专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体的制备方法-CN202310048494.X在审
  • 王之君;韩冰雪;宋洪铭;孙本双;刘洋;何季麟;王成铎;陈杰;曾学云;刘苗 - 郑州大学
  • 2023-01-31 - 2023-04-25 - C01G15/00
  • 本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体的制备方法。该方法包括:分别配置设定浓度的镧系稀土盐水溶液、铟盐水溶液、锌盐水溶液和沉淀剂水溶液;将铟盐水溶液倒入反应器中;在搅拌条件下,滴加沉淀剂水溶液,当pH值达到3~5时,将镧系稀土盐水溶液加入反应器,滴加沉淀剂水溶液,当pH值达到6~8时,将锌盐水溶液加入反应器,滴加沉淀剂水溶液,当pH值达到9~11时,停止滴加沉淀剂水溶液,得到含镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液;将含有镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液升温搅拌熟化、冷却静置、分离洗涤,得到镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体;将镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体干燥、高温煅烧,得到镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体。
  • 稀土掺杂氧化纳米制备方法
  • [发明专利]一种管状氧化铟镓锌(In2-CN202211502274.1在审
  • 陈杰;齐超;孙本双;何季麟 - 郑州大学
  • 2022-11-28 - 2023-04-04 - C04B35/453
  • 本发明属于金属氧化物靶材制备技术领域,具体涉及一种管状氧化铟镓锌(In2Ga2ZnO7)细晶高致密无开裂靶材的制备方法。该方法包括物料球磨、造粒、冷等静压制备管状靶材素坯、三阶段烧结。本发明使用了三阶段烧结工艺,通过对靶材粉末处理、坯体成型及烧结过程的调控,制备了高致密度、细晶粒,无开裂的氧化铟镓锌管状靶材。管状靶材在旋转阴极内溅射时,靶材利用率较平面靶材由原本的30~40%提升至70%以上,大大提升了溅射效率及靶材利用率,具有较高的产业利用价值。
  • 一种管状氧化铟镓锌inbasesub
  • [发明专利]一种铟钨氧化物靶材及其制备方法-CN202210511038.X有效
  • 刘洋;左仲恒;孙本双;曾学云;王之君;刘苗;陈杰;舒永春;何季麟 - 郑州大学
  • 2022-05-11 - 2023-03-17 - C23C14/08
  • 本发明提供了一种铟钨氧化物靶材及其制备方法,属于光电材料技术领域。本发明先将化学计量比的氧化铟和氧化钨混合,经过煅烧使二者能够完全固相反应得到In6WO12;通过在氧气氛围中进行煅烧可以抑制氧空位的产生,进而提高产物的致密度;将In6WO12与氧化铟、水、分散剂和粘结剂混合后进行压力注浆,提高In6WO12相在靶材中的分散程度,同时进一步提高靶材的致密度;通过脱脂处理去除分散剂和粘结剂,结合台阶变温烧结,使得到的靶材组织细化均匀、致密度高。实施例的实验结果表明,本发明提供的制备方法制备的铟钨氧化物靶材的相对密度为98.1~99.6%。
  • 一种氧化物及其制备方法
  • [发明专利]一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法-CN202110146360.2有效
  • 陈杰;齐超;孙本双;淮志远;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-02-03 - 2023-01-20 - C04B35/457
  • 本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法,其原料按照质量百分比,由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成,其组分比例为氧化镓2~10%,氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵,聚乙烯醇及纯水,混合浆料经球磨后造粒干燥,得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型,之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能,显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度,同时通过制备工艺的有效控制,获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
  • 一种氧化掺杂陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种废钼靶的回收利用方法及其钼钛合金的制备方法-CN202211288776.9在审
  • 王成铎;景奔;李松杰;何季麟;孙本双;李庆奎 - 郑州大学
  • 2022-10-20 - 2022-12-20 - C22B34/34
  • 本发明公开了一种废钼靶的回收利用方法及其钼钛合金的制备方法。将废钼靶进行加热、熔化焊料,使钼靶坯与背板解绑,刮除钼靶坯残留焊料;处理后所得钼靶坯的焊接面进行打磨处理、加工成块状;所得钼块依次进行酸洗、高纯水清洗、烘干,得到高纯钼块。将回收所得高纯钼块或市售高纯钼块和高纯钛块进行配料,配料后加入熔炼炉中关闭炉门,反复操作抽真空、充氩气,反复操作后关闭真空泵,充入高纯氩气进行通电熔炼,反复熔炼后得到低氧、致密合金,即钼钛合金。通过本发明回收废钼靶,能够将废钼靶中铟含量降至1ppm以下,满足显示领域的要求;利用本发明制备得到的钼钛合金氧含量低、致密度高,能够有效提升其变形加工和使用性能。
  • 一种废钼靶回收利用方法及其钛合金制备
  • [发明专利]一种粒形可控的氧化铟球形粉体的制备方法-CN202010151073.6有效
  • 陈杰;何季麟;孙本双;舒永春;曾学云;刘洋 - 郑州大学
  • 2020-03-06 - 2022-11-22 - C01G15/00
  • 一种粒形可控的氧化铟球形粉体的制备方法,包括步骤:(1)将浓度为35~50%的硫酸溶液与金属铟反应,反应进行一定的时间,然后加入浓度为65~68%的硝酸溶液与金属铟反应,得到含有硫酸铟和硝酸铟的混合溶液体系;(2)调节混合溶液体系中铟离子的浓度在0.45~0.6M之间;(3)将混合溶液与沉淀剂进行沉淀反应,至溶液pH值为9~10之间,然后将溶液沉淀老化一定时间得到氢氧化铟前驱体浆料;(4)使用陶瓷膜过滤洗涤前驱体浆料,至洗涤过滤液的pH值为7~8之间、电导率小于等于50μS/cm时结束洗涤,得到纯化的前驱体试样;(5)将前驱体试样在80~130℃烘干;(6)将前驱体试样进行球磨,然后将前驱体在煅烧温度下进行煅烧,得到氧化铟粉体。
  • 一种可控氧化球形制备方法
  • [发明专利]一种中熵合金粘结剂硬质合金及其制备方法-CN202111151247.X有效
  • 王成铎;翟楷;任复杰;李庆奎;孙本双;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-09-29 - 2022-11-15 - C22C30/02
  • 本发明公开了一种中熵合金粘结剂硬质合金及其制备方法。中熵合金粘结剂硬质合金由中熵合金粘结剂和硬质相组成;中熵合金粘结剂的元素组成为Co、Ni、Fe和Cu,或为Co、Fe和Cu,或为Co、Ni和Cu,或为Ni、Fe和Cu。按照中熵合金粘结剂元素组成称量各种原料,装入球墨罐中球磨处理,得到中熵合金粘结剂粉末原料;按照中熵合金粘结剂硬质合金组成称取中熵合金粘结剂粉末原料和硬质相,装入球磨罐中球磨处理,得到中熵合金粘结剂硬质合金混合粉末,置于石墨模具中预压处理,处理后置于放电等离子烧结炉中烧结,得到中熵合金粘结剂硬质合金材料。利用本发明制备的中熵合金粘结剂硬质合金,能够在很大程度上降低生产成本,易于推广应用。
  • 一种合金粘结硬质合金及其制备方法
  • [发明专利]一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法-CN202010150796.4有效
  • 何季麟;孙本双;舒永春;刘洋;陈杰;曾学云 - 郑州大学
  • 2020-03-06 - 2022-04-08 - C23C14/35
  • 一种晶粒尺寸可控ITO陶瓷靶材的制备方法,包括:将质量份数为90~97的In2O3粉体和质量份数为10~3的SnO2粉体,与去离子水、稀释剂、粘结剂和高分子材料用砂磨机球磨混合,得到固含量在70~80%之间、粘度在120~300mpa.s之间的ITO陶瓷浆料,且混合粉体的平均粒径D50控制在100~300nm;ITO陶瓷浆料经压力注浆成形,得到相对密度为58~62%的ITO陶瓷生坯体;将ITO陶瓷生坯体放入脱脂烧结一体化炉,加热至脱脂温度700~800℃,将ITO陶瓷靶材在常压氧气氛中进行脱脂处理,时间设定为12~36小时;从脱脂温度升温到第一烧结温度1600~1650℃,常压氧气氛保温0~60min,随即降低到第二烧结温度1500~1540℃,常压氧气氛保温12~36小时,最终得到ITO陶瓷靶材。
  • 一种晶粒尺寸可控ito陶瓷制备方法
  • [实用新型]纳米氧化物粉体制备中用于形核沉淀的实验装置-CN202120312610.0有效
  • 陈杰;孙本双;曾学云;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-02-02 - 2021-11-05 - B01J19/18
  • 纳米氧化物粉体制备中用于形核沉淀的实验装置,包括:装置本体,包括反应腔室和形成该反应腔室的壳体,壳体上设置有加热部件,壳体外部设置有保温层;多个进料口,设置在装置本体上部的壳体上与反应腔室连通;原料预混组件,设置在反应腔室中;搅拌组件,设置安装在装置本体上部的壳体上;多个测试口,设置在装置本体上部的壳体上,与反应腔室连通,用于设置测试部件;排料口,设置在装置本体下部的壳体上,用于释放反应腔室中的产物;排气口,设置在装置本体上部的壳体上,用于释放反应腔室中的气体;其中,从多个进料口中输入的原料在原料预混组件中预先混合,然后从原料预混组件的出料孔输出,进入反应腔室中参与形核沉淀过程。
  • 纳米氧化物体制用于沉淀实验装置
  • [发明专利]InGaZnO4-CN202110804915.8在审
  • 陈杰;滕晓朋;孙本双;淮志远;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-07-16 - 2021-10-08 - C01G15/00
  • InGaZnO4单相纳米粉体的制备方法,包括:摩尔比为1:1:1的金属铟颗粒、金属镓颗粒和金属锌颗粒放入容器中,将质量浓度为50~60%的硝酸溶液分次加入容器中,得到离子浓度为0.1~0.6mol/L的金属离子溶液;向金属离子溶液中滴加沉淀剂,溶液pH小于4时,搅拌速度控制在400~450rpm之间;溶液pH在4~4.5之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1小时;溶液pH在5.5~6之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1h;pH大于6时,搅拌速度控制在450~500rpm之间;pH大于7.5~8.8时,停止滴加沉淀剂,持续搅拌1~2h,然后在室温下老化18~24h;洗涤干燥得到粉体前驱体;将粉体前驱体两次煅烧,即得InGaZnO4单相纳米粉体。
  • ingaznobasesub

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