“吴美健”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种LED芯片及发光装置-CN202211087178.5在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：湖北三安光电有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及发光装置，该LED芯片包括发光外延层、覆盖发光外延层的第一绝缘层及位于第一绝缘层上的第一焊盘及第二焊盘，第一焊盘及第二焊盘包括应力缓冲层、镍金属层及保护层。其中，应力缓冲层包括多层铝金属层，本发明通过调整铝金属层的厚度分布情况，对最靠近镍金属层的一层铝金属层设置为最厚，使最接近镍金属层的铝金属层的厚度大于等于镍金属层的厚度，从而利用铝金属的延展性和抗拉性起到应力缓冲的作用，在与柔性基板结合后，其自身的延展性能够很好地承受基板弯折带来的应力冲击，避免电极出现断裂或脱落，增加可靠性。最靠近镍金属层的钛金属层厚度最厚，可以增强附着和保护作用。
一种 led 芯片发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202211585953.X在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202211553490.9在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202211088027.1在审
发明人：王水杰;徐瑾;刘可;石保军;吴美健 -专利权人：湖北三安光电有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片的设计，包括外延结构位于衬底第一表面的第一区域，绝缘层覆盖在外延结构周围的衬底的第二区域上，致密性相对更低的部分绝缘层在衬底的第二区域上被去除，致密性相对更高的部分绝缘层残留在整个衬底的第二区域上，由此可以保证水汽防护的同时，降低芯片边缘绝缘层的破裂的风险，提升制造良率。
一种发光二极管

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202210986847.6有效
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种铬基NO常温氧化催化剂及其制备方法和应用-CN201610028864.3有效
发明人：何丹农;吴美健;高振源;金彩虹 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B01J23/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铬基NO常温氧化催化剂及其制备方法，所述方法为：将铬源溶于乙醇与模板剂的混合溶液中，并缓慢加入沉淀剂；所述沉淀剂为乙二胺、三乙胺、三乙醇胺中的一种；所述模板剂为F127、PVP中的一种；然后调节pH至9～10，搅拌、过滤、洗涤，50～100℃干燥，200～500℃煅烧，得到铬基NO常温氧化催化剂。通过本发明所述方法制备的催化剂适用于NO的常温常压催化氧化反应中，原料易得，制备方法简单；该催化剂在常温(0～40℃)、高空速(～150000mL/(g·h))、高湿度(～100％RH)条件下实现低浓度NO(0～20ppm)的完全催化氧化。
氧化催化剂铬基制备沉淀剂模板剂催化剂制备方法和应用催化氧化反应混合溶液中常温常压催化氧化三乙醇胺高空速三乙胺乙二胺乙醇铬源煅烧洗涤过滤

[发明专利]一种用于NO常温催化氧化的氧化铬催化剂及其制备方法-CN201410855092.1有效
发明人：何丹农;吴美健;高振源 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： B01J23/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于NO常温催化氧化的氧化铬催化剂及其制备方法，采用水热法制备氧化铬催化剂，在高温下焙烧，得到活性组分氧化铬。该催化剂适用于NO的常温常压催化氧化反应中，但比沉积沉淀法制备的氧化铬催化剂的稳定性更好。本发明催化剂原料易得，制备方法简单，为提高氧化铬活性和稳定提供了新的制备途径。该催化剂在常温(0～40℃)、高空速(～120000 mL/(g·h))、高湿度(～100％RH)条件下实现低浓度NO(0～20 ppm)的催化氧化，特别适用于道路隧道或地下停车场等半封闭空间中低浓度NO的消除。
一种用于 no 常温催化氧化氧化铬催化剂及其制备方法

[发明专利]一种整体式常温低浓度一氧化碳催化剂及其制备和应用-CN201410616165.1有效
发明人：何丹农;高振源;吴美健;赵昆峰;杨玲;蔡婷;袁静;爨谦 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B01J27/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种整体式常温低浓度CO催化剂及其制备方法。该催化剂是以堇青石蜂窝陶瓷为载体，涂覆含氧化铋的涂层材料后负载贵金属Pd制备而成。其中堇青石蜂窝陶瓷占活性涂层的质量百分比为5～20%，贵金属Pd在整体式催化剂中的含量为1.0～5.0g/L。该整体式催化剂采用等体积浸渍法制备，制备方法简单，贵金属用量低且利用率高，便于大规模工业化使用，在常温（0～40℃）、高空速（～60000h^-1）、高湿度（～100%RH）条件下实现低浓度CO（0～50ppm）的有效消除，适用于道路隧道或地下停车场等半封闭空间中低浓度CO的常温消除。
一种整体常温浓度一氧化碳催化剂及其制备应用

1
共 8 条