专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置-CN200720069314.2无效
  • 史伟民;郑耀明;徐环 - 上海大学
  • 2007-04-25 - 2008-02-20 - C23C14/24
  • 本实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置,属物理气相沉积技术领域。本实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器(9),其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖(11),两者结合处设置有密封圈凹槽(10);容器(9)底部有一盛放源料物质(1)的蒸发管(2)与之连接;在肩部形成的腔体平台(3)上放置有隔热板(4),并在其上放有玻璃基片(5),基片(5)上面设有贴紧的基片加热板(6);容器(9)中部设有真空抽气口(8);容器外壁周围设有循环冷却水管(7)。该装置的操作温度要求源料物质的温度要求范围为50~120℃,加热板的温度要求范围为室温~100℃。真空度要求为10-3~10-4Pa(帕)。本实用新型的装置结构简单,易于操作,可重复使用;特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。
  • 真空蒸发物理沉积薄膜生长装置

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