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[发明专利]一种带有空腔的器件封装结构和方法-CN201911024565.2有效
发明人： 于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种带有空腔的器件封装结构和方法，包括器件，该器件表面设有焊盘和功能区；有一设有多个通孔的盖板，盖板第一表面设有键合胶，键合胶在通孔处设有开口；器件通过键合胶与盖板结合并使开口与焊盘相对，在键合力作用下，键合胶铺展使得开口面积小于通孔面积；盖板、键合胶与器件在功能区形成有空腔；盖板第二表面还设有互连结构，该互连结构延伸至通孔和开口以与焊盘电性连接。本发明工艺简单，成本低、提高产品可靠性。
一种带有空腔器件封装结构方法

[发明专利]高可靠性芯片封装方法及结构-CN201610637809.4有效
发明人： 于大全;李鹏;马书英 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性芯片封装方法及封装结构，该封装结构包括芯片、开口、金属布线层、若干焊料凸点和塑封层，开口自芯片的正面向背面延伸形成，且开口的底部暴露出芯片的焊垫；金属布线层位于开口的内壁和芯片的背面上，且电性连接焊垫；焊料凸点位于芯片背面上，且与金属布线层电性连接；塑封层包覆住芯片背面及其四个侧面，且暴露芯片背面的焊料凸点。通过形成塑封层对芯片进行防护，且塑封层采用隔潮、防腐或机械强度性能良好的塑封材料，本发明能够进一步增强芯片的可靠性，耐用性，提升芯片的抗干扰能力，满足芯片在恶劣环境下的应用需求。
可靠性芯片封装方法结构

[实用新型]基于多层堆叠三维电感与空腔电容的集成无源结构-CN202223603170.8有效
发明人：马浩哲;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于多层堆叠三维电感与空腔电容的集成无源结构，包括堆叠的第一玻璃基板和第二玻璃基板，第一玻璃基板和第二玻璃基板分别设有第一通孔和第二通孔，第一金属连接层填充于第一通孔并延伸至第一玻璃基板的第一表面，第二金属连接层填充于第二通孔并延伸至第二玻璃基板第二表面，第一金属连接层延伸至第一玻璃基板的第二表面并构成第一部分金属和第二部分金属，第二金属连接层延伸至第二玻璃基板的第一表面并构成第三部分金属和第四部分金属，第一部分金属和第三部分金属通过导电键合层连接并构成三维电感，第二部分金属上依次设有介质层和第一金属层并构成空腔电容，通过导电键合层与第四部分金属连接，实现电感与电容互联。
基于多层堆叠三维电感空腔电容集成无源结构

[发明专利]具有硅桥互连结构的2.5D封装结构及其制作方法-CN202211655725.5在审
发明人：赵瑾;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有硅桥互连结构的2.5D封装结构及其制作方法，该封装结构包括由至少两个芯片与硅桥键合构成的硅桥互连结构和玻璃中介层，玻璃中介层上设有贯穿第一表面和第二表面的金属通孔，并且在玻璃中介层的第一表面和第二表面上分别设有与金属通孔连接的第一重布线层和第二重布线层以及包覆住第一重布线层和第二重布线层的第一钝化层和第二钝化层，至少两个芯片通过微凸点倒装在硅桥的高密度布线层上以构成硅桥互连结构，通过凸点键合在玻璃中介层的第一重布线层，将玻璃中介层的第二重布线层焊接在基板上，实现芯片与基板的电连接。硅桥提供更高密度的互连，减少全局互连长度，在较小的尺寸上提高性能并降低功耗，封装成本低。
具有互连结构 2.5 封装及其制作方法

[发明专利]等离子划片的芯片包封结构及制作方法-CN201610638956.3有效
发明人： 于大全;范俊 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子划片的芯片包封结构及制作方法，该结构包括一芯片，该芯片正面覆盖一层介电层，介电层内含有至少一导电垫，芯片至少有一个侧壁呈上下延伸的齿条状，且齿条的每个齿槽呈弧形，芯片的侧壁及背部由一层钝化层完全包覆。该结构中，钝化层包覆芯片的背部和侧壁，避免了芯片基体外露引起芯片漏电；芯片齿条状的侧壁，便于挂胶，增加钝化层与侧壁的结合力。该方法使用等离子体干法刻蚀划片分割晶圆，避免了刀片机械切割芯片崩边的问题，且避开了等离子体分离方法形成的芯片侧壁外露的问题，提高了工艺的可行性。
等离子划片芯片结构制作方法

[发明专利]基于玻璃中介层和硅桥结构的2.5D封装结构及其制作方法-CN202211656125.0在审
发明人：赵瑾;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于玻璃中介层和硅桥结构的2.5D封装结构及其制作方法，该封装结构包括由至少两个芯片、硅桥结构和玻璃中介层，玻璃中介层上设有贯穿第一表面和第二表面的金属通孔，并且在玻璃中介层的第一表面设有第一金属布线层和第一钝化层，第一钝化层设有凹槽，硅桥结构的正面设有高密度布线层，背面设有粘合层以将硅桥结构贴装在该凹槽的底面上，至少两个芯片通过微凸点键合在硅桥的高密度布线层上，同时通过凸点键合在玻璃中介层上钝化层的第一开口处。硅桥结构提供更高密度的互连，减少全局互连长度，提高性能并降低功耗，封装成本低；玻璃具有可调热膨胀系数(CTE)，在一定程度上可解决热失配的问题，绝缘性强，可减小信号之间的串扰。
基于玻璃中介结构 2.5 封装及其制作方法

[发明专利]一种基于玻璃基板的双间隙波导器件及制作方法-CN202210985892.X有效
发明人：张淼;蔡璟;吴舒月;黄智昌;于大全;柳清伙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于玻璃基板的双间隙波导器件及其制作方法，其包括第一玻璃基板、第二玻璃基板和第三玻璃基板；第一玻璃基板和第三玻璃基板的上下表面分别设有金属层，且第一玻璃基板设有馈电开口；第二玻璃基板具有传输区域，沿传输区域外围间隔排布多个金属化玻璃通孔作为屏蔽结构；第一玻璃基板、第二玻璃基板和第三玻璃基板按序平行设置并通过框型干膜键合，使得第一玻璃基板下表面的金属层、第三玻璃基板上表面的金属层分别与第二玻璃基板的上表面和下表面之间形成间隙，且馈电开口对应于传输区域上方。本发明具有易加工、低成本、高集成的优势，可以在毫米波/太赫兹频段实现极低的传输损耗，适用于毫米波/太赫兹频段的器件应用。
一种基于玻璃间隙波导器件制作方法

[发明专利]基于CGA封装的中空杆壁波导器件的制备方法、设计方法-CN202211301295.7在审
发明人：张淼;吴舒月;周庆;于大全;柳清伙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明涉及传输线波导技术领域，特别涉及一种基于CGA封装的中空杆壁波导器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一具有馈电孔的第一铜金属层，第一铜金属层具有相对的第一表面和第二表面；将载板键合至第一铜金属层的第一表面上；在第一铜金属层的第二表面由下至上依次形成一钛金属层以及一铜金属层；在铜金属层的上表面涂覆光刻干膜，光刻、刻蚀形成图案化铜金属层，以露出部分钛金属层；以图案化铜金属层为掩膜，刻蚀去除图案化铜金属层并形成图案化钛金属层；识别图案化钛金属层，进行丝网定位刷导电银浆；识别图案化钛金属层，定位铜柱焊垫位置并根据设计图纸完成铜柱的柱栅列阵封装植柱；提供一具有馈电孔的第二铜金属层；在铜柱的顶表面用银浆进行点胶以焊接在第二铜金属层上。
基于 cga 封装中空波导器件制备方法设计

[发明专利]柔性二维超声换能器阵列的封装制造方法-CN202110749883.6在审
发明人：鲁瑶;万里兮;于大全 -专利权人：北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了柔性二维超声换能器阵列的封装制造方法，包括：根据二维换能器的结构绘制电路布线版图；提供至少一涂覆有临时键合胶的第一载板，形成介质层及线路，线路包括多个多层的电路区，每一电路区对应一超声换能器阵列；在焊盘上制作焊球；通过临时键合胶包裹焊球，并将第二载板键合在线路远离第一载板的一面；去除第一载板；通过低温键合技术将多个超声换能器阵列与对应的电路区键合在一起；将匹配层材料旋涂在超声换能器阵列和线路的表面，并将匹配层材料固化；去除超声换能器阵列和线路的临时键合胶和第二载板；进行切割和分选，得到多个封装好的换能器阵列。本发明提供的工艺路线，可以制作出具有良好的可弯折性和柔性的电路。
柔性二维超声换能器阵列封装制造方法

[实用新型]一种配电网接地结构-CN202221152403.4有效
发明人： 于大全;王和鑫;秦佳;褚洪波;赵晓敏 -专利权人：黑龙江工业学院
申请日： 2022-05-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种配电网接地结构，属于配电网接地结构领域。一种配电网接地结构，包括：预埋箱(1)，所述预埋箱(1)底部设置有插入端(101)，所述预埋箱(1)内设置有限位槽(111)；所述预埋箱(1)内设置有接线组件；缠绕杆(2)，所述缠绕杆(2)的两端对称设置有限位块(201)，所述限位块(201)与限位槽(111)相对应；箱盖(3)，所述箱盖(3)远离预埋箱(1)的一端设置有多个等距排列的连接套(304)；本实用新型有效的防止线路长时间使用后自然伸缩造成的接头处断开，进而有效的防止接地线断开造成的危险，同时保障了接地装置密封性防止水份腐蚀接地线。
一种配电网接地结构

[发明专利]滤波器芯片的封装结构及其封装方法-CN202210856779.1在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器芯片的封装结构及其封装方法，包括器件衬底和玻璃衬底，器件衬底上设有滤波器功能区域，其周围设有第一键合物，玻璃衬底具有第一表面和第二表面，玻璃衬底设有贯穿第一表面和第二表面的玻璃通孔以及完全填充在玻璃通孔内的金属柱，玻璃衬底的第一表面和第二表面上分别设有与金属柱连接的第一金属层和第二金属层，第一金属层上设有第二键合物，器件衬底与玻璃衬底之间通过第一键合物和第二键合物键合，并在滤波器功能区域上方形成空腔，空腔上方设有至少两个金属柱，第二金属层上方设有外接部，第二表面上设有覆盖在外接部以外区域上并包覆住第二金属层的钝化层。并通过密封环与金属柱相连接地，实现了更好的散热效果。
滤波器芯片封装结构及其方法

[发明专利]一种基于激光解键合实现巨量转移的方法及应用-CN202211003436.7在审
发明人： 于大全;朱云亭;于宸 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工的技术领域，公开了一种基于激光解键合实现巨量转移的方法，采用转移装置，转移装置的转移面上通过凸台结构、激光释放层和临时键合层的组合形成转移头，将芯片临时键合于转移头上，与目标基板进行键合固定后再通过激光释放解除键合，令芯片与转移装置分离。本发明还提供了基于上述巨量转移方法的全彩化Micro‑LED显示装置的制作方法。本发明可保证转移精度，提高转移良率。
一种基于激光解键合实现巨量转移方法应用

[发明专利]一种基于仿生运动的假肢控制多源生机信号采集系统-CN202210885742.1在审
发明人：逄鹏;田聪;魏喜雯;于大全;姜莹莹 -专利权人：黑龙江工业学院
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A61F2/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于仿生运动的假肢控制多源生机信号采集系统，所述基于仿生运动的假肢控制多源生机信号采集系统包括主控系统、肌电传感器、脑电波传感器、心率传感器、前置放大器、非线性滤波处理器、驱动单元、信号阈值设定单元、无线通讯模块、电源模块、记忆存储单元、信号对比单元、差异化信号反馈单元、预演示动作模块和仿生假肢单元；该发明一种基于仿生运动的假肢控制多源生机信号采集系统，能够同时采集人体前臂表面肌电信号和脑电波信号、心率信号，利用表面肌电信号包含的人体运动信息进行解码，基于模式识别，识别出动作，利用脑电波信号、心率信号识别运动动作的准确性，进一步提高假肢控制的准确性和抗干扰能力。
一种基于仿生运动假肢控制生机信号采集系统

[发明专利]一种改进的不对称等离子体光谱分析方法-CN202210839761.0在审
发明人：黎炳蔚;雷正龙;李国新;于大全;张敏;张浩悦 -专利权人：昆山宝锦激光拼焊有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的不对称等离子体光谱分析方法，本方案考虑了双原子解离过程修正部分标准温度法曲线结果，在双原子气体计算中精度更高；采用辐射强度计算代替发射系数，减少了重建发射系数分布模型的过程，计算更简便，避免了重建模型误差导致的计算偏差，同时扩大了该方法的适用范围，不受到逆变换方法的限制；将两个相对发射系数曲线交点转变为相对发射系数比值来确定等离子体成分，弥补辐射强度代替发射系数造成的误差。同时可外延至等离子体中心相对发射系数大于1时的浓度计算。
一种改进不对称等离子体光谱分析方法

[发明专利]一种滤波器的晶圆级封装结构及其制作方法-CN202210528805.8在审
发明人：陈作桓;于大全;姜峰;张名川 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器的晶圆级封装结构及其制作方法，在具有若干个谐振功能区和若干个焊盘的滤波器晶圆的表面涂覆光敏材料制作围绕在谐振功能区周围的围堰结构，围堰结构将焊盘包覆住；在围堰结构上方覆盖由树脂或胶和无机物组成的混合物材料制成的具有高弹性模量的薄膜盖板；采用激光钻孔在薄膜盖板和围堰结构上同时形成裸露出焊盘的连接孔，从连接孔的底部至顶部直径逐渐增大，连接孔的侧壁平滑无台阶；在薄膜盖板上制作金属连接件并延伸至连接孔侧壁和底部与焊盘电性连接，在金属连接件和薄膜盖板表面旋涂钝化层，在薄膜盖板上的金属连接件上方的钝化层制作开口，于开口处制作导电外接部。本发明能提供更大尺寸空腔，提高产品可靠性。
一种滤波器晶圆级封装结构及其制作方法