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[发明专利]铁氧体材料及其制备方法和应用-CN202111063851.7有效
发明人：冒旭 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁氧体材料及其制备方法和应用，涉及材料技术领域。本发明提供的铁氧体材料，主要由特定配比的三氧化二铁、氧化镍、三氧化二铋、氧化锌、二氧化锰、氧化铜、二氧化铈和三氧化二铟制备得到，其中，氧化铜和二氧化铈作为烧结助剂，降低了体系的烧结温度，使得晶粒尺寸分布均匀，在1280℃～1320℃的烧结温度下即可完成烧结致密化；将Bi元素与In元素掺杂进入镍铁氧体晶格中引起晶格畸变，提高镍铁氧体的饱和磁化强度和其抗弯强度。该铁氧体材料在‑55～85℃的温度范围内的饱和磁感应强度稳定，具有较好的温度稳定性，抗弯强度高，改善了铁氧体在使用过程中因压应力或热应力产生的开裂现象，能够用于微波器件中。
铁氧体材料及其制备方法应用

[发明专利]LTCC微波介质陶瓷材料及其制造方法-CN202110438171.2有效
发明人：冒旭;王秀红;黄庆焕;王津;艾晨霞 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC微波介质陶瓷材料，所述微波介质陶瓷材料的反应物原料包括BaCO3、Li2CO3、MoO2和TeO2，其组成表达式为Ba2LixMoyTe1‑yO6，其中，0.8≤x≤1且0.3≤y≤0.7。还提供了一种LTCC微波介质陶瓷材料的制造方法。首先，Li2CO3为低熔点氧化物，在烧结时会形成液相从而促进烧结致密化，并且可以保持微波材料的介电性能；其次，通过离子置换，将化学性质和物理性质较为相似的金属离子进行替换(Mo替换Te)可以降低晶格堆积密度并且降低键强，从而可以降低陶瓷材料的烧结温度。因此，所述陶瓷材料不需要添加烧结助剂，能够在较低温度850℃～900℃下完成烧结致密化，可以极大程度降低体系中的烧结助剂对陶瓷材料介电性能的影响，使其具有优异的性能。
ltcc 微波介质陶瓷材料及其制造方法

[发明专利]碳化硅增韧微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011612951.6有效
发明人：冒旭;黄庆焕;顾国治;王津;艾晨霞;梁小健 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明适用于介质陶瓷生产技术领域，公开了一种碳化硅增韧微波介质陶瓷材料，包括以下重量份的原料组分：氧化镁48‑57份、氧化硅33‑42份、氧化铝5‑10份、氧化锆0.3‑0.5份、氧化铈0.2‑0.6份以及碳化硅0.02‑0.1份。还提供了一种制备所述碳化硅增韧微波介质陶瓷材料的方法。能显著提高陶瓷材料的抗弯强度和热震性能，减少陶瓷材料在实际使用环境中因温度变化对材料性能所造成的影响；且制备工艺简单，陈本低廉，适用于工业化大规模生产。
碳化硅微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]复合介质陶瓷及其制备方法和微波滤波器-CN202111032875.6有效
发明人：冒旭 -专利权人：摩比天线技术（深圳）有限公司;摩比科技（深圳）有限公司;摩比通讯技术（吉安）有限公司;摩比科技（西安）有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合介质陶瓷及其制备方法和微波滤波器。本申请复合介质陶瓷包括介质陶瓷本体，在介质陶瓷本体的表面结合有Ag层，且由介质陶瓷本体至Ag层外表面的方向，Ag层的密度呈梯度增加。本申请微波滤波器为本申请复合介质陶瓷。本申请复合介质陶瓷和微波滤波器所含Ag层与介质陶瓷本体之间应力小，结合强度高，具有低损耗特性，且成本低。本申请复合介质陶瓷的制备方法能有效保证了制备的复合介质陶瓷结构和低损耗以及电磁等性能稳定。
复合介质陶瓷及其制备方法微波滤波器

[实用新型]一种具有新型封装结构的滤波器芯片-CN202220484166.5有效
发明人：冒旭 -专利权人：全讯射频科技(无锡)有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有新型封装结构的滤波器芯片，其可以有效减少封装树脂膜与PCB基板之间封存的气体，同时其可以提高滤波器芯片与PCB基板之间的连接强度，保证滤波器芯片的正常使用。其包括PCB基板，各个滤波器芯片分别通过倒装焊接于所述PCB基板上，所述PCB基板上对应所述滤波器芯片的切割道的交点上设有通孔，所述滤波器芯片及所述PCB基板的外表面设有封装层，且所述封装层覆盖所述通孔并填充完全。
一种具有新型封装结构滤波器芯片

[发明专利]低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202111484370.3在审
发明人：冒旭;王秀红;叶荣;黄庆焕 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温共烧陶瓷材料，所述陶瓷材料的化学表达式为Li3Mg2NbxV1‑x(O1‑y/2Fy)6，其中，0.75≤x≤1，0.03≤y≤0.25。本发明还提供一种所述低温共烧陶瓷材料的制备方法，包括：预烧步骤，将反应物原料按照所述化学表达式Li3Mg2NbxV1‑x(O1‑y/2Fy)6的化学计量比进行配料和预烧，获得混合材料粉末；造粒步骤，在所述混合材料粉末中加入粘结剂和脱模剂，充分混合后进行喷雾造粒，获得造粒粉；烧结步骤，将所述造粒粉干压制成生坯，将所述生坯进行烧结，冷却后获得所述低温共烧陶瓷材料。借此，本发明低温共烧陶瓷材料能够在不添加烧结助剂的前提下实现低温烧结，从而大幅提升了陶瓷材料性能，并且其制备方法工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202110289778.9在审
发明人：黄庆焕;冒旭;叶荣;徐海新;王斌华 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，包括主晶相材料和改性添加剂；主晶相材料的化学式为xAl2O3·yTiO2，其中，x、y均代表摩尔分数，且0.85x0.95，0.05y0.15；改性添加剂包括Y2O3、CeO2、Nb2O5、SiO2、CaO及Li2O3中的任意两种化合物。制备所得的陶瓷材料具有低介电常数，高品质因数，近零可调的谐振频率温度系数，在降低烧结温度的同时保持了较好的介电性能，并且能够显著提高微波元器件的抗热震性能，在温差100‑110℃热震试验中无开裂现象。本发明所采用的工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
一种微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]二硒化钼/石墨复合材料及其制备方法和应用-CN201810457292.X有效
发明人：邹俭鹏;冒旭;李丹妮 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钼/石墨复合材料，由二硒化钼纳米片和石墨组成，所述二硒化钼纳米片垂直生长于石墨表面，二硒化钼的含量为0.04～10vol％，石墨的含量为90～99.96vol％。本发明提供的二硒化钼/石墨复合材料，垂直生长于石墨表面二硒化钼纳米片表面由很多悬挂键组成，在电解制氢和电催化应用中，悬挂键表面是活性位点，采用的石墨基体具有的多孔层状结构提供了较大的比表面积，增加催化剂的活性位点数量可以提高析氢反应的活性；本发明制备方法的流程简单，制备时间短，成本低廉，可用于大规模的工业生产；二硒化钼/石墨复合材料催化性能较好且较稳定，其塔菲尔系数较小，析氢过电位较低，在电解水析氢领域的应用前景广泛。
二硒化钼石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种MSe₂薄膜材料及其制备方法和应用-CN201910635653.X在审
发明人：邹俭鹏;冒旭 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种MSe₂薄膜材料及其制备方法和应用，属于薄膜材料制备技术领域，包括基底、以及负载于基底上的MSe₂薄膜，所述MSe₂薄膜由二硒化钨薄膜、二硒化钼薄膜中的至少一种构成。本发明提供的MSe₂薄膜材料，二硒化钨薄膜和/或二硒化钼薄膜以层状结构水平生长于不锈钢表面，每一层都以密排六方的结构紧密堆积，形成稳定性良好的单分子层，而每层单分子之间，依靠范德瓦尔斯力，结合成层状半导体材料，其层与层之间易于滑动，在摩擦材料应用中可达到较低的摩擦系数。
薄膜材料薄膜制备方法和应用二硒化钼薄膜二硒化钨基底范德瓦尔斯力制备技术领域不锈钢表面层状半导体层状结构单分子层紧密堆积摩擦材料摩擦系数水平生长滑动单分子密排应用

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