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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310740610.4在审
发明人： 周刘涛;华焱;潘烁;方锦国;李振兴;张启强 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法可包括：提供衬底，衬底包括阵列区和与阵列区相邻的外围区，外围区内包括外围器件，阵列区内包括阵列区器件；在外围区内形成外围接触插塞以及在外围接触插塞与阵列区之间形成阻隔层，外围接触插塞与外围器件电连接；在形成外围接触插塞和阻隔层之后，在阵列区内形成电容结构，电容结构与阵列区器件电连接。本公开的形成方法可减少结构缺陷，提高产品良率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种电容器阵列的制备方法、电容器阵列以及半导体器件-CN202111191283.9在审
发明人： 周刘涛;潘烁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电容器阵列的制备方法、电容器阵列以及半导体器件，其中，所述电容器阵列的制备方法包括：提供衬底，所述衬底上具有用于形成电容器的器件区和位于所述器件区外围的外围区；在所述衬底上依次形成第一支撑层和第一牺牲层；刻蚀所述外围区的第一牺牲层至暴露出所述第一支撑层，形成第一通孔；填充所述第一通孔，形成支撑柱。
一种电容器阵列制备方法以及半导体器件

[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构-CN202211449786.6在审
发明人： 周刘涛;潘烁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。该方法包括：提供基底；在基底上形成第一叠层，并在第一叠层中形成多个第一开口；在第一开口的内壁形成栅栏；在第一叠层和栅栏上形成第二叠层；在第二叠层上形成具有电容图案的第一掩膜层；基于电容图案，采用第一蚀刻工艺自第二叠层向靠近基底的方向蚀刻至形成第一电容孔，第一电容孔的底部的侧壁暴露至少部分栅栏；其中，第一蚀刻工艺中，第二叠层和栅栏的蚀刻选择比不同；采用第二蚀刻工艺蚀刻第一掩膜层和位于第一电容孔底部的栅栏，露出基底，以使第一电容孔形成为第二电容孔。本公开的方法使第二电容孔具有高深宽比，提高半导体结构的电学性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]电容阵列结构及其制备方法、半导体结构-CN202210338384.2在审
发明人： 周刘涛;潘烁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种电容阵列结构及其制备方法、半导体结构。该方法包括：提供包括用于形成电容器件的阵列区域和位于阵列区域外围的阵列边缘区域的基底，于基底上形成包括依次交替叠置的支撑层及牺牲层的叠层结构，叠层结构的底层及顶层均为支撑层；于阵列边缘区域形成邻接阵列区域，且贯穿叠层结构顶层的支撑层的沟槽；于阵列区域形成若干贯穿叠层结构，并暴露出基底的电容孔，位于阵列区域边缘的部分电容孔与沟槽邻接；于电容孔中形成覆盖电容孔的侧壁和底部的下电极层；去除牺牲层及阵列边缘区域中位于叠层结构的底层上的支撑层。避免了阵列区域与阵列边缘区域邻接区域出现裂缝和裂纹的风险。
电容阵列结构及其制备方法半导体

[发明专利]电容接触垫及其制作方法、存储器及其制作方法-CN202210435946.5在审
发明人： 周刘涛;潘烁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提出一种电容接触垫及其制作方法、存储器及其制作方法，制备的所述电容接触垫的上表面包括位于所述凹槽中的第一表面和位于所述凹槽之外的第二表面，所述第一表面包括位于所述凹槽的底部的第一子表面和位于所述凹槽的侧壁的第二子表面，所述第一子表面通过所述第二子表面与所述第二表面连接。将电容接触垫变为凹槽结构，增大了电容与电容接触垫的接触面积，降低了接触电阻；同时，凹槽结构电容接触垫增加了电容结构的机械稳定性，一定程度上防止电容底部支撑结构的损耗，使得电容接触垫和电容器电极的接触更加顺滑。
电容接触及其制作方法存储器

[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备-CN202110805469.2在审
发明人：鲍锡飞;周刘涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备，半导体结构的制造方法包括，提供待处理半导体结构，并将待处理半导体结构置于处理腔室中，待处理半导体结构包括基底和位于基底上的待处理目标结构，待处理目标结构的侧壁覆盖有含溴聚合物层；去除含溴聚合物层，形成半导体结构；将去除含溴聚合物层过程中产生的过程物清除出处理腔室。在本公开中，将含溴聚合物层从待处理半导体结构上去除，并清除出处理腔室，避免含溴聚合物在处理腔室的环境下生成HBr，使处理腔室内除溴更加彻底，减小HBr在半导体结构上凝聚的概率，提高半导体结构的良率。
半导体结构制造方法半导体器件蚀刻设备

[发明专利]一种Cu合金化深冲双相钢板及其制备方法-CN201910423329.1有效
发明人：潘红波;闫军;曹京华;沈晓辉;周刘涛;张腾飞;王会廷;章静;曹杰;刘伟明;温永红;吴结文 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明公开一种Cu合金化深冲双相钢板及其制备方法，属于金属材料加工技术领域。该钢板的化学成分按重量百分数为：C：0.015～0.030％，Si：0:10～0.30％，Mn：0.10～0.30％，Cu：0.40～0.60％，Ni：0.30～0.50％，P≤0.020％，S≤0.0030％，N≤0.0040％，Ti：0.010～0.025％，余量为Fe和不可避免的残存杂质元素。该方法是按设计成分进行常规冶炼与浇铸，然后经酸洗冷轧轧至目标厚度，随后在连续退火生产线进行退火，通过控制退火过程中的再结晶与相变，使铁素体晶粒充分再结晶长大与降低固溶碳，获得较高的r值。产品抗拉强度≥390MPa，延伸率≥25％，r≥1.40。本发明生产工艺简单，操作可行，能满足汽车覆盖件及对成形性要求较高的复杂结构件的要求。
一种 cu 合金化深冲双相钢板及其制备方法