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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085156.0有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造MOS半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085157.5有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085153.7有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085155.6有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200410055674.8有效
发明人： 小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了制造稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET的方法。在制造具有P型栅电极的P沟道沟槽MOSFET的方法中，其中BF₂离子注入到多晶硅膜中以及之后进行热处理的工艺多次进行，以便由此形成栅电极，因此可以提供稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN02812384.0有效
发明人：长谷川尚;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：用于制造导致实现功率控制半导体器件和模拟半导体器件的结构的方法，这种器件可以用低成本短的制造周期制造，以低功耗在低压运行，而且具有高可驱动性和高精度的良好功能。制造P型多晶金属硅化物结构的方法，该结构是P型多晶硅层和难熔金属硅化物层的多层结构，其中CMOS栅电极的导电类型是P型，无论该CMOS是NMOS或是PMOS。用在分压电路和CR电路中的电阻器是用与栅电极层不同的层中的多晶硅形成的并具有高的精度。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03147048.3有效
发明人： 小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种廉价、元件特性稳定的双栅CMOS半导体器件的制造方法。本发明通过双栅CMOS半导体器件的制造方法中，在构成栅电极的多晶硅中以绝缘膜为掩膜，利用多晶硅淀积方法选择形成N型区域后，除去绝缘膜、在整个表面上离子注入P型杂质。
半导体器件制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN02802703.5有效
发明人：长谷川尚;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种结构的制造方法，该结构产生功率管理半导体装置和模拟半导体装置，所述装置能在短时期内以低成本制造，在低功率下以低的功耗运转，并具有高驱动能力和高精度的复杂功能。该方法用于制造包括CMOS和电阻器的功率管理半导体装置和模拟半导体装置的P型多酸结构。P型多酸结构是P型多晶硅层和难熔金属硅化物层的多层结构，其中无论CMOS是NMOS还是PMOS，CMOS栅电极的导电类型是P型。用在分压电路和CR电路中的电阻器由多晶硅在不同于栅电极层的层中形成。
制造半导体装置方法

[发明专利]薄膜存储器、阵列及其操作方法和制造方法-CN03130789.2有效
发明人：林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供了一种存储器单元以及一种存储器单元阵列，该存储器单元形成在完全耗尽型SOI或其它半导体薄膜上，并且其在低压下操作而不需要传统的大电容器。半导体薄膜夹在第一和第二半导体区之间，该第一和第二半导体区跨越半导体薄膜彼此面对并具有第一导电类型。在半导体薄膜的延伸部分中提供具有相反导电类型的第三半导体区。从第三半导体区将相反导电类型的载流子提供并积累在半导体薄膜部分中以便改变第一导电类型沟道的栅极阈值电压，该沟道在第一和第二半导体区之间的半导体薄膜中由第一导电栅极的电压通过绝缘膜感应。
薄膜存储器阵列及其操作方法制造方法

[发明专利]绝缘栅薄膜晶体管及其控制系统-CN03136778.X有效
发明人：林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在形成半导体薄膜的绝缘栅晶体管中栅极阈值电压可被电子学方法控制，例如，完全耗尽的SOI，耗尽第一和第二主表面之间的载流子。相反导电类型的第三半导体区设置在其与半导体薄膜接触的位置。在半导体薄膜中的载流子的量通过将相反导电类型的载流子从第三半导体区施加到半导体薄膜中被控制，或者通过从半导体薄膜向第三半导体区吸引相反导电类型的载流子被控制。
绝缘薄膜晶体管及其控制系统

[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法-CN02119817.9有效
发明人：原田博文;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在所有的PMOS晶体管的数量相对都大于NMOS晶体管并且PMOS晶体管被用作输出驱动器的半导体集成电路中，提供一种具有良好稳定性、可靠性、和性能，而且低成本的半导体集成电路器件，及其制造方法。在这种半导体集成电路器件中，互补MOS电路是由水平的P型MOSFET(36)和N型MOSFET(37)组成的，输出驱动器是由具有沟结构的P型垂直MOSFET(38)组成的，并且相应各MOSFET的栅电极的导电类型被设置为P型。
半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03106162.1有效
发明人：长谷川尚;小山内润;冈本隆幸 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：提供一种利用SOI衬底的半导体器件结构以及制造该结构的方法，该结构能够降低寄生电容同时防止由于浮置衬底效应引起的寄生双极效应并防止支撑衬底偏压改变阈值电压。利用SOI衬底的半导体器件的特征在于仅在位于半导体薄膜中的栅电极之下的体区中形成P－阱扩散层或N－阱扩散层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件-CN02144382.3有效
发明人：长谷川尚;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种以低成本和短周期制造的互补MOS半导体器件，该互补MOS半导体器件能够在低电压下工作、并具有低功耗和高速驱动能力，能够实现高速工作的功率控制器件或模拟半导体器件。CMOS的栅电极由单一极性的P型多晶硅或具有P型多晶化物结构形成。PMOS是表面沟道型，因此，能够具有较短的沟道并具有较低的阈值电压。同样，由于采用较小扩散系数的砷作为NMOS中的阈值电压控制的杂质，所以埋置沟道型的NMOS具有非常浅的埋置沟道，因此，能够具有较短的沟道并具有较低的阈值电压。此外，在分压电路或CR电路中采用的电阻器由不同于栅电极的多晶硅组成，因此，就提供了具有高精度的分压电路。因此，实现了高速工作的功率控制半导体器件或模拟半导体器件。
互补金属氧化物半导体器件

[发明专利]在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及其集成电路-CN02144378.5有效
发明人：林丰;长谷川尚;鹰巢博昭;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及在绝缘衬底上形成的半导体薄膜上形成的场效应晶体管，以及其集成电路。提供这样一种结构，即改善输出电压的最大容许电压和获得双极性晶体管。根据本发明的场效应晶体管采用一种结构，其中为了用较小的区域实现较高的最大容许电压，体区接触区插入源区中间。为了实现增加沟道宽度而没有用于固定体区电位的外部布线的双极性晶体管，也形成晶体管的一种结构，其中设置漏区/源区、第一栅电极、体区接触区部分用具有第一导电类型的第二区布置的部分、第二栅电极以及源区/漏区。用这样的结构，提供可以在相对于传统的体区电位的正和负电位工作的晶体管。
绝缘衬底形成场效应晶体管及其集成电路

[发明专利]半导体集成电路器件以及使用它们的电子装置-CN01121986.6无效
发明人：宇都宫文靖;齐藤丰;齐藤直人;小山内润;小西春男;宫城雅记 -专利权人：精工电子工业株式会社
申请日： 1995-07-25 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种电压提升电路,其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的,并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFETM0至Mn的阈值VthMo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn,或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。
半导体集成电路器件以及使用它们电子装置

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