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[发明专利]液体喷出头-CN202110225747.7有效
发明人：古池晴信;角浩二;中山雅夫 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在高湿度的环境下对漏电流的增加进行抑制的液体喷出头。记录头(3)具备：压力室(22)；压电致动器，其使压力室(22)的容积发生变化，压电致动器具备：振动板(21)，其构成压力室(22)的一个壁面；下电极(30)，其被形成在振动板(21)上；压电体(31)，其被形成在下电极(30)上；上电极(32)，其被形成在压电体(31)以及振动板(21)上，在从与振动板(21)正交的±Z方向进行观察时，下电极(30)以及压电体(31)与压力室(22)的中心部(22c)不重叠，在从±Z方向进行观察时，下电极(30)、压电体(31)以及上电极(32)与压力室(22)的端部(22w)重叠，在从±Z方向进行观察时，上电极(32)与压力室(22)的中心部(22c)重叠。
液体喷出

[发明专利]压电元件及其制造方法、以及压电元件应用装置-CN201810733889.2有效
发明人： 角浩二;古林智一;酒井朋裕;北田和也;两角浩一;浅川勉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种泄漏电流较少的压电元件。压电元件包括：第一电极；压电体层，其被设置于所述第一电极的上方，且包括钾、钠、铌、钛以及氧；第二电极，其被设置于所述压电体层的上方。
压电元件及其制造方法以及应用装置

[发明专利]液体喷出头以及打印机-CN202010300803.4有效
发明人：高部本规;板山泰裕;角浩二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种振动板的位移量较大的液体喷出头以及打印机。液体喷出头包括：喷嘴板，其设置有喷出液体的喷嘴孔；硅基板，其设置有压力产生室，所述压力产生室与所述喷嘴孔连通；振动板，其被设置于所述硅基板上；压电元件，其被设置于所述振动板上，并使所述压力产生室的容积发生变化，所述压电元件具有压电体层，所述压电体层包括含有铅、锆以及钛的钙钛矿型结构的复合氧化物，在所述压电体层的X射线衍射中，源自所述压电体层的(100)面的峰值的位置、与源自所述硅基板的(220)面的峰值的位置的差值小于25.00°。
液体喷出以及打印机

[发明专利]压电致动器的制造方法-CN202011338648.1在审
发明人：古池晴信;四十物孝宪;中山雅夫;高部本规;角浩二;板山泰裕;清水稔弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物层难以剥离的压电致动器的制造方法。该压电致动器的制造方法包括形成振动板的工序、在所述振动板上形成第一电极的工序、在所述第一电极上形成压电体层的工序、在所述压电体层上形成第二电极的工序，形成所述振动板的工序具有单一层形成工序，该单一层形成工序包括利用气相法来形成包含锆的金属层的工序和烧成所述金属层而形成金属氧化物层的工序，重复所述单一层形成工序，来形成层压所述金属氧化物层而成的所述振动板，所述金属氧化物层的厚度小于200nm。
压电致动器制造方法

[发明专利]压电元件和压电元件应用设备-CN201610740490.8有效
发明人：酒井朋裕;角浩二;一色铁也;高桥敏明;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：一种压电元件，具备第1电极，利用溶液法形成于上述第1电极上且由含有钾、钠及铌的钙钛矿型结构的复合氧化物构成的压电体层，以及设置在上述压电体层上的第2电极，上述压电体层在通过θ‑2θ测定得到的X射线衍射图案中具有来自（200）面的峰和来自（002）面的峰。
压电元件应用设备

[发明专利]压电元件、压电元件应用器件以及压电元件的制造方法-CN201610173462.2有效
发明人： 角浩二;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于施加电压的位移的线性度优异且位移特性优异的压电元件、压电元件应用器件以及压电元件的制造方法。一种压电元件，具备：第一电极(60)，其形成在基板(10)上；压电体层(70)，其形成在上述第一电极(60)上，并且包含由下述公式(1)表示的ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物；以及第二电极(80)，其形成在上述压电体层(70)上，在上述第一电极与上述压电体层之间具备种子层(65)，该种子层包含含有K以及Nb的ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物，上述压电体层由在(110)面优先取向的多晶构成，(KX，Na1﹣X)NbO3…(1)。
压电元件应用器件以及制造方法

[发明专利]压电元件以及压电元件应用装置-CN201810159615.7有效
发明人：北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明;浅川勉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有由向(100)面结晶取向的KNN构成的压电体层的压电元件以及压电元件应用装置。压电元件具有：基板；第一电极，其被形成在基板上；压电体层，其被形成在第一电极上，且为包含钾、钠、以及铌的多个压电体膜层叠而成的层叠体；第二电极，其被形成在压电体层上，压电体层中的钠浓度在多个压电体膜中的第一压电体膜的第一电极的附近处具有作为钠浓度的极大值的Na极大值，且从Na极大值起越靠近第二电极则越向钠浓度减少的方向倾斜，并且在第一压电体膜与被形成在其正上方的第二压电体膜的边界的附近处具有作为钠浓度的极小值的Na极小值。
压电体膜压电元件压电体层第一电极第二电极应用装置基板结晶取向浓度减少层叠体

[发明专利]压电元件、压电元件应用器件以及压电元件的制造方法-CN201610121044.9有效
发明人： 角浩二;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种对于施加电压的位移的线性优良的压电元件、压电元件应用器件以及压电元件的制造方法。上述压电元件是具备形成在基板(10)上的第一电极(60)、形成在上述第一电极(60)上且包括由下述式(1)表示的ABO₃型钙钛矿结构的复合氧化物的压电体层(70)、以及形成在上述压电体层(70)上的第二电极80的压电元件，上述压电体层由向(100)面优先取向的多晶构成，具有50nm以上2000nm以下的厚度，并且来源于上述压电体层的(100)面的X射线的衍射峰位置(2θ)为22.51°以上22.95°以下，(K_X，Na_1‑X)NbO₃…(1)。
压电元件应用器件以及制造方法

[发明专利]接点开闭装置-CN201580038802.4有效
发明人： 角浩二;下田城毅;猿渡庸二郎;横手康浩;田代雅彦;田中弘泰;福井教夫;古庄伸一 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01H50/56 文献下载
摘要：本发明提供一种接点开闭装置(1)，其具备从动接点(11)、驱动接点(12)和螺线管执行机构(5)。驱动接点(12)被设计为相对于从动接点(11)能够移动。螺线管执行机构(5)具有被设计为能够移动到断开位置(Poff)和接通位置(Pon)的可动部(22)。可动部(22)在断开位置(Poff)时，驱动接点(12)和从动接点(11)成为非接触状态。可动部(22)在接通位置(Pon)时，驱动接点(12)和从动接点(11)成为接触状态。驱动接点(12)和从动接点(11)从非接触状态被切换为接触状态时，可动部(22)从断开位置(Poff)经由超过了接通位置(Pon)的过冲位置(Pos)，移动到接通位置(Pon)。
接点开闭装置

[发明专利]压电元件和压电元件应用设备-CN201610191495.X有效
发明人：酒井朋裕;角浩二;一色铁也;高桥敏明;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种实现了压电特性的提高和漏电流的抑制中的至少一方的压电元件及压电元件应用设备。压电元件(300)具备：第1电极(60)；通过溶液法在上述第1电极(60)上形成的由包含钾、钠、铌的钙钛矿型结构的复合氧化物构成的压电体层(70)；设置在上述压电体层(70)上的第2电极(80)，将上述压电体层(70)以10万倍拍摄截面SEM图像并在横向的测定值成为1273nm的条件下进行评价时，在该压电体层(70)中含有2个以上的空隙(75)，各空隙的在膜厚方向成为最大的直径中，最大值与最小值之差为14nm以下且上述最大值为24nm以下。
压电元件应用设备

[发明专利]压电元件、压电元件应用设备以及压电元件的制造方法-CN201611224574.2有效
发明人：酒井朋裕;北田和也;角浩二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供压电元件、压电元件应用设备以及压电元件的制造方法。一种压电元件，具备第1电极；压电体层，该压电体层包括第1压电体膜和多个第2压电体膜，上述第1压电体膜形成在第1电极上且含有钾、钠以及铌，上述多个第2压电体膜形成在第1压电体膜上且含有钾、钠以及铌；以及第2电极，该第2电极形成在压电体层上，压电体层是多个压电体膜的层叠体，第1压电体膜具有30nm以上且70nm以下的厚度，分别的压电体膜内的钠的浓度沿膜厚方向形成梯度，在第1电极侧高，在第2电极侧低。
压电体膜压电元件电极压电体层应用设备电极形成膜厚方向层叠体制造

[发明专利]压电元件、以及压电元件应用装置-CN201711268261.1在审
发明人：北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了压电特性的压电元件、以及压电元件应用装置。所述压电元件为，具备第一电极(60)、第二电极(80)、和被设置于所述第一电极(60)与所述第二电极(80)之间的、由包括钾、钠、铌的钙钛矿型的复合氧化物构成的薄膜的压电体层(70)的压电元件(300)，所述压电体层(70)在由θ‑2θ测量所得到的X射线衍射图案中，在2θ为45°～47°的范围内存在因(002)以及(200)而得到的峰值，所述峰值的高角度侧的峰值位置为46.0°≤2θ≤46.5°，且高角度侧的峰值与低角度侧的峰值的2θ之差大于0.60°。
压电元件第二电极第一电极压电体层应用装置复合氧化物峰值位置钙钛矿型压电特性薄膜测量

[发明专利]压电元件以及压电元件应用设备-CN201711094954.3在审
发明人：北田和也;角浩二;一色铁也;酒井朋裕;高桥敏明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种压电元件以及压电元件应用设备，该压电元件在含Mn的KNN类压电材料中，明确了作为添加物而被包含在结晶中的Mn的价数的最佳状态，并且实现了压电体层的结晶取向性的提高，具有优异的绝缘性。该压电元件具备:第一电极，其被形成于基板上；压电体层，其被形成于所述第一电极上，并由含有钾(K)、钠(Na)、铌(Nb)以及锰(Mn)的钙钛矿结构的复合氧化物构成；第二电极，其被形成于所述压电体层上，其中，锰包括二价的锰(Mn2+)、三价的锰(Mn3+)、四价的锰(Mn4+)，二价的锰相对于三价的锰与四价的锰之和的摩尔比(Mn2+/(Mn3++Mn4+))为1以上且10以下，且钾相对于钠的摩尔比(K/Na)为1.1以下。
压电元件压电体层第一电极应用设备摩尔比二价三价四价复合氧化物钙钛矿结构结晶取向性添加物第二电极压电材料绝缘性基板

[发明专利]振动板结构以及压电元件应用设备-CN201611213589.9有效
发明人： 角浩二;大泽荣治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供振动板结构以及压电元件应用设备。在由压电体层以及夹着该压电体层的一对电极构成的压电元件与基板之间设置的振动板具备设置于上述基板侧且由氧化硅膜构成的第一层、以及由杨氏模量比氧化硅的杨氏模量大的陶瓷构成的第二层，当在将上述第一层的杨氏模量设为E_v1、厚度设为d_v1、上述第二层的杨氏模量设为E_v2，厚度设为d_v2时的下式(1)E_v1×d_v1²+E_v2×d_v2²……(1)的值为恒定的条件下，将下式(2)E_v1×d_v1³+E_v2×d_v2³……(2)的值为最小值+2％以内的范围的d_v1以及d_v2的组合设为(D_v1，D_v2)的情况下，上述第一层的厚度为D_v1，上述第二层的厚度为D_v2。
杨氏模量压电元件式( 1 )式( 2 )第一层振动板压电体层应用设备基板氧化硅膜电极恒定的氧化硅陶瓷

[发明专利]压电材料及其制造方法以及压电元件和应用压电元件的设备-CN201480084297.2在审
发明人： 角浩二;北田和也;酒井朋裕;滨田泰彰;一色铁也;木村里至;伊藤彰雄;半田恒雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：一种压电材料，含有第1成分、第2成分和第3成分，其中，第1成分在单独组成时为菱方晶系，居里温度为Tc1且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成，第2成分在单独组成时为菱方晶系以外的晶体，居里温度Tc2比上述Tc1高且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成，第3成分在单独组成时为菱方晶系，居里温度Tc3为上述Tc2以上，由具有钙钛矿型结构且与上述第1成分不同的非铅系的复合氧化物构成，将上述第3成分相对于上述第1成分和上述第3成分的合计的摩尔比设为α，α×Tc3+(1－α)×Tc1＝Tc4时，|Tc4－Tc2|为50℃以下。
压电材料及其制造方法以及元件应用设备

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