害物质，满足环保要求；另外，本发明的导电金浆与陶瓷基板材料的烧结匹配性良好，在陶瓷基体上的附着强度优异，电气性能和老化性能优良。
一种导电及其制备方法 ntc 热敏芯片中的应用

[发明专利]一种谐振频率温度系数近零的微波介电材料及其制备方法-CN202111432106.5在审
发明人：赖元明;李宝阳;曾一明;韩娇;蒋刚;陈家林;胡昌义 -专利权人：成都理工大学;贵研铂业股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振频率温度系数近零的微波介电材料，由Mg2TiO4和Li2TiO3按照(1‑x)Li2TiO3‑xMg2TiO4质量比复合，最终形成Mg2TiO4、Li2MgTi3O8和Li2TiO3三相复合体系，其中，所述Mg2TiO4的质量百分数x为：0＜x＜100％；本发明通过将Mg2TiO4与Li2TiO3进行复合，一方面改善了Mg2TiO4较差的烧结性能，使其能够烧结成型；另一方面通过具有正τf值的Li2TiO3进行τf补偿，使整个体系具有近零的τf值，且Li2TiO3较低的烧结温度也能改善体系的烧结温度。
一种谐振频率温度系数微波材料及其制备方法

[发明专利]一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法-CN202010438326.8有效
发明人：林智杰;孙旭东;曾一明;赵睿宁;杨宏伟;陈家林;戴品强;田君;常发;洪春福;陈洪祥;邹林池;张牧 -专利权人：贵研铂业股份有限公司;福建工程学院;东北大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证错排层叠结构的形成，形成错排层叠结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
一种仿生氮化陶瓷材料及其制备方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条