专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接近传感器-CN201910699396.6有效
  • 栾竟恩;J·泰赛尔 - 意法半导体有限公司
  • 2014-12-24 - 2023-06-23 - G01S17/06
  • 一种接近传感器,包括:具有第一侧和第二侧的包封层;多个帽脚,多个帽脚与包封层的第一侧相接触并且从包封层的第一侧延伸,多个帽脚与包封层由相同材料形成,帽脚中的两个帽脚相对于包封层的第一侧具有第一高度,并且帽脚中的一个帽脚相对于包封层的第一侧具有第二高度,第二高度不同于第一高度;以及多个透镜,每个透镜具有第一侧和第二侧,包封层与每个透镜的第一侧和第二侧相接触;发光器件,发光器件被布置在透镜中的第一透镜之下;半导体裸片,包括在透镜中的第二透镜之下布置的传感器区域;以及粘附材料,粘附材料防止光从中穿过,粘附材料将帽脚中的相对于包封层的第一侧具有第二高度的一个帽脚固定到半导体裸片。
  • 接近传感器
  • [实用新型]电子芯片和电子系统-CN202221221769.2有效
  • E·皮卡德;G·布拉蒙;C·布亚瓦勒 - 意法半导体有限公司
  • 2022-05-20 - 2023-06-23 - H04B1/40
  • 本公开涉及电子芯片和电子系统。电子芯片包括阻抗匹配网络,阻抗匹配网络包括针对具有在第一频带内的频率的信号的第一传输电路和第一接收器电路,并且包括针对具有在不同于第一频带的第二频带内的频率的信号的第二传输电路和第二接收器电路,其中第一传输电路和第二接收器电路在空间上被并排布置;第二传输电路和第一接收器电路在空间上被并排布置。由此,提供了改善的电子芯片。
  • 电子芯片系统
  • [发明专利]具有多外延层衬底配置的氧化物场沟槽功率MOSFET-CN202211337750.9在审
  • 杨延诚;金剑华;叶威扬;阮文征 - 意法半导体有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-05-05 - H01L29/06
  • 本公开的各实施例总体上涉及具有多外延层衬底配置的氧化物场沟槽功率MOSFET。一种半导体衬底包括:掺杂有第一类型掺杂剂的基底衬底层;在基底衬底层上的第一外延层,第一外延层具有第一厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第一电阻率;在第一外延层上的第二外延层,第二外延层具有第二厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第二电阻率(小于第三电阻率);以及在第二外延层上的第三外延层,第三外延层具有第三厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第三电阻率(小于第二电阻率)。一种氧化物场沟槽晶体管包括具有绝缘多栅区和多源区的沟槽,该沟槽延伸到半导体衬底中并且穿过第一掺杂区、第二掺杂区和第三外延层并且部分地进入第二外延层。
  • 具有外延衬底配置氧化物沟槽功率mosfet
  • [发明专利]射频加倍器和三倍器-CN202211037686.2在审
  • L·福格特 - 意法半导体有限公司
  • 2022-08-26 - 2023-04-07 - H03B19/14
  • 本公开涉及射频加倍器和三倍器。在实施例中一种射频加倍器包括:第一晶体管和第二晶体管,并联连接在第一差分输出与被配置为提供偏置电流的电流源的第一端子之间,电流源的第二端子连接至第一电源电位;第三晶体管,连接在电流源的第一端子与第二差分输出之间;电路,被配置为将第一差分输入的AC分量和第一DC电压施加到第一晶体管的栅极,将第二差分输入的AC分量和第一DC电压施加到第二晶体管的栅极,并且将第二DC电压施加到第三晶体管的栅极;以及反馈环路,被配置为根据第一差分输出的DC分量与第二差分输出的DC分量之间的差来控制第一电压或第二电压,以使DC分量均衡。
  • 射频加倍三倍
  • [实用新型]集成电路-CN202221398372.0有效
  • 李欣蓓;阮文征;F·拉努瓦;F·塔希尔;D·阿德南 - 意法半导体有限公司;意法半导体(图尔)公司
  • 2022-06-06 - 2023-03-10 - H01L27/06
  • 本公开的各实施例涉及集成电路。以第一绝缘层内衬半导体衬底中的沟槽。使用沉积在第一绝缘层上的硬掩模层控制蚀刻的执行,该蚀刻从上沟槽部分选择性地去除第一绝缘层的第一部分,同时在下沟槽部分中留下第一绝缘层的第二部分。在去除硬掩模层之后,以第二绝缘层内衬沟槽的上部。然后通过单次沉积填充形成场效应整流二极管的单一栅极/场板导体的多晶硅材料来填充沟槽中的开口,该开口包括由第一绝缘层的第二部分在下沟槽部分中界定的下开口部分以及由第二绝缘层在上沟槽部分处界定的上开口部分。本实用新型的实施例提供了一种具有特定结构的集成电路。
  • 集成电路
  • [实用新型]集成电路-CN202221268905.3有效
  • P·加利 - 意法半导体有限公司
  • 2022-05-24 - 2023-02-17 - H01L27/02
  • 本公开的实施例涉及集成电路。集成电路由具有半导体衬底的半导体部件和包括金属层的互连部件形成。静电放电传感器包括半导体部件中的半导体结构和互连部件中的金属天线网络。静电放电传感器具有在半导体结构中具有电阻性链路或电容性链路或PN结链路之一的至少一对两个节点。耦合到至少一对两个节点中的节点的天线网络的天线展现出形状不对称性和尺寸不对称性之一。利用本公开的实施例有利地放大在传感器中的结果,以便能够以更高的灵敏度检测它们。
  • 集成电路

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