专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Fe3-CN202110711670.4有效
  • 张尔攀;闫文君 - 杭州电子科技大学
  • 2021-06-25 - 2023-06-30 - G01N27/12
  • 本发明公开了一种Fe3O4@UiO‑66结构气体传感器的制备方法,本发明将FeCl3·6H2O溶解在乙二醇里,超声、搅拌,使溶液分散均匀。然后加入聚丙烯酸,去离子水和尿素;超声10分钟后,在水热釜内反应,冷却至室温,分离得到Fe3O4纳米颗粒。将Fe3O4纳米粉末加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中超声,得到Fe3O4分散液,将ZrCl4和对苯二甲酸加入到DMF中,得到UiO‑66前驱体溶液,将上述两种液体超声混合均匀,然后放置在烘箱中反应后,冷却至室温,分离得到Fe3O4@UiO‑66纳米复合材料,制得气体传感器。本发明对乙醇蒸汽的探测重复性和稳定性良好,非常具有实际应用价值。
  • 一种febasesub
  • [发明专利]一种基于MOFs材料的新型氨气传感器的制备方法-CN202110710234.5有效
  • 张尔攀;闫文君 - 杭州电子科技大学
  • 2021-06-25 - 2022-11-04 - G01N27/12
  • 本发明公开了一种基于MOFs材料的新型氨气传感器的制备方法,本发明将ZrCl4、对苯二甲酸、对苯二甲酸磺酸钠加入到N,N‑二甲基甲酰胺和乙酸的混合溶剂中,超声溶解,将溶解后的液体放置在烘箱中反应,冷却至室温;将产物反复用乙醇清洗,得到磺酸化的UiO‑66材料;将制备得到的UiO‑66‑HSO3材料,与松油醇混合研磨均匀,形成有粘度的浆料;将集成有微加热板的硅基底叉指电极芯片作传感器芯片,将上述制备的浆料涂覆于叉指电极中间位置,利用集成的微加热板加热,除去有机溶剂松油醇;利用集成的微加热器持续加热老化,获得性能稳定的气体传感器。本发明可以实现在常温下对氨气的快速响应和选择性探测性能。
  • 一种基于mofs材料新型氨气传感器制备方法
  • [发明专利]一种测量单极性电阻式存储器工作寿命的方法-CN201110102013.6有效
  • 季振国;姚跃腾;席俊华;张尔攀 - 杭州电子科技大学
  • 2011-04-22 - 2011-11-16 - G11C29/00
  • 本发明涉及一种测量单极性电阻式存储器工作寿命的方法。目前还没有测试单极性电阻式存储器工作寿命的方法。本发明方法通过判断单极性电阻式存储器经过Set或Reset过程后是否损坏来实现。具体是观测单极性电阻式存储器在Set或Reset过程中是否有跳变信号,从零开始增加电压,如果在Set过程中能够观测到向上的跳变信号或者在Reset过程中观测到向下的跳变信号,表明器件没有损坏,否则就表明器件已经损坏。循环进行Set或Reset过程,统计损坏前的Set过程的总次数,即为单极性电阻式存储器的工作寿命。本方法通过简单的方法,实现了对单极性电阻存储器特性及工作寿命的测试。
  • 一种测量极性电阻存储器工作寿命方法
  • [发明专利]一种利用电子束轰击还原掺Eu铝酸锶夜光材料的方法-CN201110102004.7有效
  • 季振国;吴家亮;张尔攀;席俊华 - 杭州电子科技大学
  • 2011-04-22 - 2011-09-14 - C09K11/80
  • 本发明涉及一种利用电子束轰击还原掺Eu铝酸锶夜光材料的方法。现有的还原方法能耗大,且用到或产生有毒有害气体。本发明方法首先将待还原掺Eu铝酸锶材料进行烧结,将烧结后的掺Eu铝酸锶材料放入真空室内,将真空室抽真空,使得真空室的压强小于等于10-1Pa,开启电子枪,电子枪发出的电子束打在待还原掺Eu铝酸锶材料上,利用光纤光谱仪通过观测窗检测待还原掺Eu铝酸锶,当检测到待还原掺Eu铝酸锶发出峰值波长为526nm的绿光时,关闭电子枪,取出掺Eu铝酸锶,即为还原后的掺Eu铝酸锶夜光材料。本发明方法不但可大大降低能源消耗和节省时间,且不需要任何气体或辅助材料,符合材料加工与处理的节能、低碳排放要求。
  • 一种利用电子束轰击还原eu铝酸锶夜光材料方法
  • [发明专利]一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法-CN200710177368.5无效
  • 吴以成;张书峰;张尔攀;傅佩珍;陈创天 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2007-11-14 - 2009-05-20 - C30B29/14
  • 一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法,其步骤:1)将磷酸硼化合物与助熔剂按比例混合装入铂坩埚,在晶体生长炉中升温至完全熔化;再降温至饱和温度之上2~15℃,得到含磷酸硼和助熔剂的高温熔体;2)把装在籽晶杆上的籽晶放入高温熔体中,恒温10~180分钟后,降温到饱和温度,以10~50转/分钟速率转动籽晶杆;以0.1~2℃/天速率降温,待晶体长大后将晶体提离液面,以20~50℃/小时速率降至室温,得到磷酸硼单晶。该方法使用的助熔剂,可降低高温熔体粘度,利于晶体生长过程中熔质输运,避免晶体中包裹体形成,可稳定生长厘米级尺寸具紫外截止波长短,机械加工性能好,不易碎裂,不吸潮,易保存透明磷酸硼单晶。
  • 一种磷酸硼单晶熔剂生长方法

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