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[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制备方法-CN202110894293.2在审
发明人：崔同;万兴兴;朱开兴;加春雷 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，该器件在外延层设置有沟槽，在沟槽内填充多晶硅，在多晶硅和沟槽之间设置有厚氧化层和薄氧化层，在对应薄氧化层的沟槽上端周围的外延层上设置有Pbody基区；在厚氧化层对应的外延层处设置有N+区层；在Pbody基区上方靠近沟槽的地方设置有N+源区，在沟槽的上方设置有绝缘介质层，在绝缘介质层和外延层上方设置有源金属层，在绝缘介质层上设置有接触孔，所述接触孔将接源金属层分别与N+源区和Pbody基区相连接，所述接触孔内设置有金属。本发明通过采用深沟槽和沟槽下部分的厚氧化层，提高了相同外延参数下器件的耐压，可以用更低电阻率的外延，从而优化了导通电阻Ron。
沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种直流浪涌抑制电路-CN201911067871.4有效
发明人：代骞;袁锟;王明康;加春雷;贺波;吕前进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明适用于直流电压浪涌抑制电路领域，提供了一种直流浪涌抑制电路，包括电子开关模块、限幅电路模块、输入端采样电路模块、电子开关模块的控制电路模块、输出端采样电路模块、限幅电路模块的控制电路模块，所述电子开关模块与限幅电路模块相并联，形成双通道电路，串联于直流电压输入端与输出端之间，所述电子开关模块通过输入端采样电路模块与控制电路模块进行采样与控制，限幅电路模块通过输出端采样电路模块与控制电路模块进行采样与控制，可有效解决经现有直流浪涌电压抑制电路的抑制电压高于正常电压、开关及限幅器件的导通电阻大小与调制电压范围相矛盾的问题。本发明广泛应用于各种需要抑制直流浪涌的场合。
一种直流浪涌抑制电路

[实用新型]一种利于二极管光伏模块封装的电极结构-CN202022701228.7有效
发明人：朱猛;王培祥;祁伟;季群;张斌;姜明春;郑磊;王树升;加春雷 -专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种利于二极管光伏模块封装的电极结构，主要包括左电极、右电极和塑封体。左电极包括左端部、中间部、右端部，右端部与中间部连接处有左槽孔，右端部上下两侧边为波浪形，左槽孔右侧依次有槽孔、半包围凹槽，左电极右端部槽孔上、下两侧设置芯片。右电极包括左端部、右端部，右电极左端部与右端部连接处设置有右槽孔，右电极左端部左侧有双侧波浪形凸块，右电极左端部双侧波浪形凸块上、下两侧设置有连接条。塑封体经过左电极右端部的右槽孔和右电极的左槽孔包裹左电极右端部和右电极左端部。其采用的波浪形卡位结构可有效地增加塑封体在电极上的粘附力和粘合强度，从而解决电极与塑封体的分层与分离现象。
一种利于二极管模块封装电极结构

[发明专利]一种利于二极管光伏模块封装的电极结构-CN202011313131.7在审
发明人：朱猛;王培祥;祁伟;季群;张斌;姜明春;郑磊;王树升;加春雷 -专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种利于二极管光伏模块封装的电极结构，主要包括左电极、右电极和塑封体。左电极包括左端部、中间部、右端部，右端部与中间部连接处有左槽孔，右端部上下两侧边为波浪形，左槽孔右侧依次有槽孔、半包围凹槽，左电极右端部槽孔上、下两侧设置芯片。右电极包括左端部、右端部，右电极左端部与右端部连接处设置有右槽孔，右电极左端部左侧有双侧波浪形凸块，右电极左端部双侧波浪形凸块上、下两侧设置有连接条。塑封体经过左电极右端部的右槽孔和右电极的左槽孔包裹左电极右端部和右电极左端部。其采用的波浪形卡位结构可有效地增加塑封体在电极上的粘附力和粘合强度，从而解决电极与塑封体的分层与分离现象。
一种利于二极管模块封装电极结构

[实用新型]一种带超温保护功能的双通道直流浪涌抑制电路-CN201921883642.5有效
发明人：代骞;袁锟;王明康;加春雷;贺波;吕前进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型适用于直流电压浪涌抑制电路领域，一种带超温保护功能的双通道直流浪涌抑制电路，包括电子开关、限幅电路、输入端采样电路、电子开关的控制电路、输出端采样电路、限幅电路的控制电路、超温保护电路，所述电子开关与限幅电路相并联，形成双通道电路，串联于直流电压输入端与输出端之间，所述电子开关通过输入端采样电路与控制电路、限幅电路通过输出端采样电路与控制电路进行采样控制，可有效解决直流浪涌电压抑制电路输出的抑制电压高于正常电压、开关及限幅器件的导通电阻大小与调制电压范围相矛盾的问题。本实用新型广泛应用于各种需要抑制直流浪涌的场合。
一种带超温保护功能双通道直流浪涌抑制电路

[发明专利]基于HPI接口的DSP电离总剂量辐射效应检测装置-CN201910826226.X在审
发明人：陶建昇;牛振红;李志峰;加春雷;王惠;吴昕;蔡雯琳;束逸;刘泓;李建华 -专利权人：中国运载火箭技术研究院;北京航天长征飞行器研究所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种基于HPI接口的DSP电离总剂量辐射效应检测装置，包括DSP测试板、FPGA控制系统和底板硬件系统，所述DSP测试板由待测DSP芯片及其正常工作所需的外围电路组成，DSP测试板使待测DSP器件处于正常工作状态；所述FPGA控制系统通过HPI总线与DSP测试板进行连接，加载测试程序和接收测试数据，并对测试结果进行存储，通过RS422总线与上位机进行连接，实现上位机和所述FPGA控制系统之间数据交互；底板硬件系统由供电模块、电流和电压检测模块和接口检测模块组成，供电模块是将220V交流电转化为FPGA控制系统和DSP测试板的各器件工作所需的直流电压。本发明便携，一人就可完成携带和试验测试操作，便于电离总剂量辐照现场试验开展与实施。
测试板底板供电模块硬件系统电离上位机电压检测模块接口检测模块正常工作状态交流电转化总剂量辐射总剂量辐照加载测试接收测试试验测试数据交互外围电路现场试验效应检测直流电压便携存储携带

[发明专利]一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统-CN201610223751.9有效
发明人：张伟;刘泓;熊盛阳;加春雷;单旭涛 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种球栅阵列封装元器件焊球共面性检测系统，包括受力压杆1、弹针外壳2、传力弹簧3、压电晶体4、电极引出端5、信息处理系统8，其中受力压杆1上端接触器件封装体7上的BGA焊球6，受力压杆1下端连接传力弹簧3、传力弹簧3与受力压杆1下端安装于弹针外壳2之中，弹针外壳2的底部安装压电晶体4，压电晶体4下部安装电极引出端5，电极引出端5通过导线连接信息处理系统8，信息处理系统8可将电极引出端5传来的信号进行处理。
一种阵列封装元器件焊球共面性检测系统

[发明专利]一种扁平封装电子元器件引脚共面性检测系统-CN201610223752.3在审
发明人：张伟;刘泓;熊盛阳;加春雷 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：一种扁平封装电子元器件引脚共面性检测系统，包括自翘接触杠杆与信号处理系统7，自翘接触杠杆包括线位移传感器1、自翘接触杠杆2、支点3、杠杆支柱4、电极A5、电极B6，其中自翘接触杠杆2右端与线位移传感器1接触，而自翘接触杠杆2中部偏左的位置连接杠杆支柱4，自翘接触杠杆2与杠杆支柱4的连接点为支点3，在自翘接触杠杆2左端有电极A5、电极B6，自翘接触杠杆2左端的电极A5、电极B6与待测元器件引脚8接触，而线位移传感器1与支点3均连接信号处理系统7。
一种扁平封装电子元器件引脚共面性检测系统

[发明专利]DC/DC变换器总剂量效应试验的自动测试系统-CN201610223788.1在审
发明人：陈灏;罗丁;刘洋;加春雷;武斌;王惠;丛忠超;江琦;吴昕;刘泓 -专利权人：中国运载火箭技术研究院;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：DC/DC变换器总剂量效应试验的自动测试系统，包括数据采集控制单元、电阻负载矩阵单元、嵌入式软件8，其中数据采集控制单元包括键盘1、显示屏2、控制器3、数据存储器4、电压传感器5、电流传感器6、温度传感器7，其中电压传感器5、电流传感器6、温度传感器7连接到控制器3，并将检测量转换为电压，输出到控制器3；键盘1、显示屏2连接到控制器3，控制器3将键盘1输入信号进行处理后，输出到显示屏2；数据存储器连接到控制器3，控制器3将电压传感器5、电流传感器6、温度传感器7实时采集到的数据进行处理后，存储在数据存储器4内。电压传感器5、电流传感器6、温度传感器7用来采集DC/DC变换器的输入输出信号和温度信息。
dc 变换器剂量效应试验自动测试系统

[发明专利]一种高可靠晶体管结构分析方法-CN201410852994.X有效
发明人： 加春雷;官岩;刘泓;武斌;熊盛阳 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体管可靠性验证技术领域，具体涉及一种高可靠晶体管结构分析方法；首先，对于应用于航天型号的晶体管产品、其结构往往是非常复杂的，要了解和掌握这种结构复杂的产品，就必须进行结构单元的分解，根据影响晶体管的固有质量和可靠性的程度，给出各结构单元对应的结构要素；其次，通过各个单元已辨识的结构要素，依据GJB548B‑2005标准，选择每种结构要素的评价试验方法；该方法对于晶体管使用方而言，该方法可以衡量和比较晶体管的质量和可靠性，发现潜在的失效机制，避免使用存在隐患的晶体管、避免使用由于晶体管固有可靠性问题导致的整机失效而带来的损失；对于晶体管制造方而言，通过该方法监控其生产工艺，找到引起晶体管潜在失效的工艺。
一种可靠晶体管结构分析方法

[发明专利]一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法-CN201310724722.7有效
发明人：陈雷;周婧;赵元富;文治平;齐畅;刘泓;武斌;王硕;李学武;加春雷 -专利权人：北京微电子技术研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G01R31/3181 文献下载
摘要：本发明提供了一种SRAM型FPGA单粒子辐照试验测试系统及方法，该试验系统包括上位机、电流监测采集板和测试板；电流监控采集板包括电流监控采集FPGA、电流采集单元、供电模块和第一通信接口；测试板包括控制处理FPGA、刷新芯片、SRAM、配置PROM、存储PROM、第二通信接口及被测FPGA；上位机负责流程控制和数据处理；电流监控采集板负责测试板的上电、断电和监测测试FPGA电流；测试板负责处理上位机发送的命令并进行单粒子翻转、单粒子功能中断检测等工作。本发明使用刷新芯片代替现有辐照试验系统中的部分重配模块，可以更方便可靠地对被测芯片进行刷新；且本发明能够实现对触发器进行静态和动态翻转测试，结合两种方法可以得到更可靠的触发器翻转数据。
一种 sram fpga 粒子辐照试验测试系统方法

[发明专利]红外焦平面探测器组件剂量率试验方法-CN201310553201.X有效
发明人：武斌;李志峰;张力;秦强;林德健;陈灏;加春雷 -专利权人：中国运载火箭技术研究院;中国兵器工业集团第二一一研究所
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明属于红外探测器领域，具体涉及一种红外焦平面探测器组件剂量率试验方法。目的是对组件进行有效的剂量率辐射试验。该试验方法，包括如下步骤：组件敏感部位分析；预定剂量率并进行累积总剂量评估；选择合格的组件样品，进行光电性能测试；调试试验测试系统并粘贴剂量片；按预设剂量率对某个敏感部位进行辐照，测试工作电流、温度、输出波形；保持组件偏置状态，按先后顺序记录组件试验前、中、后三个时刻点的工作电流、工作温度和输出波形；获得辐照后器件的恢复时间；判断组件功能是否正常及是否为有效炮。该方法克服了剂量率辐射场有效区域的限制，避免了因辐照试验条件的不足，如辐射源有效辐射范围小或辐射剂量率不足够高等问题。
红外平面探测器组件剂量率试验方法

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