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[实用新型]一种基于声波检测墙面与地砖空鼓的检测装置-CN202320223146.7有效
发明人： 季亚军;湛中波;杨成龙;孙晓朋;张文星;杨敏;郑少秋;杨帆 -专利权人：中交四公局第三工程有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及施工检测技术领域，特别涉及一种基于声波检测墙面与地砖空鼓的检测装置，用于解决现有技术中的大型工程空鼓检测时工作效率低，易于产生认为失误记录而导致的施工故障的技术问题，包括：翻转机构设置在架体上；检测部件包括声波检测部件用以获取墙面或者地砖的面的检测信息；位置检测部件用以获取声波检测部件获取检测信息时的坐标；记录识别单元用以接收位置检测部件获得的坐标和声波检测部件的检测信息以识别墙面或者地砖的面的空鼓情况。本技术方案能够有效的排查因空鼓导致的施工故障的排查，并且提高检测效率。
一种基于声波检测墙面地砖装置

[发明专利]一种石膏缓凝剂的制备工艺-CN202211423353.3有效
发明人：吴开胜;吴益;季亚军;徐祇芹 -专利权人：江苏尼高科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C08F220/06 文献下载
摘要：本发明涉及建筑材料领域，尤其是涉及一种用于延长石膏砂浆、石膏板及石膏砌块凝结时间的石膏缓凝剂的制备工艺，包括制备石膏缓凝剂中间产物、制备石膏缓凝剂母液和制备石膏缓凝剂粉体。通过丙烯酸酯和脂肪族多胺的酰胺化反应，合成石膏缓凝剂中间产物，该中间产物与烯烃磺酸(盐)、丙烯酸单体进一步共聚反应生成分子量适宜的大分子共聚物石膏缓凝剂。通过该工艺制备的石膏缓凝剂，分子结构中含有羰基、酰基、磺酸基、羧酸基等基团，提升对钙离子的络合性能，降低石膏的溶解度，延缓晶核的形成，低掺量下有效延长凝结时间，并通过静电排斥及长侧链空间位阻作用，有效降低强度损失。
一种石膏缓凝剂制备工艺

[发明专利]一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器-CN202111399340.2有效
发明人：陈军飞;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;操焰;陆俊;季亚军;孙凯;汪琼 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器，其中的方法包括如下步骤：将其上具有金刚石晶种的衬底置于化学气相沉积反应室中；设置化学气相沉积反应室中的生长气体为H2、CH4和N2的混合气体；经过第一预设时间后，关闭CH4和N2，并通入O2，将H2和O2的混合气体作为刻蚀气体；经过第二预设时间后，关闭O2，并复通入CH4和N2，将H2、CH4和N2的混合气体作为生长气体；重复上述步骤若干次，直至若干个第一预设时间之和达到预设生长时间后结束，得到多晶金刚石膜。通过本发明中的方法，能够减少最终制备得到的多晶金刚石薄膜内的杂质，提高最终制备得到的多晶金刚石膜的质量，且该方法的实施难度较低。
一种多晶金刚石制备方法辐射探测器

[发明专利]一种氮化镓功率器件的制备方法-CN202111304770.1有效
发明人：陈兴;黄永;沈琪;王东;吴勇;陆俊;季亚军;陈军飞;操焰;孙凯;常娟雄;陈财;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
一种氮化功率器件制备方法

[发明专利]一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202011568133.0有效
发明人： 季亚军;吴勇;王东;陈兴;汪琼;陆俊;黄永;孙凯;何滇;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
一种 gan 增强 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种无砂型石膏自流平材料及其在楼板保温隔声系统中的应用-CN202111086776.6有效
发明人：吴开胜;季亚军;雷文晗;王道中;陈悦 -专利权人：江苏尼高科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种无砂型石膏自流平材料及其在楼板保温隔声系统中的应用，无砂型石膏自流平材料包括无砂型薄层石膏自流平材料和无砂型厚层石膏自流平材料，无砂型薄层石膏自流平材料，采用双组份材料，包括液料组份和粉料组份；材料在楼板保温隔声地坪系统中的应用，系统自下而上包括基层、保温隔声层、网格布层、石膏自流平底层和石膏自流平面层，石膏自流平面层采用无砂型薄层石膏自流平材料。本发明的无砂型薄层石膏自流平材料采用化学改性和物理改性两种方式提高软化系数及表面硬度，有效提升石膏砂浆的耐水性、表面硬度，提升了石膏自流平砂浆的适用范围。
一种砂型石膏自流材料及其楼板保温系统中的应用

[发明专利]一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法-CN202011600632.3有效
发明人：汪琼;王超群;王东;吴勇;陈兴;黄永;陆俊;季亚军;孙凯;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
一种具有氮化镓高阻层 hemt 器件外延结构及其制备方法

[实用新型]一种金刚石场效应晶体管-CN202123284446.6有效
发明人：操焰;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;陈军飞;陆俊;季亚军;孙凯;汪琼 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底以及设置于金刚石衬底上的第一半导体层，第一半导体具有为氢终端表面的第一表面；第一表面具有相对于金刚石衬底的表面倾斜的第一部分，第一半导体层在第一部分处的厚度在靠近器件端部时逐渐减小；源极和漏极，均设置于第一部分上；栅介质层，设置于第一表面上，且述栅介质层设置于源极和漏极之间；栅极设置于栅介质层上。本实用新型中的器件，在发挥了金刚石材料性能的优越性的同时，还具有较高的击穿场强。
一种金刚石场效应晶体管

[实用新型]一种金刚石场效应晶体管-CN202122315107.3有效
发明人：陈军飞;吴勇;王东;陈兴;任泽阳;张金风;黄永;韩超;陆俊;操焰;汪琼;季亚军;孙凯;沈琪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底，金刚石衬底的第一表面为氢终端表面；第一器件功能层，设置于第一表面上，第一器件功能层包括：源极和漏极，均设置于第一表面上，且分别位于第一表面的两端；介质层，设置于源极和漏极之间的第一表面上，并覆盖源极和漏极；位于源极和漏极之间的介质层上形成第一凹槽，且第一凹槽的底面还形成有第二凹槽；介质层的导带底低于金刚石衬底的价带顶的位置；栅极，填充第一凹槽和第二凹槽，且栅极还延伸至第一凹槽外。本实用新型中的器件，能够在介质层提高其氢终端表面的二维空穴气浓度发挥金刚石材料的优越性的同时，通过双T型结构的栅极有效提高该金刚石场效应晶体管的截止频率。
一种金刚石场效应晶体管

[发明专利]一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管-CN202111602296.0在审
发明人： 季亚军;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;陈军飞;操焰;常娟雄;陆俊;孙凯;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。
一种增强晶体管制备方法

[发明专利]一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法-CN202011603997.1有效
发明人：汪琼;穆潘潘;吴勇;王东;陈兴;陆俊;黄永;季亚军;孙凯;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
一种垂直结构氮化 hemt 器件制备方法

[实用新型]一种金刚石场效应晶体管-CN202122954839.7有效
发明人：操焰;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;陈军飞;陆俊;季亚军;孙凯;汪琼 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底，金刚石衬底的第一表面为氢终端表面；源极、漏极和栅介质层，均设置于第一表面上，且栅介质层设置于源极和漏极之间，且栅介质层中部具有空气间隙；栅极，设置于栅介质层上，且栅极具有位于空气间隙上方的第一栅极部以及除第一栅极部以外的第二栅极部，第一栅极部远离栅介质层的表面以及第二栅极部远离栅介质层的表面位于同一平面，且第一栅极部的厚度小于第二栅极部的厚度。本实用新型中的器件，具有较高的截止频率，且制备难度较低，可重复性较高。
一种金刚石场效应晶体管

[实用新型]一种附着式提升脚手架预埋螺栓孔定位装置-CN202121394048.7有效
发明人：湛中波;刘蕾;季亚军;赵永在;杨成龙;孙晓朋;马志东;郑少秋 -专利权人：中交四公局第三工程有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： E04G5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种附着式提升脚手架预埋螺栓孔定位装置，包括水平布置的槽钢板，开设在所述槽钢板上的多个安装孔，通过所述安装孔连接于所述槽钢板上的多个固定组件，通过所述固定组件垂直连接于所述槽钢板上端面的承重梁，所述承重梁至少开设有一个螺纹孔，转动连接于所述支撑梁上部的支撑梁，所述支撑梁被配置为可伸缩结构。本实用新型结构简单，在承重梁上设置了螺纹孔，能够固定连接在墙板上，增加脚手架整体的稳定性；还设置了预埋螺栓，且预埋螺栓能够在螺纹孔内变换位置，便于脚手架的安装和拆卸，操作方便。
一种附着提升脚手架螺栓定位装置

[发明专利]一种基于反向I-V特性的二极管漏电分析方法-CN202111563751.0在审
发明人：黄永;王宇轩;陈财;陈兴;王东;吴勇;常娟雄;邵语嫣;刘晓磊;陈军飞;操焰;陆俊;季亚军;沈琪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
一种基于反向特性二极管漏电分析方法

[发明专利]多功能高效除硅剂及其制备方法-CN202111258964.2在审
发明人：王亚林;李文欢;王湧舸;季亚军 -专利权人：南京展能特化学品有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C02F1/60 文献下载
摘要：本发明公开了多功能高效除硅剂，包含以下质量配比的成分:除硅剂ZNT‑15A：除硅剂ZNT‑15B＝1：1至8：5。还公开了多功能高效除硅剂的其制备方法，包括以下步骤：除硅剂ZNT‑15A的制作方法：将固体复合铝铁盐与硫酸铝盐按照百分含量80‑90％：10‑20％混合均匀，根据比例不同可以配制系列产品；除硅剂ZNT‑15B的制作方法；将除硅剂ZNT‑15A和除硅剂ZNT‑15B按比例配置。
多功能高效及其制备方法

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