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[发明专利]改善粘附性的方法-CN201611191831.7有效
发明人： 凯瑟琳·克鲁克;斯蒂芬·R·伯吉斯;安德鲁·普赖斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种改善半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；其中，在没有O2或者以250sccm或更低的流速将O2引入所述工艺的情况下，在包含原硅酸四乙酯(TEOS)的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。
改善粘附方法

[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法-CN201710358043.0有效
发明人： 凯瑟琳·克鲁克;马克·卡拉瑟斯;安德鲁·普赖斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种使用自由基对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；通过使得自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子的大部分进入所述室；对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
等离子体处理装置清洁方法

[发明专利]沉积氮化硅的方法和设备-CN201910762234.2在审
发明人： 凯瑟琳·克鲁克;史蒂夫·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅的方法，该方法包括以下步骤：提供一种PECVD设备，所述PECVD设备包括腔室和设置在该腔室内的衬底支撑件；将衬底设置在该衬底支撑件上；将氮气(N2)前体引入到该腔室中；施加高频(HF)RF功率和低频(LF)RF功率以在该腔室中持续产生等离子体；在施加所述HF RF功率和所述LF RF功率的同时，将硅烷前体引入到该腔室中，使得该硅烷前体持续形成所述等离子体的一部分；以及随后，在继续维持所述等离子体的同时，去除LF RF功率或减少至少90％的LF RF功率，使得通过PECVD将氮化硅沉积到衬底上。本发明还涉及用于将氮化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备。
沉积氮化方法设备

[发明专利]PE-CVD设备及方法-CN201610136744.5有效
发明人：丹尼尔·T·阿查德;斯蒂芬·R·伯吉斯;马克·I·卡拉瑟斯;安德鲁·普赖斯;基思·E·布查恩;凯瑟琳·克鲁克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：根据本发明，提供了等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备和方法，所述设备包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室中的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件,其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁，并且，所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，该第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。
pe cvd 设备方法

[发明专利]基板-CN201510315901.4有效
发明人： 凯瑟琳·克鲁克;斯蒂芬·R·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：在其上具有介电膜的基板，其中，该介电膜包括介电材料的至少四个堆叠的层；该堆叠的层包括经受压缩应力的压缩性层，以及经受拉伸应力的拉伸性层；并且存在至少两个间隔开的拉伸性层，该至少两个间隔开的拉伸性层中的每一个均与一个或多个压缩性层相邻。
基板

[发明专利]沉积二氧化硅薄膜的方法-CN201310150780.3在审
发明人： 凯瑟琳·克鲁克;安德鲁·普赖斯;马克·卡拉瑟斯;丹尼尔·阿查德;斯蒂芬·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法，并且更具体地利用原硅酸四乙酯(TEOS)以等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法。该方法可在标准温度下进行，并且也可在用于制造穿透性硅通孔的晶片的低温下进行。
沉积二氧化硅薄膜方法