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[发明专利]液体喷头及液体喷射装置-CN200910164626.5有效
发明人：大桥幸司;岩下节也;大泽荣治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供能够良好印刷、蚀刻特性优异的液体喷头及其制造方法。液体喷头(50)包括：具有压力室(521)的压力室基板(52)；设置在所述压力室基板一侧的振动板(55)；设置在所述振动板的上方且与所述压力室对应的位置的压电元件(54)；设置在所述压力室基板的另一侧并具有与所述压力室连通的喷嘴孔的喷嘴板(51)。所述压电元件具有：下部电极(4)、形成在所述下部电极的上方的取向层(7)、形成在所述取向层上方的压电体层(5)、形成在所述压电体层的上方的上部电极(6)。所述取向层(7)包括镍酸镧的混晶，所述混晶所含的镍酸镧用式La_xNi_yO_z表示时，x是1至3中的任一个整数，y是1或2，且z是2至7中的任一个整数。
液体喷头喷射装置

[发明专利]粉末状复合金属氧化物的制造方法及非晶体复合金属氧化物-CN200710111496.X无效
发明人：木岛健;降旗荣道;岩下节也;木村里至;金田敏彦 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供可通过极其简单的方法获得粉末状复合金属氧化物的制造方法，包括：准备形成复合金属氧化物的原料组合物；在原料组合物中混合含有氧化性物质的氧化性溶液、生成复合金属氧化物的粒子并形成该粒子的分散液；及从分散液分离粒子形成粉末状的复合金属氧化物。复合金属氧化物用通式AB_1-xC_xO₃表示，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中至少一种，C元素包括Nb及Ta中至少一种。原料组合物包括：含有A元素、B元素、或C元素的热分解性有机金属化合物、含有A元素、B元素、或C元素的水解性有机金属化合物、其部分水解物及/或缩聚物中至少一种；聚羧酸和聚羧酸酯中至少一种；及有机溶剂。
粉末状复合金属氧化物制造方法非晶体

[发明专利]绝缘性靶材及其制造方法、导电性复合氧化膜及设备-CN200610111222.6有效
发明人：大桥幸司;岩下节也;木岛健;滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO₃表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。
绝缘性及其制造方法导电性复合氧化设备

[发明专利]前驱体组合物及其制造方法、喷墨涂布用墨液-CN200510134113.1有效
发明人：木岛健;岩下节也;滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种含有用于形成铁电体的前驱体的前驱体组合物，上述铁电体用通式AB_1－XC_XO₃表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一种构成，C元素由Nb和Ta中的至少一种构成，上述前驱体至少含有上述B元素和C元素，而且局部含有酯键，上述前驱体溶解或分散于有机溶剂中，上述有机溶剂至少含有第1醇、以及沸点和粘度比该第1醇高的第2醇。由此，采用液相法提供具有良好的组成控制性且使铅等金属成分的再利用成为可能的铁电体形成用前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法、和使用了前驱体组合物的铁电膜的制造方法。
前驱组合及其制造方法喷墨用墨

[发明专利]压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头-CN200510134074.5有效
发明人： 岩下节也;木岛健;大桥幸司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种压电元件(10)包含：基板(1)；基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层(42)，镍酸镧缺欠氧。由此，本发明提供一种能够得到良好的压电特性的压电元件。
压电元件激励喷墨式记录

[发明专利]压电元件和压电激励器和压电泵及喷墨式记录头-CN200510134075.X有效
发明人： 岩下节也;木岛健;大桥幸司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种压电元件(10)，包含：基板(1)；在基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的由具有钙钛矿型化合物结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含1层以上的由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层(41)。由此，本发明能够提供可得到良好压电特性的压电元件。
压电元件激励喷墨式记录

[发明专利]压电致动器及液体喷头-CN03801388.6有效
发明人：樋口天光;岩下节也;角浩二;村井正己 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电致动器，具有在将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最合适的层结构。该压电致动器包括：振动板(30)，所述振动板(30)由在(100)－Si衬底(20)上外延生长的具有(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆、CeO₂或ZrO₂构成；具有(001)取向的REBa₂Cu₃O_x的缓冲层(41)，所述缓冲层(41)形成在所述振动板(30)上；下部电极(42)，所述下部(42)电极形成在所述缓冲层上，且包括(100)取向的钌酸锶；压电层(43)，所述压电层(43)形成在所述下部电极(42)上，且由(100)取向的PZT构成；以及形成在所述压电层上的上部电极(44)。
压电致动器液体喷头

[发明专利]电子装置用衬底、电子装置用衬底的制造方法、及电子装置-CN03156519.0无效
发明人：樋口天光;岩下节也;宫泽弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO₂的生成速率。
电子装置衬底制造方法

[发明专利]压电体元件的制造方法,压电体元件和液滴喷出式记录头-CN03122626.4有效
发明人：桥本贵志;岩下节也;樋口天光;宫泽弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明提供压电体元件制造方法，工艺简单，能够提供成本低的压电体元件，该方法包括将含有金属微粒子的液体2由喷墨头101直接在压电体层40上进行图形涂布，然后热处理将液体2转变为金属膜。
压电元件制造方法喷出记录

[发明专利]电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机-CN03107285.2有效
发明人：樋口天光;岩下节也;宫泽弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： B41J2/135 文献下载
摘要：本发明提供一种以最佳结构可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件、具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机。本发明的图1所示的电子器件用基板100包括：具有非晶态层15的基板11、在非晶态层15上形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层12和在缓冲层12上以外延生长法形成并具有钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层13。缓冲层12最好是包含NaCl结构的金属氧化物、荧石型结构的金属氧化物中的一种的金属氧化物，并且，在立方晶体(100)取向以外延生长法生成的物质。
电子器件用基板电介质存储器电子器械喷墨式打印头打印机

[发明专利]电子装置用衬底，电子装置用衬底的制造方法，及电子装置-CN02153623.6无效
发明人：樋口天光;岩下节也;宫泽弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电子装置的衬底，该电子装置包括由立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向并利用外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层衬底，本发明还提供一种具有用于该电子装置的衬底的电子装置。图1所示的电子装置用衬底(100)包括Si衬底(11)；在Si衬底(11)上利用外延生长形成包含具有NaCl结构的金属氧化物的缓冲层(12)；在缓冲层(12)上用立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向外延生长形成的含有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层(13)。优选的是，Si衬底(11)是不除去自然氧化膜(100)衬底或(110)衬底。并且，缓冲层(12)的平均厚度等于或小于10nm。
电子装置衬底制造方法

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