“秦洪基”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201210434760.4无效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]触摸感应基板-CN201210019583.3有效
发明人：吕伦钟;赵炳勋;郑基勋;秦洪基;方廷硕;金雄权;金成烈;金希骏;金大哲;韩根旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供了触摸感应基板。该触摸感应基板包括基板、第一光感应元件、第二光感应元件和第一偏置线。第一光感应元件包括第一栅极电极、与第一栅极电极交叠的第一有源图案、与第一有源图案部分地交叠的第一源极电极以及与第一有源图案部分地交叠的第一漏极电极。第二光感应元件包括第二栅极电极、与第二栅极电极交叠的第二有源图案、与第二有源图案部分地交叠的第二源极电极以及与第二有源图案部分地交叠的第二漏极电极。第一偏置线连接到第一栅极电极和第二栅极电极。
触摸感应

[发明专利]触摸屏基板及其制造方法-CN201110008679.5有效
发明人：吕伦钟;秦洪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明公开了触摸屏基板及其制造方法。在触摸屏基板及其制造方法中，触摸屏基板包括基底基板、遮光图案、第一感测元件和第一开关元件。遮光图案包括形成在基底基板上的无机层和形成在无机层上的遮光层，遮光层透射红外光并吸收可见光。第一感测元件形成在遮光图案上并感测红外光。第一开关元件电连接到第一感测元件。因此，可以防止在遮光图案下部形成底切，并可以增加遮光图案与基底基板之间的粘合强度。
触摸屏及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201010210445.4有效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200910162048.1无效
发明人：崔升夏;金湘甲;崔新逸;李基晔;杨东周;秦洪基;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管面板和所述薄膜晶体管面板的制造方法-CN200910126213.8无效
发明人： 秦洪基;崔新逸;金湘甲;吴旼锡;丁有光;崔升夏;杨东周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：形成在衬底上并包括栅电极的栅极线；形成在衬底的具有栅极线的表面上的半导体层；数据线，所述数据线形成在半导体层上，与栅极线绝缘地相交，并且包括设置在栅电极上的源电极；漏电极，所述漏电极通过沟道与源电极分离，设置在栅电极上，并由与数据线的层相同的层形成；钝化层，所述钝化层形成在数据线和漏电极上，并具有暴露漏电极的第一接触孔；和像素电极，所述像素电极形成在钝化层上，并通过第一接触孔接触漏电极。数据线和漏电极可以包括第一层和形成在第一层上的第二层，第一层的平坦边缘从第二层的平坦边缘突出，并且第一层通过干蚀刻形成，而第二层通过湿蚀刻形成。
薄膜晶体管面板制造方法

[发明专利]金属布线层及其制造方法-CN200810174806.7有效
发明人：杨东周;崔新逸;金湘甲;吴旼锡;秦洪基;李基晔;丁有光;崔升夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。
金属布线及其制造方法

[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统-CN200710194464.0无效
发明人：吴旼锡;金湘甲;秦洪基;丁有光;崔升夏;金基铉;宋仁虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。
制造薄膜晶体管方法使用系统

[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法-CN200710167104.1无效
发明人：崔升夏;金湘甲;吴旼锡;崔新逸;金大玉;秦洪基;丁荣镐;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。
制造薄膜晶体管方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200710126331.X有效
发明人： 秦洪基;金湘甲;吴旼锡;金周汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610142803.6有效
发明人：崔升夏;吴旼锡;秦洪基;金湘甲;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及制造方法-CN200610098474.X有效
发明人：金湘甲;李禹根;金时烈;周振豪;金彰洙;皇甫尙佑;吴旼锡;柳慧英;秦洪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。
薄膜晶体管阵列面板制造方法

[发明专利]形成接触孔的方法和利用该方法制造薄膜晶体管板的方法-CN200610099328.9无效
发明人： 秦洪基;金湘甲;吴旼锡;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-17 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成接触孔的方法，包括：在基板上形成导电层；将导电层图样化以形成布线；通过低温处理在布线和基板上形成绝缘层，以及利用缺氧气体对绝缘层进行干法蚀刻以暴露布线。
形成接触方法利用制造薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610057753.1有效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]等离子体装置-CN200510129428.7有效
发明人：崔熙焕;金湘甲;吴旼锡;秦洪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
等离子体装置

1
2
下一页»
尾页
共 16 条