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[发明专利]一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法-CN201511029918.X有效
发明人：崔德胜;官岩;赵彦飞;彭磊;陈朝杰;熊盛阳;林雄辉;邬文浩;高憬楠;周康 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法，包括对陶瓷封装单片集成电路元件形态、外壳、内部互联、内部环境、芯片进行分析。解决目前元器件结构分析对设计、结构、材料、工艺等要素分析覆盖性不足的问题。对于全部要素的分析，可给出评价器件可靠性及对特定应用环境适应性的结论，并且能根据实际应用给出合理改进建议。同时，对要素的分析更关注所用材料、工艺及结构对实际应用的影响，有效避免了现有结构分析方法和DPA的分析覆盖性不足。
一种陶瓷封装单片集成电路结构分析方法

[实用新型]一种组合式DC/DC模块老炼装置-CN201721562040.0有效
发明人：彭磊;延峰;陈朝杰;邬文浩;崔德胜;官岩;高憬楠 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：一种组合式DC/DC模块老炼装置，共四列，第一列从下到上为管脚37‑48，对应MGD系列DC/DC模块管脚13‑24；第二列从下到上为管脚25‑36，对应PKV系列DC/DC模块管脚13‑24；第三列从下到上为管脚24‑13，对应MGD系列DC/DC模块管脚12‑1；第四列从下到上为管脚12‑1，对应PKV系列DC/DC模块管脚12‑1；管脚1‑3、46‑48连接电源负极，管脚13‑15、34‑36连接电源正极；管脚3、15间跨接电容C2，管脚34、46间跨接电容C1；管脚23、24与负载电阻R5一端相连，管脚38与负载电阻R5另一端相连；管脚37、39间加负载电阻R6；管脚26、28间加负载电阻R7；管脚11、26间加负载电阻R8。能够在一个装置内完成MGD系列和PKV系列的所有老炼。
管脚负载电阻老炼装置连接电源组合式电容跨接负极正极老炼四列

[发明专利]一种功率放大器老化装置-CN201410341436.7有效
发明人：崔德胜;陈朝杰;延峰;官岩;彭磊;邬文浩;高憬楠;周康;熊盛阳;林德健 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率放大器老化装置，该装置包括老化电路板和老化电路；老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端，老化夹具位于老化板上，通过老化板上布线与插卡连接，待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路；老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针，在上、下基座装配中，位于下基座凹槽中的引脚闭合，压紧待老化功率放大器引线，插针焊接在引脚底部，与老化板上布线相连；外部信号发生器产生信号，加载于待老化功率放大器，经电流放大后，由待老化功率放大器输出，输出信号通过老化板上布线传输到测试端，对待老化功率放大器进行监测；本发明解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题，提高了老化筛选效率。
功率放大器老化板老化老化夹具下基座布线引脚老化电路板老化电路老化装置测试端插针功率放大器输出外部信号发生器闭合插卡连接产生信号电流放大老化筛选输出信号引线镀层上基座插拔插卡加载结温压紧焊接装配损伤传输监测

[发明专利]一种高可靠晶体管结构分析方法-CN201410852994.X有效
发明人：加春雷;官岩;刘泓;武斌;熊盛阳 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体管可靠性验证技术领域，具体涉及一种高可靠晶体管结构分析方法；首先，对于应用于航天型号的晶体管产品、其结构往往是非常复杂的，要了解和掌握这种结构复杂的产品，就必须进行结构单元的分解，根据影响晶体管的固有质量和可靠性的程度，给出各结构单元对应的结构要素；其次，通过各个单元已辨识的结构要素，依据GJB548B‑2005标准，选择每种结构要素的评价试验方法；该方法对于晶体管使用方而言，该方法可以衡量和比较晶体管的质量和可靠性，发现潜在的失效机制，避免使用存在隐患的晶体管、避免使用由于晶体管固有可靠性问题导致的整机失效而带来的损失；对于晶体管制造方而言，通过该方法监控其生产工艺，找到引起晶体管潜在失效的工艺。
一种可靠晶体管结构分析方法

[实用新型]针栅阵列型封装器件试验台-CN201521138640.5有效
发明人：宋毅刚;熊盛阳;梁继远;官岩;吴立强 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：针栅阵列型封装器件试验台，试验台整体为立方体结构，其中心水平方向开有正方形水平通孔，其上盖板与下盖板通过螺钉分别安装在试验台上下面，在上盖板与下盖板内侧有若干可以安装针栅结构器件的凸凹槽。
阵列封装器件试验台

[实用新型]耐宽温的高低频混装连接器-CN201520795691.9有效
发明人：付志方;黄华滨;巩旭辉;官岩;江琦;林德健 -专利权人：中航光电科技股份有限公司;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01R13/405 文献下载
摘要：本实用新型涉及电连接器领域，特别是涉及到一种耐宽温的高低频混装连接器。该混装连接器包括壳体、低频接触件和高频接触件，所述壳体内的两端之间设有安装壁，所述安装壁上设有接触件安装孔，低频接触件和高频接触件各自通过相应的玻璃绝缘体固定装配在对应的接触件安装孔中。该连接器相当于减小了每个玻璃绝缘体的体积、受力面积以及与壳体的配合面积，在使用的时候，安装壁首先可分担部分压力，受力面积减小后的玻璃绝缘体所受的压力也相应的减小，另外，玻璃绝缘体的体积减小也使得其热胀冷缩的反应相应的减小，降低了其与壳体分离的几率。综上所述，该耐宽温的高低频混装连接器解决了现有的采用玻璃绝缘体的电连接器容易气密封失效的问题。
耐宽温低频连接器

[发明专利]多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法-CN201210250669.7有效
发明人：彭磊;刘泓;熊盛阳;杜红焱;孙淑英;官岩;赵彦飞;汪翔;吴立强;邬文浩;张爱学;高憬楠;林德建 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及元器件可靠性技术领域，具体公开了一种多层瓷介电容器加速贮存寿命试验方法。该方法具体为：1、对多层瓷介电容器在多个高温点下进行贮存试验，获得该电容器电容量退化线性曲线；2、根据退化数据，获得在预设时间内电容量的退化量；3、根据退化线性方程，获得电容量达到电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，并拟合获得时间-温度曲线；4、利用步骤3中获得的时间-温度曲线线性方程，获得常温下电容器电容量达到步骤2中电容器在规定时间内电容量的退化量时的时间，从而判断步骤2中获得该电容器电容量退化量所需时间的合理性。本发明可在高温点加速条件下，在较短的时间内获得准确的贮存试验结果，且在实际条件下可实施。
多层电容器加速贮存寿命试验方法

[实用新型]封装器件冲击振动试验夹具-CN201220351146.7有效
发明人：宋毅刚;熊盛阳;刘泓;官岩;张丽;朱燕;吴立强 -专利权人：中国运载火箭技术研究院
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G01M7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及封装器件冲击振动试验技术领域，具体公开了一种封装器件冲击振动试验夹具。该试验夹具整体为n×n×n的立方体结构，其中，n的范围为11cm至14cm之间；该试验夹具中心开有6×6×n（cm3）的孔，且在该试验夹具中非开孔的两个相对面上，对称开有若干个中心对称的凹槽，每个凹槽可以安装待冲击振动试验的器件。本实用新型所述的一种封装器件冲击振动试验夹具可解决F1型封装器件的冲击振动试验问题，满足大量封装器件的复验筛选；同时，该试验夹具具有较小体积下可装载多个待冲击振动试验器件，大大提供了冲击振动试验的效率。
封装器件冲击振动试验夹具

[实用新型]三层金属复合焊片-CN201120336363.4有效
发明人：林德健;徐怀建;熊盛阳;官岩;彭磊;邬文浩;赵彦飞;林雄辉;武斌;孙勇;吴立强;李艳如;王腾研;刘海龙 -专利权人：北京市半导体器件六厂;中国运载火箭技术研究院;陈文卿;吴文俊;张柏生
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用于微电子封装技术的三层金属复合焊片，该复合焊片由三层金属结构复合构成，第一层和第三层均为银铜锡合金片，第二层为熔接设置在第一层银铜锡合金片和第三层银铜锡合金片之间的银片，银片分别与第一层的银铜锡合金片和第三层的银铜锡合金片的接合面相互熔接在一起。本实用新型所述的金属复合焊片用于玻璃封装二极管的芯片焊接，和微电子元件、半导体芯片与引线端之间的焊接，焊接牢固，提高了微电子元件封装的可靠性。
三层金属复合

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