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[发明专利]两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片-CN202311159955.7在审
发明人：强斌;董琛;胡薇;彭春雨;卢文娟;赵强;蔺智挺;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F7/52 文献下载
摘要：本发明涉及两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片。所述两字节乘法电路包括四个与门电路和两个半加器电路。每个半加器电路包括三个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管。半加器电路结构在仅用六个晶体管的情况下能达到全摆幅输出。在四个门电路模块和两个半加器电路模块组合下，完成一个2bit乘法器电路设计，同时两字节乘法电路可根据不同位宽乘法运算的需要进行不同电路的组合设计，通过配置加法器和移位器，使得运算器进行任意位宽为2次幂的乘法，可以避免高位运算的大体积的乘法器，可以实现数据位宽的灵活调节，进而实现更多复杂数据的运算，同时降低芯片运行功耗，使运算效率大大提高。
字节乘法电路及其任意芯片

[发明专利]一种Kubernetes的资源调度方法、装置、设备及介质-CN202210360698.2在审
发明人：杨鸿渐;强斌;屠春君 -专利权人：上海汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：本申请提供了一种Kubernetes的资源调度方法，该方法通过Kubernetes获取可用节点，根据每个可用节点上资源调度单元POD的类型的数量，以及每个可用节点上的空间与资源负载，确定目标节点，如此，可以在接收应用创建请求后，根据应用创建请求，在目标节点上运行POD。因此，在Kubernetes的资源调度过程中，考虑可用节点上POD的类型的数量，和空间与资源负载，从而确定目标节点，从而充分利用资源，提高任务运行性能。
一种 kubernetes 资源调度方法装置设备介质

[发明专利]具有存内布尔逻辑运算功能的存储电路及其模块、芯片-CN202311176711.X在审
发明人：强斌;董琛;高梦雅;彭春雨;卢文娟;赵强;蔺智挺;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明涉及具有存内布尔逻辑运算功能的存储电路及其模块、芯片。存储电路包括两个存储单元、运算电路。运算电路包括NMOS晶体管N5、N6、N11、N12。N5的栅极电连第一存储单元的一个存储节点，而源极电连N11的源极、漏极电连N6的漏极并形成运算输出节点。N6的栅极电连第一存储单元的另一个存储节点，而源极电连N12的源极。N11的漏极、N12的漏极分别电连第二存储单元的两个存储节点，N11、N12的栅极分别受控于使能信号。本发明通过利用原有的两个存储单元设计分离控制的一组信号接口，做到同一个电路结构可以输出两种不同的逻辑信号，因而能耗低、运算灵活。
具有布尔逻辑运算功能存储电路及其模块芯片

[发明专利]一种同侧双位线的8T单元、逻辑运算电路及CIM芯片-CN202310345783.6在审
发明人：强斌;赵强 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种同侧双位线的8T单元，量化电路、逻辑运算电路、编码电路，存算电路以及CIM芯片。8T单元具有数据读写保持功能和布尔逻辑运算功能，支持“与”、“或”、“同或”三类逻辑运算的单独或并行操作；8T单元由2个PMOS管P1～P2，6个NMOS管N1～N6构成，其中，P1、P2，以及N1～N4构成经典的6TSRAM结构，N5的栅极接反相存储节点QB；N5的漏极与N6的源极相连并接位线CBL；N6的漏极接位线RBL；N6的栅极接字线RWL1；N5的源极接字线RWL2；其中，字线RWL1和RWL2用于输入逻辑运算所需的其中一个操作数，位线RBL且/或CBL用于输出对应的运算结果。本发明解决了现有各类存算电路方案支持的逻辑运算功能较为单一，应用场景较窄的问题。
一种侧双位线单元逻辑运算电路 cim 芯片

[发明专利]基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路、模块-CN202310409612.5有效
发明人：彭春雨;陆逸笑;卢文娟;强斌;刘立;关立军;戴成虎;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用上交叉耦合部与输入电路部直接串联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。
基于交叉耦合自适应关断型 sram 灵敏放大器电路模块

[实用新型]一种压缩机叶轮的装卸结构-CN202222533536.2有效
发明人：包国强;陈建勇;葛巍;杨立功;周金;李永明;强斌;任喜彦;薛彦成;李子云;武斌;海明红;陈盺;苟海峰;赵文强;王鹏飞 -专利权人：中核四0四有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F04D17/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压缩机叶轮的装卸结构，包括：主轴；叶轮，所述叶轮套设于所述主轴的外壁上，与所述主轴过盈配合连接；拆卸部，所述拆卸部设于所述主轴上，适于拆卸所述叶轮。本实用新型的方案中，所述叶轮和所述主轴采用过盈配合连接，装配结构简单，能够实现所述叶轮与所述主轴的无间隙连接，可有效减小风机震动，同时增强了设备运行安全性。
一种压缩机叶轮装卸结构

[实用新型]一种混凝土叠合梁的施工装置-CN202320005508.5有效
发明人：易华明;李雪锚;范志勇;强斌 -专利权人：浙江正立高科建设有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B66C1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混凝土叠合梁的施工装置，包括顶板，顶板下端两侧均固定设有侧板，所述侧板与侧板之间固定设有底板，所述底板和所述顶板中部通过连接板固定连接，所述底板上位于所述连接板两侧均设有两个卡块，所述卡块下端均固定设有滑块，所述底板对应所述滑块的位置设有滑槽，所述滑块一端穿出所述滑槽与吊绳结构固定连接，所述底板下端中部固定设有电机盒，所述电机盒内固定设有电机一，所述电机一的输出端穿过所述电机盒与连接轴一端固定连接，所述连接轴另一端固定设有螺纹块，所述螺纹块外设有延长柱，所述延长柱下端设有转动结构；本实用新型可减少预制梁吊装过程中晃动。
一种混凝土叠合施工装置

[实用新型]一种氯化法生产四氯化钛尾气处理装置-CN202223379923.1有效
发明人：强斌;李朝伟;王伟 -专利权人：宜宾天原海丰和泰有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯化法生产四氯化钛尾气处理装置，包括氯化尾气排放管、粗四氯化钛贮槽尾气排放管、精制尾气排放管、精制贮槽尾气排放管、精制纯钛贮槽尾气排放管；氯化尾气排放管与多级尾气处理装置的进口相连，多级尾气处理装置的出口与烟囱相连；粗四氯化钛贮槽尾气排放管、精制尾气排放管、精制贮槽尾气排放管及精制纯钛贮槽尾气排放管均与一列管式换热器的进气口相连，列管式换热器的出气口与精制尾气处理塔的进口相连，精制尾气处理塔的出口与烟囱相连；本实用新型可降低精制尾气的压力、提升精制负荷，并回收尾气中的四氯化钛、降低四氯化钛的损失，提高四氯化钛的收率。
一种氯化生产尾气处理装置

[发明专利]一种带有防倾斜结构的脚手架-CN202310277132.8有效
发明人：郭江峰;张朝阳;尹胜兵;徐淑娟;刘波波;崔进刚;陈琦;焦香芳;强斌;郑陈建 -专利权人：山西建筑工程集团有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： E04G1/15 文献下载
摘要：本发明一种带有防倾斜结构的脚手架，属于建筑施工的脚手架领域，所要解决的技术问题是提供一种带有防倾斜结构的脚手架，采用的方案为：带有防倾斜结构的脚手架包括，下脚手架和上脚手架，下脚手架顶部设有上脚手架，且下脚手架顶部四角分别与上脚手架底部四角滑动插接，还包括：上支撑杆、悬挂钩、下支撑杆、挡板、滑杆、活动板、垫片、弹簧和卡杆，上脚手架两侧均设有上支撑杆。本发明提供的带有防倾斜结构的脚手架，可以在搭建好脚手架之后，在脚手架的两侧安装带有悬挂钩的上支撑杆和下支撑杆，对脚手架的两侧进行辅助的支撑，让脚手架在使用时更稳定牢固，方便根据不同的地形、不同高度层数的脚手架对两侧的支撑进行调整。
一种带有倾斜结构脚手架

[实用新型]一种高温蒸汽冷凝水回收装置-CN202223365885.4有效
发明人：罗小芳;强斌;李朝伟;王伟 -专利权人：宜宾天原海丰和泰有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： F28C3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温蒸汽冷凝水回收装置，包括蒸汽冷凝水排放管、通过管道相连的循环水槽和循环泵、置于循环水槽中的循环水；一回收筒的下段置于循环水中，蒸汽冷凝水排放管的末端穿过回收筒、并置于筒内的循环水液面下，循环泵的出口通过循环管与喷头相连，喷头置于循环水液面上方的回收筒内；本实用新型可防止水蒸汽外溢造成现场环境的污染，并有利于降低循环水处理的加药量，可降低循环水的生产成本。
一种高温蒸汽冷凝回收装置

[发明专利]一种用于模拟联想记忆的强化学习仿生电路架构-CN202110962416.1有效
发明人：代月花;冯哲;邹建勋;王旭;胡古月;李星;杨菲;强斌;朱成龙;王菲菲;邵鹏;杨斌;汪小青;陈默;秦耕;李一鸣 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本发明公开一种用于模拟联想记忆的强化学习仿生电路架构，所述电路架构包括MUX，所述MUX上连接有突触模块、控制模块和输出模块，突触模块包括用于模拟输入神经元的方波电压信号，方波电压信号为2n个，其中，n为大于1的整数，控制模块包括控制信号，控制信号为可以为n个，n和控制信号可强化形成2n种不同类型的强化控制信号代表学习方法强化的人群刺激进入2n个突触模块。本发明强化学习仿生电路架构是基于巴甫洛夫联想记忆以及非联想记忆的，它更真实地模拟了人类记忆的特点，这与我们人类的记忆是一致的；通过输入模拟输入神经元的方波电压信号，通过设置控制信号模拟学习方法强化的人群，能够更加全面的模拟人的学习过程。
一种用于模拟联想记忆强化学习仿生电路架构

[发明专利]一种具有高稳定性的MOSFET-TFET混合型14T-SRAM单元电路、模块-CN202310038973.3在审
发明人：吴秀龙;杜晨鸿;强斌;刘立;卢文娟;彭春雨;蔺智挺 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高稳定性的MOSFET‑TFET混合型14T‑SRAM单元电路，和使用了该种14T‑SRAM单元电路封装而成的模块。本发明采用MOSFET晶体管作为SRAM的传输管，消除了当TFET晶体管用作SRAM单元的传输晶体管时出现正偏p‑i‑n电流的问题；采用两个施密特型反相器构成锁存结构，利用MOSFET晶体管N9、N10对每个反相器的反馈作用，可改善TFET器件的延迟输出饱和特性，提高SRAM单元的稳定性；采用PTFET晶体管P1、P2作为写操作时的上拉电路结构，可降低SRAM单元的写功耗；采用NTFET晶体管N5、N6构成读电路部分，可提高SRAM单元的读能力和读速度。
一种具有稳定性 mosfet tfet 混合 14 sram 单元电路模块

[发明专利]具有高写噪声容限的MOSFET-TFET混合型11T-SRAM单元电路、模块-CN202310039992.8在审
发明人：卢文娟;于天祺;周子璇;刘立;强斌;刘念龙;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高写噪声容限的MOSFET‑TFET混合型11T‑SRAM单元电路，和采用了该种11T‑SRAM单元电路布局的模块。本发明的11T‑SRAM单元电路充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，采用了打断锁存结构的方式，提高了单元的写噪声容限；采用漏极电压始终不低于源极电压的NTFET晶体管作为传输控制管，不仅提高了SRAM单元的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元的静态功耗。
具有噪声容限 mosfet tfet 混合 11 sram 单元电路模块

[发明专利]一种补偿位线失调电压的灵敏放大器及芯片与放大电路-CN202310056204.6有效
发明人：彭春雨;台德乐;施琦;强斌;戴成虎;刘立;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;周永亮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明空开了半导体存储器技术领域中的一种补偿位线失调电压的灵敏放大器及芯片与放大电路。灵敏放大器包括：10个NMOS晶体管N1~N10，2个PMOS晶体管P1~P2，1个电容C1。当位线BL为电荷共享位线，位线BLB为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。当位线BLB为电荷共享位线，位线BL为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。本发明在解决了由于失调电压引起的读取数据错误问题，在不同位线电容的情况下，本发明补偿位线失调电压能力最为突出，同时读速度快、功耗低。
一种补偿失调电压灵敏放大器芯片放大电路

[实用新型]一种三氧化铀颗粒的研磨装置-CN202222776505.X有效
发明人：邹佳成;任喜彦;徐青霖;强斌;周金;卢选会;苟海峰;刘超;孙成龙 -专利权人：中核四0四有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B02C19/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三氧化铀颗粒的研磨装置，包括钢平台；设置在所述钢平台上方的振动磨；设置在所述振动磨上方的加料平台，所述加料平台上设置有盛放三氧化铀颗粒的加料料斗；所述加料料斗通过穿管与所述振动磨连接。本实用新型所述的三氧化铀颗粒的研磨装置，实现了将不符合工艺要求的三氧化铀粗颗粒研磨再利用，提高了材料利用率。
一种氧化颗粒研磨装置

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